专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种退火载盘的制备方法及退火载盘-CN202310873238.4在审
  • 任娜;冉飞荣;盛况;徐弘毅 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-07-14 - 2023-10-13 - H01L21/687
  • 本发明涉及半导体领域,特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片,载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域,将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后,形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧,避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动,也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落;同时,待加工晶圆本身具有一定的透光率,热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收,导致升温速度慢,选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片,通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量,再将热量传递给待加工晶圆,从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。
  • 一种退火制备方法
  • [发明专利]一种SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202211166305.0有效
  • 盛况;任娜;冉飞荣;沈华;刘志红 - 浙江大学杭州国际科创中心;浙江大学;嘉兴斯达半导体股份有限公司
  • 2022-09-23 - 2023-01-10 - H01L29/417
  • 本发明涉及半导体技术领域中的一种SiC MOSFET器件及其制备方法,包括衬底层、外延层、两组以上间隔排列的栅氧结构、第一隔离层、一组以上的第一源极电极层、第二源极电极层和栅极电极层,外延层设置在衬底层的一端面,衬底层的另一端面设置有漏极电极层,栅氧结构设置在外延层远离衬底层的一端面,且每组栅氧结构上设置有第一隔离层,每两组连续的栅氧结构设置为一个单元结构,且仅在每个单元结构内的两组栅氧结构之间设置有注入层和源极层,注入层和源极层内贯穿设置有掺杂层,第一源极电极层设置在外延层远离衬底层的一端面,外延层上还设置有第二隔离层,栅极电极层设置在第二隔离层上,本发明解决了传统SiC MOS管寄生电感较大的问题。
  • 一种sicmosfet器件及其制备方法

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