专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法-CN201911178732.9在审
  • 侯想;徐明金;欧金亮;钟梦洁;苏宇;罗荣煌 - 福建中晶科技有限公司
  • 2019-11-27 - 2020-03-27 - H01L33/20
  • 本发明公开了一种提高蓝宝石衬底制备效率的方法,涉及发光二极管制备技术领域,针对现有兼顾主刻蚀时间选择比和刻蚀速率,造成衬底制备耗时长,制备周期长,生产效率低的问题,现提出如下方案,其包括如下具体步骤,S1,将光刻胶涂覆至蓝宝石衬底上;S2,对蓝宝石衬底上的光刻胶厚度进行测量;S3,对蓝宝石衬底进行曝光;S4,对曝光后的蓝宝石衬底进行显影;S5,对显影后的蓝宝石衬底使用玻璃温度进行烘烤;S6,对蓝宝石衬底进行蚀刻;S7,对蚀刻后的蓝宝石衬底进行清洗,本制备方法能够提高蚀刻选择比,缩短蚀刻时间,压缩蚀刻周期,提高蓝宝石衬底的制备效率。
  • 一种提高蓝宝石衬底制备效率方法
  • [发明专利]一种具有散光效应的LED芯片的制备方法-CN201711415138.8在审
  • 侯想 - 福建中晶科技有限公司
  • 2017-12-25 - 2018-05-15 - H01L33/58
  • 本发明公开了一种具有散光效应的LED芯片的制备方法,包括以下步骤:S1、在蓝宝石片子的上表面制备类似于凸镜形貌的圆;S2、将S1所得的蓝宝石片子通过紫外固化热压印技术对蓝宝石衬底图形化,衬底图案由平均分布的锥形图案组成,且锥形图案的竖截面为等腰三角形,本发明可以通过调整凸镜的弧度,使出光角的范围扩大至180°,对LED的出光效率进行了优化,进一步提高了LED的出光效率,蓝宝石衬底的顶端设置有弧形凸起,且锥形图案均匀分布在弧形凸起的顶端,衬底上的图案更加密集,便于LED芯片射出更多的光线。
  • 一种具有散光效应led芯片制备方法
  • [实用新型]一种图形化蓝宝石衬底的加工装置-CN201621419747.1有效
  • 仇凯弘;侯想 - 福建中晶科技有限公司
  • 2016-12-23 - 2017-07-21 - H01L33/00
  • 本实用新型公开了一种图形化蓝宝石衬底的加工装置,包括底座,所述底座安装有第一气缸和第一连接柱,第一气缸位于第一连接柱的一侧,第一气缸远离第一连接柱的一侧设有第一凹槽,第一凹槽内滑动连接有夹持固定装置,第一气缸的活塞杆焊接有夹持固定装置装置,所述夹持固定装置包括固定块,固定块上开有第二凹槽,第二凹槽内设有第一夹持块和第二夹持块,第一夹持块和第二夹持块的截面均为L形,第一夹持块的侧壁底端开有第三凹槽,第三凹槽内设有第二气缸,第二气缸的输出轴连接有第二夹持块,第二夹持块的底端侧壁与第三凹槽的侧壁滑动连接。本实用新型结构简单,稳固性高,蓝宝石衬底的抛光效果好。
  • 一种图形蓝宝石衬底加工装置
  • [发明专利]一种复合图形化衬底的制备方法-CN201710253271.1在审
  • 仇凯弘;侯想 - 仇凯弘
  • 2017-04-18 - 2017-07-18 - H01L33/20
  • 本发明公开了一种复合图形化衬底的制备方法,包括以下步骤S1制备蓝宝石基础衬底;S2在S1步骤中制备的蓝宝石基础衬底表面固定支撑体,再在支撑体表面镀金属合金层,去除氧化膜,去除支撑体,即得空腔结构的蓝宝石衬底;S3在蓝宝石衬底的空腔中填充纳米复合材料,同时在金属合金层外表面形成AlN层;S4在AlN层上进行光刻胶、坚膜以及两次ICP刻蚀处理;S5清洗掉剩下的光刻胶,即得复合图形化衬底。本发明提出的制备方法简单、易操作,制得的复合图形化衬底晶体质量高,光的出射强,衬底整体的重量轻,生产成本低,基础衬底与GaN材料的温差小,晶体的性能稳定,晶格失配率低,MOCVD的使用效率高。
  • 一种复合图形衬底制备方法
  • [实用新型]在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置-CN201621418517.3有效
  • 侯想;仇凯弘 - 福建中晶科技有限公司
  • 2016-12-22 - 2017-06-16 - H01L33/00
  • 本实用新型公开了在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置,包括第一箱体和第二箱体,第二箱体位于第一箱体的内部,且第一箱体和第二箱体之间连接有支架,第一箱体和第二箱体之间构成冷却腔,所述第一箱体的外侧壁上设有冷却液存储箱和液泵,冷却液存储箱位于液泵的下方,液泵的输出端通过导管延伸至冷却腔的内部,液泵的输入端通过导管连接有冷却液存储箱,冷却液存储箱的底端连接有导液管,导液管与冷却腔相连通。本实用新型通过第一箱体、第二箱体、加热管、液泵和冷却液存储箱的设置,能够在蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层时提供合适的温度环境,实现高温加热和快速冷却,满足不同的温度需求,提高其生长工作效率。
  • 图形蓝宝石衬底生长氮化外延加工装置
  • [实用新型]一种图形化蓝宝石衬底的酸碱清洗装置-CN201621417113.2有效
  • 侯想;仇凯弘 - 福建中晶科技有限公司
  • 2016-12-22 - 2017-06-13 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种图形化蓝宝石衬底的酸碱清洗装置,包括壳体,所述壳体为空腔结构,壳体的顶端设有进料口,所述进料口的一侧内壁铰接有顶盖,所述壳体的顶端内壁上安装有引料架,所述壳体的底端内壁滑动连接有支撑板,所述支撑板的顶端通过定位销安装有清洗座,所述清洗座上设有第一通孔,所述清洗座的顶端分别设有弧形的放置槽和挡板,所述清洗座的一侧开设有滑槽,所述支撑板靠近清洗座的一侧设有凹槽,所述凹槽内设有导流板,所述导流板上设有第二通孔,所述支撑板的底端和壳体的底端均设有相互连通的出料口,所述壳体内还设有滑动杆。本实用新型设计布局合理,减轻对蓝宝石衬底的损伤,清洁效果显著,同时有效提高清洗质量。
  • 一种图形蓝宝石衬底酸碱清洗装置
  • [发明专利]一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法-CN201710065573.6在审
  • 侯想 - 福建中晶科技有限公司
  • 2017-02-06 - 2017-05-31 - H01L33/06
  • 本发明公开了一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法,包括以下步骤将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中,采用二步法生长,先生长P型GaN接触层,继续在P型GaN接触层结构上面生长P型AlGaN电子阻挡层,然后生长GaN/InyGa1‑yN构成的有源区,最后生长N型GaN接触层;通过光刻、刻蚀和NP光刻、镀金属Ni/Cu后,剥离清洗,最后在芯片表面沉积一层SiO2保护层,去除电极表面的SiO2,成为成品芯片。本发明制作的单颗芯片可以发出多种波长的光,使芯片的颜色更加丰富,并且芯片光效高,后期应用灵活便捷,降低了成本,应用前景广阔。
  • 一种多种复合单色光led芯片制备方法

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