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[发明专利]一种用于刻蚀晶片的石英承载盘-CN201310268837.X无效
发明人：侯想;项艺;董志江;靳彩霞;杨新民 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于刻蚀晶片的石英承载盘。该石英承载盘的上表面具有设定数目的用于放置晶片的第一圆形槽，所述石英承载盘的下表面与所述第一圆形槽对应的位置具有第二圆形槽，所述第二圆形槽中填充有导电导热物质。本发明用于刻蚀晶片的石英承载盘，提高了石英承载盘的使用寿命，提高了刻蚀速率和散热性能。
一种用于刻蚀晶片石英承载

[发明专利]一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法-CN201310231920.X无效
发明人：罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基LED的PGaN结构及其外延生长方法。其中，GaN基LED的PGaN结构为：所述GaN基LED的PGaN结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、第一非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、有源区MQW层、量子阱保护层、P型AluInnGa1-u-nN层、第二非故意掺杂u-GaN层、P型GaN层、接触层，其中，所述第二非故意掺杂u-GaN层为在生长温度大于或等于1100摄氏度并且小于或等于1250摄氏度范围内生长出来的非故意掺杂u-GaN层。本发明的GaN基LED的PGaN结构，晶体质量好，发光效率高。
一种 gan led pgan 结构及其外延生长方法

[发明专利]图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法-CN201310231360.8无效
发明人：艾常涛;侯想;王汉华;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化衬底及其制造方法、LED芯片及其制造方法。该图形化衬底为：所述图形化衬底为蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上具有周期性交替排列的沟槽和凸起图形，所述凸起图形与所述沟槽之间具有平台阶。本发明的图形化衬底，是由两种或两种以上单一图形组合而成的复合图形，可以有效降低GaN外延生长的位错密度，提高内量子效率，同时由于本发明的图形衬底光反射面增多，可以加强光的散射，使有源层发出的光经过衬底后反射，增加出光几率；另外，在生长GaN的时候，沟槽里面GaN无法填满，会形成空隙，可以进一步增加光的反射。
图形衬底及其制造方法 led 芯片

[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其生长方法-CN201310268414.8无效
发明人：罗绍军;李鸿建;艾常涛;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基LED外延结构及其生长方法。该GaN基LED外延结构由下向上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层、第一电子储存区、GaN隔层、第二电子储存区、有源区多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、接触层。本发明的GaN基LED外延结构及其生长方法，能够减小有源区材料的应力，提高GaN基LED的发光效率，提高晶体材料质量。
一种 gan led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种GaN基LED的外延结构及其生长方法-CN201310232147.9无效
发明人：罗绍军;艾常涛;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基LED的外延结构及其生长方法。GaN基LED的外延结构包括：步骤一，在蓝宝石衬底上依次生长GaN成核层、非故意掺杂u-GaN层、N型掺杂GaN层；步骤二，在N型掺杂GaN层之上生长有源区MQW层，生长有源区MQW层时，生长量子阱时的反应室压力小于生长量子垒时的反应室压力，且生长量子阱前和生长完量子阱后各保持一设定时间的纯N2氛围，以及控制有源区MQW层中量子垒的生长厚度小于6nm；步骤三，在有源区MQW层之上再依次生长电子阻挡层、P型掺杂GaN层和接触层。本发明的GaN基LED的外延结构，生长成本低，用该GaN基LED的外延结构制成的GaN基LED的发光效率高。
一种 gan led 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构-CN201310037319.7无效
发明人：罗绍军;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;李四明 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高GaN基LED发光效率的多量子阱结构，从下至上依次包括电子存储区、电子收集区和发光区；所述电子存储区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于存储电子；所述电子收集区，其包括一个势垒，用于收集电子和加快电子存储区与发光区间的电子传输速度；所述发光区，其包括若干交替生长的势阱和势垒，用于实现发光。并且，所述电子收集区的势垒高度比所述发光区的势阱高。本发明将GaN基LED的MQW有源区严格分成电子存储区、电子收集区和发光区，有利于促进LED行业的发展，且减少了GaN基LED结构的生长时间，节约源料、降低成本，有利于推进LED的照明普及，同时还能减小漏电，达到提高ESD良率及发光效率的目的。
一种提高 gan led 发光效率多量结构

[发明专利]一种发光二极管-CN201310037353.4无效
发明人：易贤;王汉华;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，包括衬底，所述衬底的上表面由至少两个形状相同的曲面依次连接组成；所述每个曲面的上表面设有多个凸部，所述所述各凸部之间的距离相等。本发明的有益效果是得到更大的曲面面积，也就增大了发光面积和增加了出光角度，提高了出光率。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及制造其增透层的方法-CN201310041273.6无效
发明人：李四明;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;罗绍军 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其增透层的方法，其在LED外延结构的基础上，在多量子阱层和p型半导体层之间设置了一层具有逐渐变小的折射率的增透层，且所述增透层的总厚度为入射光通过该增透层的等效波长的四分之一。所述增透层可以包括依次沉积的至少两层AlxInyGa1-x-yN层，通过增加各层的铝浓度使所述增透层具有逐渐变小的折射率。所述增透层还可以包括从下至上依次沉积InGaN层、SiN层和AlN层。本发明的增透层结构简单，增大了发光区的出光角度，增强了透射，从而提高了LED出光效率。
一种发光二极管外延结构制造增透层方法

[发明专利]一种GaN基LED结构及提高其光电转换效率的方法-CN201310037389.2无效
发明人：罗绍军;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;李四明 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及光电器件领域，特别是一种GaN基LED结构，从上至下依次包括p电极、透明电极、p型GaN层、多量子阱有源区、n型GaN层、在n型GaN层上刻蚀的n电极、第一u型GaN层和衬底，并且在所述多量子阱有源区和所述n型GaN层之间插入第二u型GaN层或者插入由u型AlxGa1-xN层与低掺杂n型GaN交替生长形成的超晶格层，其中x表示AlxGa1-xN中铝的成分，且x的取值范围为0≤x≤1。对应地，本发明还给出了一种提高GaN基LED结构光电转换效率的方法。本发明消除或减小了GaN基LED结构横向的电阻差异，使电流得到了扩展，正向电压得到降低，反向电流减小，发光区域增大，因此提高了LED的光电转换效率。
一种 gan led 结构提高光电转换效率方法

[发明专利]一种具有反射镜结构的发光二极管-CN201310037425.5无效
发明人：项艺;王汉华;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有反射镜结构的发光二极管，一种具有反射镜结构的发光二极管，从下至上依次包括金属层、DBR层分布式布拉格反射镜、衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述金属层和所述DBR层分布式布拉格反射镜之间插入有一层用于增加DBR层和金属层的粘附性的过渡层，且所述金属层、所述过渡层和所述DBR层构成所述发光二极管的反射镜结构。本发明的发光二极管，其采用Ag金属层反射层，不需要Au阻挡，节省Au的用量；同时Ag的反射率比Al高，因此有利于提高反射率；同时，由于插入了过渡层，解决了Ag和DBR层粘附性不好、易脱落的问题。
一种具有反射结构发光二极管

[发明专利]一种LED外延结构-CN201310036011.0无效
发明人：李鸿建;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延结构，包括依次层叠的衬底、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型氮化镓层、ITO掺锡氧化铟层、p型电极和形成于n型氮化镓层上的n型电极，还包括p型接触层，所述p型接触层介于p型氮化镓层和ITO掺锡氧化铟层之间，呈锲型结构，且p型接触层的空穴浓度渐变，靠近p型氮化镓层一测空穴浓度高，远离p型氮化镓层一侧空穴浓度低；本发明所述LED外延结构具有结构简单、制作方便等优点，相对传统结构，能较大地提高强LED的发光效率与信赖性。
一种 led 外延结构

[发明专利]一种发光二极管外延结构-CN201210058190.3无效
发明人：李鸿建;艾常涛;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管外延结构，包括依次设有的衬底层、过渡层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、嵌入多量子阱层中的分隔层或延伸至多量子阱层中的n型氮化镓层、以及p型氮化镓层，其中，所述多量子阱层包括交替排列的量子垒与量子阱，所述多量子阱层中部分或全部的量子垒和量子阱与嵌入的分隔层或延伸至其中的n型氮化镓层接触。采用本发明提出的发光二极管外延结构，能够有效地降低量子阱由于晶格失配和热失配所导致的应力，提高外延层的晶体质量，并可形成量子点，以提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延结构

[发明专利]一种双反射发光二极管-CN201310037317.8无效
发明人：王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管，包括从上到下依次排列的P电极、电流扩展层、P型层和有源层，从所述P电极的下表面到所述有源层的上表面之间的不同高度上分别设有第一光线反射面和第二光线反射面。本发明利用光在两个反射面之间不断反射以及散射，增加了发光二极管的出光效率。
一种反射发光二极管

[发明专利]一种发光二极管的外延结构及制造其光栅层的方法-CN201310041139.6无效
发明人：李四明;靳彩霞;董志江;艾常涛;李鸿建;罗绍军 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的外延结构及制造其光栅层的方法，其在LED外延结构的p型半导体层的顶部沉积一层带有密集孔洞的光栅层，且所述光栅层的制造方法包括：在500℃～700℃温度下沉积一层高掺铟的InGaN层，沉积后相邻的铟元素形成铟团簇；在900℃～1050℃温度下，蒸发掉铟团簇，形成带有密集孔洞的光栅层。本发明利用光栅层的衍射效应，改变光强的分布，增加LED的出光效率。
一种发光二极管外延结构制造光栅方法

[发明专利]一种具有电流阻挡层的发光二极管-CN201310038883.0无效
发明人：王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人： 武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电流阻挡层的发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、电流阻挡层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述透明导电层和所述电流阻挡层上均设有开孔结构，用于使所述p电极能通过所述透明导电层和所述电流阻挡层上的开孔结构与所述p型GaN层接触。本发明阻止了因p电极正下方的电流流动而造成电流阻塞效应，提高了发光强度；避免了活性层发出的光在p电极正下方被吸收，提高了光提取效率；增加了电极的粘附性，避免电极脱落的风险；使n电极和p电极颜色一致，方便下游芯片封装厂的自动作业。
一种具有电流阻挡发光二极管

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