[发明专利]一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，包括以下步骤将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中，采用二步法生长，先生长P型GaN接触层，继续在P型GaN接触层结构上面生长P型AlGaN电子阻挡层，然后生长GaN/InyGa1‑yN构成的有源区，最后生长N型GaN接触层；通过光刻、刻蚀和NP光刻、镀金属Ni/Cu后，剥离清洗，最后在芯片表面沉积一层SiO2保护层，去除电极表面的SiO2，成为成品芯片。本发明制作的单颗芯片可以发出多种波长的光，使芯片的颜色更加丰富，并且芯片光效高，后期应用灵活便捷，降低了成本，应用前景广阔。

主权项

一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、NP‑PN外延结构的生长；S11、将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中，采用有缓冲buffer层的外延程序生长，生长采用氢气作为载气，使用Ga源、In源、N源和P型掺杂剂、N型掺杂剂，衬底在反应室内经过高温热处理去除表面杂质；S12、采用二步法生长，先生长一层10～50nm的低温GaN缓冲层buffer，然后升温生长4μm的N型GaN材料。 LED结构的样品在此基础上继续生长由1～100个周期InxGa1‑xN/GaN构成的有源区量子阱，其上是10～50nm的P型AlGaN电子阻挡层，最后生长400nm～550nm的P型GaN接触层；S13、继续在步骤S2中的结构上面生长10～50nm的P型AlGaN电子阻挡层，然后生长1～100个周期的GaN/InyGa1‑yN构成的有源区，最后生长200nm～400nm的N型GaN接触层；S2、芯片制程；S21、完成步骤S1中的外延生长后，分别通过mesa‑1光刻、mesa‑1刻蚀和通过mesa‑2光刻、mesa‑2刻蚀，然后通过NP光刻、镀金属Ni/Cu后，剥离清洗，最后在芯片表面沉积一层SiO2保护层，去除电极表面的SiO2，成为成品芯片。