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[实用新型]一种复合图形化蓝宝石衬底及LED芯片-CN202320013767.2有效
发明人：侯想;刘熠新;钟梦洁;卢文瑞;林赛;蔡琦;肖钱枚;熊彩浩 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种复合图形化蓝宝石衬底及LED芯片，属于发光二极管技术领域。其主要针对进一步提高LED光亮度的问题，提出如下技术方案，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的顶部有周期性分布的高反射薄膜与SiO2层所构成的图形，且图形化的蓝宝石衬底的顶部生长有N‑GaN，所述N‑GaN的内部具有多个空腔，所述N‑GaN的顶部设置有通过5‑10个周期In0.2Ga0.8N/GaN量子阱构成的有源区与用于联通电源的P型电极。本实用新型通过将光疏介质中的SiO2介质替换成空气介质，不仅缩小了光反射时所需要的射入角度，且使得氮化镓外延层不会被挤压产生应力，进而实现对LED芯片光亮效果的增强，且本产品的改进方式简单，可以快速投入生产，可行性较高。
一种复合图形蓝宝石衬底 led 芯片

[实用新型]一种氮化铝与氮化镓复合衬底-CN202222170608.1有效
发明人：侯想;刘熠新;钟梦洁;王瑞敏;熊彩浩;蔡琦;林赛 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及复合衬底技术领域，尤其涉及一种氮化铝与氮化镓复合衬底。其主要针对现有氮化镓衬底成本高，底部形貌无法调整的问题，提出如下技术方案：基于金属有机化学气相沉积技术，所述复合衬底包括氮化镓层和氮化铝层，所述氮化镓层位于氮化铝层的上方，且所述氮化铝层和氮化镓层为异形结构。本实用新型在具备同等使用性能的同时具有制备成本低的优势，制造可行性高，同时通过调整CPSS的形貌，可调整复合衬底底部的形貌，使最终做出的半导体器件具有不同的性能，具有广泛的应用前景，主要应用于半导体生产领域。
一种氮化复合衬底

[发明专利]一种蓝宝石复合衬底及其制备方法-CN202110355356.7有效
发明人：侯想;刘杨;钟梦洁;林赛;陈锋;罗荣煌;卢文瑞 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种蓝宝石复合衬底的制备方法，包括如下步骤，在蓝宝石衬底上生成一层AlN薄膜，利用化学气相沉积法在AlN层上沉积一层SiO2层，利用光阻剂及纳米压印设备进行图形转移，在SiO2层上形成光刻胶孔洞，再进行干法蚀刻，使得光刻胶孔洞进一步蚀刻为图形化孔洞，所述图形化孔洞贯穿SiO2层，所述图形化孔洞为上截面面积大于下截面的漏斗形。本方案采用沉积一层AlN层，再化学气相沉积法在AlN层上沉积一层SiO2层，通过蚀刻获得SiO2层上的图形化孔洞的做法，能够提升衬底对于光线的全反射效果，进而提升LED的发光亮度。
一种蓝宝石复合衬底及其制备方法

[发明专利]一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法-CN202210989870.0在审
发明人：侯想;刘熠新;钟梦洁;蔡琦;熊彩浩;卢文瑞 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法。其主要针对目前主流工艺是在蓝宝石上生长氮化镓薄膜，但是由于蓝宝石与氮化镓存在着较大的晶格失配，导致在蓝宝石上生长出的氮化镓外延层质量较差，严重影响半导体器件的性能的问题；提出如下技术方案：通过减薄光刻胶、在光刻胶和二氧化硅蓝宝石复合衬底上制作一层氮化铝薄膜，再去掉光刻胶，此时氮化铝薄膜一部分覆盖在二氧化硅蓝宝石复合衬底的二氧化硅上，原先覆盖在光刻胶上的氮化铝薄膜悬空。随后在氮化铝薄膜上生长氮化镓外延层，再使用BOE将衬底上部的二氧化硅层去除，最终将外延层与衬底剥离。本发明通过使用在二氧化硅蓝宝石复合衬底上上生长氮化铝层，再将二氧化硅去除的剥离方法，大大降低了剥离成本，降低了氮化镓衬底的价格，扩展了氮化镓外延层的应用领域，具有非常好的可行性和应用价值。
一种蓝宝石氮化衬底剥离方法

[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN202010416961.6有效
发明人：侯想;刘杨;钟梦洁 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，AlN薄膜属于III‑V族化合物绝缘材料，具有很多优越的物理化学性质，如高硬度、很好的III导热性、低热膨胀系数、优良的化学稳定性。AlN和GaN的晶格常数比较接近，在蓝宝石上生长AlN层，可以减少蓝宝石和GaN之间因较大的晶格失配二导致的应变。本发明既保留了蓝宝石表明的光学面，也可解决由于PSS尺寸做大引起的外延雾化及位错问题，另一方面更有利于外延GaN的生长，缩短外延生长时间。
一种图形蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法-CN202110692043.0有效
发明人：张保平;徐欢;梅洋;杨帅;应磊莹;侯想;罗荣煌;卢文瑞;陈锋;钟梦洁;刘熠新 -专利权人：厦门大学;福建中晶科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
一种氮化谐振腔发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种LED外延用条状复合衬底及其制备方法和制备装置-CN202111562079.3在审
发明人：侯想;刘熠新;陈峰;钟梦洁;林赛;罗荣煌;卢文瑞;游庆勇;许珂 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延用条状复合衬底及其制备方法和制备装置，衬底为蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上的图形呈条状，若干图形呈周期排列，且相邻的两个图形之间存在间隔；各图形的取向一致；图形底部宽度大于顶部宽度；图形的材料为Al2O3，图形侧壁覆盖有若干层SiO2层，SiO2层与蓝宝石衬底间存在间隙。本发明的复合衬底通过周期性排布的条状图形提高了LED的出光效率，并且能够控制出射光的偏振方向，使得LED的发光效率得到提升的同时获得偏振光。本发明的制备方法能够用于制备多层复合结构，增加偏振光提取效率的同时还能够控制复合结构的沉积位置，使其仅沉积在图形侧壁上，而无图形区域则没有沉积，目的是使得外延工艺无需改动。
一种 led 外延条状复合衬底及其制备方法装置

[发明专利]一种低折射率疏水性SiO2-CN202111052745.9在审
发明人：刘熠新;张飒;侯想;钟梦洁;陈峰;孔令滨;卢文瑞;罗荣煌 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底的制备方法，利用溶胶凝胶法制备SiO2溶胶，在蓝宝石衬底上旋涂溶胶后热处理使其形成低折射率疏水性SiO2薄膜，接着在其上均匀涂布一层紫外正向光刻胶，然后进行曝光和显影工艺，最后通过ICP干法刻蚀工艺得到低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底，其光输出功率和亮度均有显著提高。相较于常规SiO2‑PSS衬底和常规PSS衬底，低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底的LEE分别提高15％和45％。此外，具有很好的疏水性能，能够避免光刻胶出现脱胶现象，可省去涂胶前的增粘工艺，具有工艺简单、成本更低的优点，具有广阔的应用前景。
一种折射率疏水 sio base sub

[发明专利]一种制备纳米光栅的装置和方法-CN201710253240.6有效
发明人：侯想;仇凯弘;陈峰;欧金亮 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备纳米光栅的装置，包括安装底座和L形安装支架，且L形安装支架固定焊接在安装底座的一侧顶部，所述安装底座的底部固定焊接有支撑架，所述安装底座的顶部固定安装有电机，所述电机的输出轴连接有第二转动连接件，所述第二转动连接件远离电机的一端设有匀胶台，所述第二转动连接件与匀胶台转动连接。本发明提出的一种制备纳米光栅的装置，结构简单，设计合理，利用匀胶台完成光刻胶旋涂工序，利用电子束曝光机、中间掩膜版、聚光透镜和反射镜完成基片的曝光工作，本发明提出的装置用于制备纳米光栅，设备投资小，制备成本低，操作简单，易于控制，制备周期短，所得纳米光栅性能好、质量高，成品合格率高，值得推广。
一种制备纳米光栅装置方法

[发明专利]一种SiO2-CN201911178505.6有效
发明人：罗荣煌;侯想;刘杨;钟梦洁;仇凯弘 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO2蓝宝石复合衬底，涉及LED生产领域，其包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底上涂覆有SiO2涂层，其制备步骤如下：步骤1，SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N‑N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌3‑6h，然后静置陈化24‑36h。本方案在现有生产用蓝宝石衬底的基础上，通过采用溶胶凝胶法制备一层SiO2涂层，形成SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层有利于增加有源区中发射的光子的全反射机会，从而进一步使LED的出光效率提高，而且该涂层制备工艺简单，成本低，易与现有生产技术结合。
一种 sio base sub

[实用新型]一种多复合层图形化蓝宝石衬底-CN202022679094.3有效
发明人：侯想;刘杨;钟梦洁;卢文瑞;刘熠新;梁钢 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多复合层图形化蓝宝石衬底，包括使用AL2O3材料制成的衬底，衬底的顶部铺设有ALN材料制成的薄膜，薄膜的顶部设有多个经过黄光和刻蚀形成的圆锥体，圆锥体包括上下分层的SiO2部和ALN部，且SiO2部位于ALN部的上方；设光线在薄膜中的波长为λ，薄膜的厚度为h，那么薄膜的厚度h≥λ/4；本实用新型设置的AlN薄膜可增加光线正面出光率，进一步提高光效，并解决了蓝宝石和GaN之间因较大的晶格失配而导致的应变，提高了外延生长质量；本实用新型中的SiO2结构有利于GaN生长过程中衬底C面和图形斜面的表面势能差值的提高，能有效地阻挡穿透位错往上延伸，改善量子阱发光区的晶体质量，提升了LED的内量子效率。
一种复合图形蓝宝石衬底

[发明专利]一种多复合层图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN202011294390.X在审
发明人：侯想;刘杨;钟梦洁;卢文瑞 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多复合层图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括以下步骤：S1在AL2O3上制造ALN薄膜；S2生成SiO2层；S3复合晶圆表面光阻剂生成；S4复合晶圆表面光阻剂处理；S5干法刻蚀；S6外延层制作；S7电极制备；本发明中，多层复合结构的图形化蓝宝石衬底制备过程循序渐进，能逐步得到合适尺寸的图形结构，排布好各层的位置，其制备容易上手，且更加精确，误操作可能低，得到的结构更加稳定；本发明给出了更为新颖的结构设计、更加精细的操作要求和反应条件，相较于现有技术，多复合层结构的图形化蓝宝石衬底的适配性更好，稳定性更高，光提取效率进一步提升，并且这套制备方法能大幅度提高制备的准确性，成品率极高。
一种复合图形蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法-CN202011022463.X在审
发明人：梅洋;徐欢;张保平;应磊莹;龙浩;郑志威;罗荣煌;刘杨;钟梦洁;侯想 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
一种氮化谐振腔发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种图形化蓝宝石衬底-CN202020967823.2有效
发明人：侯想;钟梦洁;刘杨;蔡琦;李思宏 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种图形化蓝宝石衬底，包括采用蓝宝石材料且图形尺寸为底宽0.45‑9.9um、高度0.3‑10um的衬底；所述衬底为圆锥形且锥部向上，所述衬底从锥部向下依次包括覆膜段、中段、联结段，所述覆膜段的上表面贴覆有氮化铝材料制成纳米级厚度的覆膜，所述覆膜位于所述中段的上方并悬空设置呈桥梁状；所述衬底有多个且呈线性阵列分布，相邻的圆锥形的衬底与所述覆膜之间设有凹槽。本实用新型的图形化蓝宝石衬底能有效提升LED光提取效率，能减少蓝宝石和GaN之间因较大的晶格失配而导致的应变，不仅解决了GaN外延材料的外延生长雾化问题，而且使外延生长体积减小，有效缩短外延生长时间。
一种图形蓝宝石衬底

[实用新型]一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构-CN201922072533.1有效
发明人：侯想;谢礼增;钟梦洁;刘杨 -专利权人：福建中晶科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶片技术领域，且公开了一种改善晶片边缘涂胶均匀性的结构，包括R型、T型和光刻胶，R型与T型的边缘均与光刻胶的内边粘接。本实用新型解决了晶片在加工过程中会受到片盒或机械等工具的撞击，边缘应力集中容易破裂，晶片在后续元器件的制造过程中会有迅速加热或冷却的过程，这个过程中有非常许多热周期，在某些区域就会产生热应力，一旦热应力超过晶体的弹性强度，就会产生位错，而晶片的边缘正是热应力易于集中的区域，在晶片光阻液涂布过程中，表面张力会使光阻液在晶片边缘产生堆积现象；外延生长过程中锐角区域的生长速率会比平面高，使用未经倒角的晶片容易在边缘区域产生突起的问题。
一种改善晶片边缘涂胶均匀结构

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