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[发明专利]基于FePt材料的磁化翻转器件、无外磁场翻转方法及应用-CN202110695410.2有效
发明人：游龙;李若凡;郭喆;张帅 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FePt材料的磁化翻转器件、无外磁场翻转方法及应用，属于自旋电子器件领域，磁化翻转器件包括单晶衬底和生长于单晶衬底上的FePt层，用于实现电流驱动磁化翻转；或者，从下至上依次包括：单晶衬底、FePt层以及一层或多层复合翻转层，用于实现无外磁场翻转；FePt层为L10相的单层FePt薄膜，用于在电流诱导下发生部分磁化翻转；复合翻转层从下至上依次包括：隔离层和诱导层；诱导层用于提供平面方向的杂散场或铁磁交换耦合，以打破系统对称性，实现无外磁场下的确定性磁矩翻转；隔离层用于防止FePt层与诱导层之间发生原子渗透。本发明能够简化基于SOT效应的磁化翻转器件的结构和制备工艺，并提高器件的垂直磁各向异性和热稳定性。
基于 fept 材料磁化翻转器件磁场方法应用

[发明专利]一种GaAs基霍尔器件及其制作方法-CN202211278733.2在审
发明人：黄治浩;魏鸿基;何先良;胡中文 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs基霍尔器件，其外延结构由下至上包括衬底、缓冲层、功能层、第一掺杂帽层和第二掺杂帽层，第二掺杂帽层开设有开口，开口内设有与第一掺杂帽层形成欧姆接触的金属电极；其中第一掺杂帽层与功能层具有相同掺杂类型，且第一掺杂帽层的掺杂浓度高于功能层，第二掺杂帽层与第一掺杂帽层的掺杂类型相反。本发明还提供了其制作方法。本发明减小了接触势垒对霍尔电压及敏感度影响，并且减小了自由载流子对hall器件敏感度的影响。
一种 gaas 霍尔器件及其制作方法

[发明专利]一种磁性随机存储器及其制备方法-CN201910585767.8有效
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明一种磁性随机存储器，包括由自旋轨道矩底电极、磁性隧道结多层膜和顶电极依次向上叠加的顶部钉扎结构，以构成垂直型磁性随机存储器；还包括提供SOT写入信号的第一端口、接入SL/BL信号的第二端口和提供STT写入信号和MRAM读取信号的第三端口，第一端口和第二端口分别接在自旋轨道矩底电极的底部两端，第三端口接在顶电极的顶端。磁性随机储存器及其制备方法，通过材料成分的遴选，制作工艺和材料结构优化，来增强自旋霍尔效应和/或界面拉什巴效应，同时，优化自旋霍尔角和SOT‑BE的电导率，以获得最佳的写操作速度和功耗。
一种磁性随机存储器及其制备方法

[发明专利]集成磁通门装置-CN202211655171.9在审
发明人： M·M·艾莎;M·R·基米奇;S·拉文库尔;S·切瓦恰罗恩库尔;M·L·詹森 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本申请公开了集成磁通门装置。一种集成电路，具有衬底、具有在所述衬底上产生的有源区的晶体管的电路、芯结构、第一封装层、第二封装层和氧化物层。芯结构形成在上述电路上方。第一封装层覆盖芯结构，并且具有第一热膨胀系数。第二封装层覆盖芯结构上面的第一封装层，并且具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。氧化物层形成在第二封装层上方。氧化物层包括足以减轻第一封装层和第二封装层之间热应力的氧化物厚度。
集成磁通门装置

[发明专利]磁性随机存储器及装置-CN202110873391.8在审
发明人：赵巍胜;蔡文龙 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器及装置，所述磁性随机存储器包括：种子层，具有第一晶向；自旋轨道矩配线层，设于所述种子层上，所述自旋轨道矩配线层的晶格结构受到所述种子层的作用而具有第二晶向，当向自旋轨道矩配线层输入自旋轨道矩电流时，所述自旋轨道矩配线层形成面外方向的类阻尼矩；磁隧道结，设于所述自旋轨道矩配线层上，本发明可使自旋轨道矩配线层具有面外方向类阻尼矩的自旋轨道矩，且具有较大的电流‑自旋流转化效率(自旋霍尔角)既能提高翻转效率，也能够在翻转垂直磁各向异性磁矩时避免额外打破对称性的外加磁场。
磁性随机存储器装置

[发明专利]非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法-CN202010222541.4有效
发明人：范林杰;毕津顺;徐彦楠;习凯;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失霍尔传感器及其制造方法、测试方法，所述非易失霍尔传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源区、漏区以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；设置在所述沟道区上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的阻变材料层，所述阻变材料层的材料和所述第一绝缘层的材料不同；设置在所述阻变材料层上的第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料和所述阻变材料层的材料不同；设置在所述第二绝缘层上的栅极。本发明提供的非易失霍尔传感器，可以存储霍尔电压信号，不需要额外的电路检测、分析和存储霍尔电压信号。
非易失霍尔传感器及其制造方法测试

[发明专利]集成磁通门装置-CN201780007437.X有效
发明人： M·M·艾莎;M·R·基米奇;S·拉文库尔;S·切瓦恰罗恩库尔;M·L·詹森 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：一种集成电路，具有衬底、具有在所述衬底上产生的有源区的晶体管的电路、芯结构、第一封装层、第二封装层和氧化物层。芯结构形成在上述电路上方。第一封装层覆盖芯结构，并且具有第一热膨胀系数。第二封装层覆盖芯结构上面的第一封装层，并且具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。氧化物层形成在第二封装层上方。氧化物层包括足以减轻第一封装层和第二封装层之间热应力的氧化物厚度。
集成磁通门装置

[发明专利]自旋轨道力矩型器件及磁存储器-CN202110853785.7在审
发明人：赵旭鹏;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种自旋轨道力矩型器件及磁存储器，该自旋轨道力矩型器件包括基片、面内易磁化层、垂直易磁化层和重金属层。其中，面内易磁化层和垂直易磁化层之间存在铁磁交换耦合作用，使得面内易磁化层和垂直易磁化层形成的整体具有倾斜的垂直磁各向异性。重金属层具有强自旋轨道耦合作用，能够通过自旋霍尔效应产生垂直方向上的纯自旋流并诱导垂直易磁化层发生磁化翻转。在不依赖外加磁场的条件下，自旋轨道力矩型器件可以实现全电学调控的定向磁化翻转，具有结构简单、低功耗和高可靠性等优点。
自旋轨道力矩器件磁存储器

[发明专利]一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法-CN202211194858.7在审
发明人：刘波;迟克群;金立川;唐晓莉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法，涉及磁电阻传感器技术领域，目的是实现高集成度且可以同时实现测量物体在面内的角度或位置以及物体在空间的角度或位置的传感器，包括基底、AHE薄膜材料层、AMR薄膜材料层和缓冲层；AHE薄膜材料层为霍尔条形状，AMR薄膜材料层为惠斯通电桥形状；AHE薄膜材料层和AMR薄膜材料层自下而上依次形成于基底上，AMR薄膜材料层的底部和顶部均设置有缓冲层；AHE薄膜材料层和所述AMR薄膜材料层均设置有金属电极；本发明具有集成度高、测量内容多样化和成本低的优点。
一种集成磁电传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于电场调控的氢离子迁移提高自旋轨道矩的方法-CN202211275091.0在审
发明人：崔彬;胡季帆;褚瑞月 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高重金属层的自旋轨道矩的方法。其由铁磁层和重金属层构成，铁磁层和重金属层相互接触。通过氢离子在正负门电压下的迁移，可实现对重金属层的自旋轨道矩的可逆非易失的调控。同时，还提供了一种霍尔器件，包括基片、所述薄膜构成、栅极、侧电极和门电极。运用紫外曝光技术、氩离子刻蚀技术和磁控溅射技术等即可制备得到。该霍尔器件中含有易被氢离子吸附的重金属层，可通过门电压调节重金属层表面的氢离子覆盖率，从而达到调节重金属层的自旋轨道矩的作用。栅极为掺水的离子液体，介电性好，器件制备工艺简单，可重复性好。可用于信息存储。
一种基于电场调控氢离子迁移提高自旋轨道方法

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