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[发明专利]一种人工合成反铁磁斯格明子检验的方法-CN202211049322.6在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种人工合成反铁磁斯格明子检验的方法，包括：诱导人工合成反铁磁多层膜内产生磁斯格明子；施加从第一磁场变化到第二磁场，获取所述磁斯格明子与围绕所述磁斯格明子四周区域在显微镜下的成像图像；根据成像图像，确定所述磁斯格明子与围绕所述磁斯格明子四周区域是否存在衬度差，如果是，则所述磁斯格明子是人工合成反铁磁斯格明子，该方法简单易操作，也很容易判定是否为人工合成反铁磁斯格明子。
一种人工合成反铁磁斯格明子检验方法

[发明专利]一种驱动磁性斯格明子运动的方法-CN201810858468.2在审
发明人：杨文瑞;杨欢欢;曹云珊;严鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动磁性斯格明子运动的方法，本发明通过对铁磁薄膜或者反铁磁薄膜上斯格明子施加线性拉盖尔‑高斯型涡旋光场，光轨道角动量转移进而实现斯格明子的输运。相较现阶段电流驱动斯格明子的方式而言，此方式可以使斯格明子翻越大尺度的缺陷从而避免被缺陷捕获，同时不会破坏磁结构，有效地避免了斯格明子霍尔效应，具有速度快、操作方法简单的特点，而相比于铁磁薄膜，反铁磁薄膜上斯格明子的运动速度更快
斯格反铁磁薄膜铁磁薄膜驱动存储器件电流驱动霍尔效应缺陷捕获数据传输磁结构大尺度光轨道角动量有效地高斯光场拉盖输运涡旋施加

[发明专利]一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法-CN202210758173.4在审
发明人：周艳;赵月雷;杨晟;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G11B5/70 文献下载
摘要：本发明涉及一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法，包括以下步骤S1、提供反铁磁薄膜；S2、基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子；S3、基于多个方波脉冲电流，所述若干个磁斯格明子在马格努斯力作用下靠向所述边界磁畴方向运动，所述边界磁畴对所述若干个磁斯格明子产生排斥力；S4、所述马格努斯力与所述排斥力处于平衡状态，所述若干个磁斯格明子沿着电流方向运动。本发明采用边界磁畴来保护磁斯格明子所携带的信息。
一种边界保护反铁磁薄膜中磁斯格明子方法

[发明专利]一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法-CN202210296254.7在审
发明人：邢国忠;张昊;赵雪峰;刘龙;王迪;林淮;王紫崴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种斯格明子晶体管及斯格明子晶体管控制方法，该晶体管包括：铁磁纳米管；分别环绕设置在铁磁纳米管的两端的写入磁性隧道结和读取磁性隧道结；铁电环，环绕设置在铁磁纳米管的外侧，且位于写入磁性隧道结和读取磁性隧道结之间，铁磁纳米管与铁电环形成铁磁/铁电异质结；其中，第一电流沿垂直方向注入写入磁性隧道结后，铁磁纳米管在第一电流的诱导下形成斯格明子；关闭第一电流，且铁磁纳米管通入轴向方向上的第二电流后，斯格明子在第二电流的驱动下沿轴向方向运动；在铁电环上施加控制电压，以通过调节控制电压来控制斯格明子的运动状态。上述方案，能够有效提高斯格明子的移动速度，实现晶体管信号传递的大幅度提高。
一种明子晶体管控制方法

[发明专利]一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法-CN202210375650.9在审
发明人：赵国平;李林霖 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H03K19/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于合成反铁磁斯格明子的逻辑门及控制方法，逻辑门赛道的材料为合成反铁磁材料，其赛道从下到上依次布置重金属层、铁磁层、垫片、铁磁层，赛道左侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的输入端A和输入端B，赛道右侧的两个磁性隧道结为合成反铁磁斯格明子的检测端C和检测端D。
一种基于合成反铁磁斯格明子逻辑控制方法

[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路-CN201910901713.8有效
发明人：赵国平;梁雪;赵莉 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，以十字型反铁磁赛道为基本单元，整个赛道均为同种反铁磁材料。输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生反铁磁斯格明子，并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子。其中，磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。本发明以斯格明子的存在与否分别代表二进制数据的“1”和“0”，充分结合斯格明子受拓扑保护作用的特点，以及反铁磁材料对外磁场不敏感的特性，使得本发明具有较强的稳定性和抗磁干扰能力。
一种基于反铁磁斯格明子新型逻辑门电路

[发明专利]一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法-CN201910511022.7有效
发明人：宋敏;段威;游龙;罗时江;顾豪爽 -专利权人：湖北大学;华中科技大学
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明属于数字电路技术领域，公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法，基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构，铁磁层中预置磁性斯格明子，使能端E上不施加电压E＝0时，通过对输入端D施加电压，控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置，在使能端E上施加电压E＝1时，磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化；在本发明中，由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积，有利于简化电路设计，可用于更高密度的时序逻辑电路；本发明磁存储具有非易失性，大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
一种基于磁性明子锁存器触发器控制方法

[发明专利]一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法-CN202010341435.8在审
发明人：马付胜;马莽原 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁性斯格明子的忆阻器及其阻值调控方法，忆阻器由下至上依次包括衬底、第一铁磁层和第二铁磁阵列层，第二铁磁阵列层包括阵列排布的多个第二铁磁单元，第二铁磁单元包括中间层和位于中间层上的第二铁磁层，中间层和第二铁磁层为直径相同的圆柱体结构，中间层为第一铁磁层和第二铁磁层提供反铁磁耦合。通过施加外磁场对忆阻器内斯格明子尺寸进行调控，斯格明子的尺寸会随着外磁场的增大或减小而逐渐变大或逐渐变小，斯格明子尺寸的变化会直接引起忆阻器内磁矩分布的变化，从而引起忆阻器电阻的变化。
一种基于磁性明子忆阻器及其阻值调控方法

[发明专利]磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统-CN202110591843.3在审
发明人：侯志鹏;卫智健;王亚栋 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性斯格明子的写入方法、信息存储器件及读取系统，一种磁性斯格明子的写入方法，包括：根据待存储数据确定待写入的磁性斯格明子的目标数量，所述目标数量与待存储数据相对应；对拓扑磁结构施加目标电压以使所述拓扑磁结构产生目标数量的所述磁性斯格明子，所述目标电压与所述目标数量相对应；其中，所述拓扑磁结构包括：铁电衬底层；电压驱动单元，与所述铁电衬底层连接，用于对所述铁电衬底层施加电压；磁性层，设置于所述铁电衬底层上，用于响应于所述目标电压调控产生目标数量的所述磁性斯格明子本发明通过调控其在单个拓扑磁结构上数量的变化，能实现更复杂的编码，将极大提高信息存储的密度和效率。
磁性明子写入方法信息存储器件读取系统

[发明专利]一种基于磁性斯格明子的逻辑门-CN201810290782.5有效
发明人：杨欢欢;汪晨;王小凡;曹云姗;严鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H03K19/19 文献下载
摘要：一种基于磁性斯格明子的逻辑门，属于磁性器件技术领域。利用极性相反的磁性斯格明子表示逻辑1和0，改善了信息丢失和误读的问题；仅通过改变电压控制磁各向异性区域门的电压源连接端口就可以实现与非门和或非门的转换，极大地优化了制作工艺；本发明利用扭曲磁性斯格明子能沿着反铁磁边界运动，两个扭曲磁性斯格明子能够融合为一个扭曲磁性斯格明子或传统的磁性斯格明子，以及在电流的驱动下，拓扑荷为+1或‑1的磁性斯格明子能够和扭曲磁性斯格明子相互转换的特性，实现了基于磁性斯格明子的逻辑运算；利用磁性斯格明子在反铁磁耦合边界极性翻转的原理实现逻辑非门
斯格逻辑门扭曲磁各向异性电压源连接反铁磁耦合运算速度快边界运动磁性器件电压控制极性翻转极性相反逻辑非门逻辑运算信息丢失原理实现制作工艺传统的反铁磁或非门体积小与非门转换功耗拓扑误读驱动融合优化

[发明专利]一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法-CN202010766281.7在审
发明人：郁国良;徐晓飞;施胜宾;年迪青;崔淑婷;邱阳;杨浛;朱明敏;周浩淼 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续可控斯格明子移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成；铁磁薄膜条带，设置于压电层上；底电极，以栅极形式设置于压电层下与铁磁薄膜条带对应的位置，连接电压源。工作时，与铁磁薄膜条带紧密贴合的压电层因施加电压而产生应变梯度，通过应变梯度完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎。本发明的实质性效果包括：放弃了传统驱动方式的电流驱动，通过将压电材料和磁致伸缩材料结合，利用电场就可以完成斯格明子信号的稳定移动和准确钉扎，克服了存储单元体积增加、存储器件功耗增加和边界淹没等缺点，并可以将斯格明子信号准确钉扎在信号读取器处
一种连续可控明子移动器件方法

[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201910496288.9在审
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
反铁磁隧穿绝缘层纳米盘斯格微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[实用新型]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201920860939.3有效
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本实用新型提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
隧穿绝缘层反铁磁纳米盘斯格本实用新型微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[发明专利]一种基于激光列阵的斯格明子自旋存储器及其写入方法-CN202310290069.1在审
发明人：王璇;李梦达;李博 -专利权人：兰州理工大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种基于激光列阵的斯格明子自旋存储器及其写入方法，涉及非易失性存储领域，数据存储结构、激光写入结构以及数据驱动结构；数据存储结构，包括赛道结构；赛道结构包括上下分布的铁磁层以及重金属层；激光写入结构，用于根据写入信息在铁磁层上激发斯格明子；数据驱动结构，包括赛道加热结构，用于对铁磁层加热，以使斯格明子基于自身的驱热性在赛道结构上发生位置偏移。本发明采用激光激发的斯格明子可达到以纳米为单位的尺寸，相较于目前磁性存储的微米级磁性颗粒信息单元，大大增加了数据的存储量；并且本发明通过激光激发的斯格明子无需供电维持，避免了因发生断电导致的数据丢失的情况
一种基于激光列阵明子自旋存储器及其写入方法

[发明专利]一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器-CN202110540745.7有效
发明人：张雪峰;陈文潮;胡成龙;刘先国 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米自旋电子器件领域，针对铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低的问题，提供一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器，微波振荡器为柱状多层膜结构，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层，设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述自由层为承载斯格明子的铁磁纳米盘，磁矩方向与多层纳米磁盘所在平面垂直。本发明以斯格明子的手性转换及呼吸模式输出振荡信号，振荡信号到达几十GHz；运算器以能发生手性转换的斯格明子为基础，极大地缩小了器件的尺寸，提高了输出频率；输出频率可通过调控电流密度或自由层的材料参数进行调节
一种基于铁磁斯格明子手性转换微波振荡器

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