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[发明专利]单行载流子探测器及其制备方法-CN202110754203.X有效
发明人：邵翰骁;徐云;宋国峰;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开提供一种单行载流子探测器及其制备方法，单行载流子探测器，包括：公共N接触层(3)；纳米线阵列，包括多个纳米线(0)，多个纳米线(0)非接触地并列排布在公共N接触层(3)上，纳米线阵列用于吸收光以产生载流子。本公开的单行载流子探测器相对于传统的薄膜型单行载流子探测器，大大降低了结电容面积，在较短的吸收层厚度下，可以拥有非常高的光学吸收，因而同时拥有高的响应度以及与渡越时间相关的3‑dB带宽，可以满足新一代自由空间光通信系统的要求。
单行载流子探测器及其制备方法

[实用新型]一种叠层太阳能电池和电池组件-CN202123337375.1有效
发明人：孙越;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种叠层太阳能电池和电池组件。叠层太阳能电池包括叠层设置的钙钛矿电池和晶硅电池，晶硅电池的硅衬底由硅棒切割而成，硅衬底的形状与硅棒的截面的形状相同，硅衬底的尺寸与硅棒的截面的尺寸相同。如此，无需将硅棒的边缘切割去掉，可以提高硅棒的利用率，节约原料，降低成本。
一种太阳能电池电池组件

[发明专利]一种P型硅背接触电池和制备方法-CN202210580755.8在审
发明人：王树林;曹建伟 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种P型硅背接触电池和制备方法，属于硅片电池制备技术领域，电池包括：Si衬底，所述Si衬底具体为P型Si衬底；所述Si衬底的反面间隔设置有若干段磷扩散层，且相邻段的磷扩散层之间留设有一空白区；第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层设置有若干段，若干段第一掺杂硅层逐一设置在若干段的磷扩散层上；且所述第一掺杂硅层上方的磷扩散层和Si衬底形成一PN结；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层设置有若干段，若干段第二掺杂硅层设置在若干个空白区内；以及电极，所述电极设置有若干个，且若干个电极分别电性连接在第一掺杂硅层和第二掺杂硅层上；达到提高P型背接触电池转换效率的技术效果。
一种型硅背接触电池制备方法

[发明专利]一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法-CN202210441468.9在审
发明人：周小伟;唐发权;冯宸宇;陈超;张晨;杨雪;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法，包括：衬底、n型氧化镓层、n型欧姆电极、i型氧化镓层、p‑AlGaN/h‑BN超晶格层、p型氮化镓层和p型欧姆电极；n型氧化镓层位于衬底上；i型氧化镓层和n型欧姆电极均位于n型氧化镓层上，i型氧化镓层和n型欧姆电极之间间隔设置；p‑AlGaN/h‑BN超晶格层位于i型氧化镓层上，p型氮化镓层位于p‑AlGaN/h‑BN超晶格层上；p型欧姆电极位于p型氮化镓层上。本发明的P型超晶格层能够有效地提供空穴，高掺杂的p型GaN层可以与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升。
一种 pin 结构日盲型紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种光电器件及其制备方法、光电探测器-CN202010529277.9有效
发明人：李凡;陈江博;梁魁;张硕;孟凡理;李达 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。
一种光电器件及其制备方法探测器

[发明专利]硫化铟薄膜及其制备方法、基于硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010736936.6有效
发明人：陈建林;黄才友;邱炜;何建军;李微;彭卓寅;任延杰;陈荐 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了硫化铟薄膜及其制备方法，基于该硫化铟薄膜的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该硫化铟薄膜的制备方法包括：将巯基乙酸、乙二醇甲醚和铟的可溶性盐混合，进行搅拌，得硫化铟前驱溶液；然后升温至80～120℃，并进行冷凝回流，得到硫化铟溶胶，将硫化铟溶胶涂覆在导电玻璃上，即得致密无针孔的硫化铟薄膜。本发明的方法具有制备温度低、生产效率高、薄膜形貌和厚度可控等优点，且得到的硫化铟薄膜质量好、致密无针孔、电子迁移率高、稳定性好，采用该薄膜制备的太阳能电池输出性能更优。
硫化薄膜及其制备方法基于无机钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统-CN202210608854.2在审
发明人：杨新强;黎景宇;邱开富;俞江峰;王蕾;任才博;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统。太阳能叠层电池包括晶硅电池、多个薄膜电池和载流子梯度传输层，多个薄膜电池间隔地设于晶硅电池上，载流子梯度传输层设于晶硅电池与薄膜电池之间。如此，由于在晶硅电池和薄膜电池之间设有载流子梯度传输层，故可以实现载流子的定向传输，减少太阳能叠层电池的复合，提升转化效率。
一种太阳能电池组件系统

[发明专利]一种光栅复合型单光子雪崩二极管及其制作方法-CN202210714238.5在审
发明人：金湘亮;杨健;汪洋 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅复合型单光子雪崩二极管，包括衬底P‑Sub区；衬底P‑Sub区上设有NBL区；NBL区上设有圆形DN‑Well区；圆形DN‑Well区中间设有N‑Well区，圆形DN‑Well区上表面从外到内依次设有环形N+注入区、第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区，所述第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区引出用作阳极；环形N+注入区引出用作阴极。本发明实现了光栅器件与单光子雪崩二极管的复合，极大地扩展了器件的光谱响应范围。
一种光栅复合型光子雪崩二极管及其制作方法

[实用新型]收光二极管-CN202221376755.8有效
发明人：陈世纲;陈新峵 -专利权人：鼎元光电科技股份有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种收光二极管，包括：半导体本体、第一电极、第二电极、抗反射层及绝缘层。半导体本体具有一衬底层及一磊晶层。磊晶层具有第一掺杂区域、第二掺杂区域及第三区域。抗反射层设于该半导体本体的顶侧表面用以接收一入射光。衬底层设置于抗反射层下方并接收通过抗反射层的入射光。衬底层掺杂有第三杂质并设置成能过滤吸收通过抗反射层的入射光中波长小于红外光波段的部分，而让该入射光中的红外光波段通过衬底层。
二极管

[发明专利]全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器-CN202110234815.6有效
发明人：王俊;崔乃迪;郭进;冯俊波;胡洋;谢峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所;联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器，涉及硅基光电子器件技术领域。本发明中沿第一方向依次堆叠的金属电极、硅氧化上包层、波导层和硅氧化下包层；所述波导层包括锗吸收层和薄硅层，所述锗吸收层位于所述薄硅层和硅氧化上包层之间；所述锗吸收层下方的薄硅层设有多结型掺杂区结构；所述硅氧化上包层包括通孔结构，所述通孔结构连接所述金属电极和所述薄硅层。实现在不增加工艺难度的情况下，同时抑制暗电流、提高探测器响应度、并大范围的提高探测器带宽，即极大地提高了探测器的综合性能。
掺杂电场增强型锗光波导探测器

[发明专利]嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器-CN202010822697.6有效
发明人：杜鹏 -专利权人：湖南科莱特光电有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入量子线的超晶格材料及其制备方法、红外波段发光材料和探测器。嵌入量子线的超晶格材料包括层叠设置的至少一个InAs/GaSb层和至少一个单一物质层；InAs/GaSb层包括InAs部分和GaSb部分，单一物质层包括InAs或GaSb；InAs部分和GaSb部分交替排列且沿其排列方向的宽度不同。嵌入量子线的超晶格材料的制备方法：按照结构依次在衬底上生长InAs/GaSb层和单一物质层。红外波段发光材料，包括嵌入量子线的超晶格材料。探测器，包括红外波段发光材料。本申请提供的嵌入量子线的超晶格材料，将量子线引入II型超晶格中形成线‑超晶格复合结构，可提高器件工作温度，提升材料光电性能。
嵌入量子晶格材料及其制备方法红外波段发光探测器

[实用新型]光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器-CN202220226768.0有效
发明人：李德香;何雯瑾;邓功荣;陈冬琼;吴宇;杨玲;种苏然;宋欣波;龚晓霞;袁俊;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。采用所述材料的光伏型InAsSb长波红外探测器比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。
光伏型 inassb 长波红外探测器材料

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN202010698523.3有效
发明人：张俊兵;刘淑华;尹海鹏 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，解决了现有技术中太阳能电池的漏电流较高，导致电池的良率较低等问题。本发明提供了一种太阳能电池，包括硅基体，所述硅基体的正面包括第一表面，所述第一表面包括掺杂区域和未掺杂区域，所述未掺杂区域分布在掺杂区域的四周边缘区域，所述未掺杂区域的宽度不超过2mm，所述掺杂区域的上表面设置有掺杂层。本发明的太阳能电池的漏电流低。
一种太阳能电池及其制备方法

[实用新型]太阳能电池-CN202220050791.9有效
发明人：朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池，属于光学技术领域。该太阳能电池包括超表面、二维材料层、正极、负极和衬底；其中，所述超表面包括阵列排布的纳米结构，且所述纳米结构为P型半导体；所述二维材料层包括具有直接带隙的N型二维半导体材料；所述正极、所述超表面、所述二维材料层和所述负极依次连接并设置于所述衬底的同一侧；其中，所述超表面位于所述二维材料层的上方，且所述超表面和所述二维材料层至少部分重叠，形成PN结。该太阳能电池利用超表面和二维材料层的共同作用，增加了太阳能的光能利用率，提升了太阳能的吸光效率。
太阳能电池

[发明专利]硅基探测器及其制作方法-CN202210338297.7在审
发明人：孙朋;傅剑宇;许高博;丁明正;殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率；此外缩短了注入区边缘位置硅氧界面处到第二电极层的距离，使该硅氧界面位置处固定电荷的电力线能部分终止于第二电极层处；提高了器件在受到X射线辐照总剂量效应下的击穿电压，降低器件的暗电流，使得硅基探测器具有较高的可靠性。
探测器及其制作方法