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[实用新型]一种p-BN/i-Ga2-CN202220988730.7有效
发明人： 唐发权;周小伟;冯宸宇;陈超;张晨;杨雪;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器，包括：衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极；n型Ga2O3层位于衬底上；i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上，i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置；p型BN层位于i型Ga2O3层上；p型欧姆电极位于p型BN层上；其中，p型BN层采用纤锌矿型氮化硼材料，且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层，使得p型掺杂激活能只有31meV，可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度，使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下，由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。
一种 bn ga base sub

[发明专利]一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法-CN202210441468.9在审
发明人：周小伟;唐发权;冯宸宇;陈超;张晨;杨雪;李培咸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种pin结构的日盲型紫外探测器及其制备方法，包括：衬底、n型氧化镓层、n型欧姆电极、i型氧化镓层、p‑AlGaN/h‑BN超晶格层、p型氮化镓层和p型欧姆电极；n型氧化镓层位于衬底上；i型氧化镓层和n型欧姆电极均位于n型氧化镓层上，i型氧化镓层和n型欧姆电极之间间隔设置；p‑AlGaN/h‑BN超晶格层位于i型氧化镓层上，p型氮化镓层位于p‑AlGaN/h‑BN超晶格层上；p型欧姆电极位于p型氮化镓层上。本发明的P型超晶格层能够有效地提供空穴，高掺杂的p型GaN层可以与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间变短、量子效率以及光谱响应度提升。
一种 pin 结构日盲型紫外探测器及其制备方法