“H01L31/0352”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果1356个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器-CN202210340026.5在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;谭鑫广;赵雪薇;孔真真 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请提供了一种量子阱光探测器的制作方法以及量子阱光探测器，该方法包括：提供受体基底，受体基底包括依次叠置的第一衬底层、第一Ge缓冲层、GexSi1‑x/Ge多量子阱层、P型Ge层以及交替设置硅化物材料层和第一Al2O3层的谐振腔结构；提供供体基底，供体基底包括依次叠置的第二衬底层以及第二Al2O3层；键合受体基底与供体基底；去除第一衬底层；在第一Ge缓冲层中注入离子形成N型Ge层。该方法中，通过设置谐振腔结构，有利于在器件内部形成光学谐振腔，增强其光学谐振腔效应，进而解决了现有技术中Ge材料光探测器对短波红外的响应度低的问题。
量子探测器制作方法以及

[发明专利]台面结构芯片的非接触式光刻方法-CN202210289083.5在审
发明人：张轶;刘世光 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种台面结构芯片的非接触式光刻方法。台面结构芯片的非接触式光刻方法，包括：在芯片的任意两个台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构。遮挡结构的上表面与台面结构的上表面平齐。对设置有遮挡结构的芯片进行非接触式光刻工艺。采用本发明，通过将台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构，可以使得光刻机自动对焦时能够将曝光焦面固定的定位于台面结构的上表面，解决非接触式光刻过程中曝光焦面定位不准确所造成的曝光质量差的问题，实现台面结构芯片的高质量非接触光刻。
台面结构芯片接触光刻方法

[发明专利]石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件-CN202110746535.3有效
发明人：贺园园;程娜;赵健伟 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/双层碲烯/硼烯范德华异质结光电二极管器件，由单层石墨烯、双层碲烯和单层硼烯构成；沿水平方向D，双层碲烯自左至右由m1段、m2段和m3段组成，单层硼烯自左至右由n1段、n2段和n3段组成；单层石墨烯和m1段构成左电极区，m2段、m3段、n1段和n2段构成中心散射区，n3段构成右电极区；单层石墨烯沿水平方向D垂直堆叠在m1段上形成石墨烯/双层碲烯范德华异质结；m3段沿水平方向D垂直堆叠在n1段上形成双层碲烯/硼烯范德华异质结。本发明利用双层碲烯的晶格取向和水平施加电场的方向调控左电极与中心散射区间的横向肖特基势垒，增强光电二极管的整流效应，得到简易、高效的兼具高光探测率和高光响应度的异质结光电二极管。
石墨双层硼烯范德华异质结光电二极管器件

[实用新型]一种太阳能电池和电池组件-CN202122965599.0有效
发明人：邱开富;林文杰;许文理;王永谦;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池和电池组件，太阳能电池包括硅衬底、依次设于硅衬底的正面的第一掺杂区和第一导电层、依次设于硅衬底的背面的背面钝化接触结构和第二导电层；第一掺杂区的数量为多个，多个第一掺杂区相互间隔，第一掺杂区的掺杂极性与硅衬底的极性相同，第一导电层与第一掺杂区电接触，第二导电层与背面钝化接触结构电接触。如此，由于与硅衬底极性相同的第一掺杂区采用局域设计，多数载流子可通过硅衬底的体区传输到第一掺杂区，故第一掺杂区无需与硅衬底整面接触，从而可以减少俄歇复合或寄生吸收。同时，这样可以使得硅衬底的体区更加充分地输运载流子。
一种太阳能电池电池组件

[发明专利]一种高效P型IBC电池及其制备方法-CN202110014368.3在审
发明人：石强;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效P型IBC电池，涉及太阳能电池技术领域。包括P型单晶硅层，P型单晶硅层的背面交替设置有正极区和负极区；P型单晶硅层的正面设置有N型单晶硅层，N型单晶硅层和P型单晶硅层相接处形成浮动结；N型单晶硅层的正面设置有钝化减反膜层；P型单晶硅层的背面设置有贯穿正极区和负极区的第一隧穿层，第一隧穿层的背面位于负极区内的部位设置有N型多晶硅层，N型多晶硅层的背面设置有第二隧穿层；第一隧穿层的背面位于正极区内的部位与第二隧穿层的背面设置有复合膜层；本发明还公开一种高效P型IBC电池的制备方法。本发明解决了P型IBC电池载流子复合多的问题，提高了电池的转换效率，降低了制造成本。
一种高效 ibc 电池及其制备方法

[发明专利]光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器-CN202210088643.0在审
发明人：李德香;何雯瑾;邓功荣;陈冬琼;吴宇;杨玲;种苏然;宋欣波;龚晓霞;袁俊;黄晖 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料、制备方法及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构，结构简单，制备难度低，n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述制备方法只需在InAs衬底上生长n型InAsSb层，再通过离子注入或扩散掺杂元素形成p型InAsSb层，即可形成pn结。所述方法简单、可行且成本低，且制备的n型InAsSb层厚度大，可有效抑制晶格失配。所述红外探测器，通过在所述材料的基础上，制备台面，然后生长钝化膜及金属电极制得，比光导型长波红外探测器具有更高的探测灵敏度。
光伏型 inassb 长波红外探测器材料制备方法

[发明专利]一种超晶格纳米线、光电探测器及其制备方法-CN202111587749.7在审
发明人：张诗豪;李绿周 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种超晶格纳米线、光电探测器及其制备方法，超晶格纳米线的制备方法包括：将硫化镉固体粉末和二氧化锡粉末进行配比、研磨并混合均匀，得到前驱体混合粉末；清洗硅衬底；将所述前驱体混合粉末置于所述管式炉的中心加热温区；在所述硅衬底上得到所述超晶格纳米线。通过制备两种材料交替构成的超晶格纳米线，并制备基于所述超晶格纳米线的光电探测器，使得在超晶格纳米线内形成内建电场，有效地将光生载流子进行分离，相较于基于一维纳米线的光电探测器，实现了具有高性能的自供偏振的光电探测性能，从而实现了较高的响应度、探测率以及偏振度，可广泛应用于光电子器件领域。
一种晶格纳米光电探测器及其制备方法

[发明专利]太阳电池及生产方法、光伏组件-CN202011569070.0在审
发明人：李华;刘继宇 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池及生产方法、光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳电池包括：硅基底、第一氮化钛层以及第二氮化钛层；第一氮化钛层具有空穴选择性，第二氮化钛层具有电子选择性；第一氮化钛层和第二氮化钛层分别位于硅基底的向光面和背光面；或分别位于硅基底的背光面的第一区域和第二区域。本申请中，第一氮化钛层和第二氮化钛层用于载流子分离，无需对硅基底进行掺杂，从而避免了掺杂技术引起的不利因素，同时，由于第一氮化钛层和第二氮化钛层的生产工艺通常小于或等于500摄氏度，温度较低，减少了杂质，从而减少了由于杂质带入的额外的复合中心，使得少数载流子的寿命较长，进而降低了太阳电池的复合速率，提高了太阳电池的效率。
太阳电池生产方法组件

[发明专利]一种提高光电转换效率的异质结电池-CN202210186569.6在审
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电转换效率的异质结电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，以及沉积于所述n型硅基底正背面的本征非晶硅；所述n型硅基底的正面自上而下依次设置有正面电极、第一TCO层、混合层以及本征非晶硅，且所述n型硅基底的背面自下而上依次设置有背面电极、第二TCO层、掺杂非晶硅以及本征非晶硅；其中，所述混合层包括第一p型掺杂非晶硅以及膜层，所述第一p型掺杂非晶硅采用镂空设计，所述膜层填充设置在所述第一p型掺杂非晶硅的镂空处，所述掺杂非晶硅为第一n型掺杂非晶硅；通过这种混合相的膜层设计，可以在保证HJT电池其它参数保持同一水平的前提下，打破HJT电池对于光生电流的上限，从而使其能够达到更高的转换效率。
一种提高光电转换效率异质结电池

[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法-CN202210320625.0有效
发明人：李宁;杨亮;王洪波;王勇 -专利权人：同源微（北京）半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种雪崩光电二极管及其制作方法，包括：第一导电类型的硅晶片；自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；形成在电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影与电荷阻挡区在硅晶片上的正投影交叠；形成在欧姆接触区上的抗反射层；形成在抗反射层中的过孔和形成在过孔中的阳极；以及形成在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上的阴极。该实施方式通过提供延伸进入硅晶片中的电荷阻挡区和形成在电荷阻挡区上的第一外延层，欧姆接触区形成在第一外延层中，降低了产品工艺难度和成本。
雪崩光电二极管及其制作方法

[发明专利]一种基于共振腔增强的位置敏感传感器-CN202011013269.5有效
发明人：李建军;张令宇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于共振腔的位置敏感传感器，属于半导体光电子领域。从上而下包括上电极、增透膜、上布拉格反射镜、谐振腔、下布拉格反射镜、N型衬底层、下公共电极。其中上布拉格反射镜由单层厚度分别为1/4谐振腔谐振波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成，下布拉格反射镜由单层厚度分别为1/4谐振腔谐振波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成。本发明通过上布拉格反射镜、谐振腔以及下布拉格反射镜形成的共振增强吸收结构，实现原材料消耗相对较少、抗干扰能力更强、响应速度更快的位置敏感传感器。
一种基于共振增强位置敏感传感器

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256626.3在审
发明人：森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]光检测装置及光检测系统-CN202210256628.2在审
发明人：森本和浩;篠原真人 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开一种光检测装置及光检测系统，在该装置中，在平面图中，第一导电类型的第一半导体区域与第三半导体区域的至少一部分重叠，第二半导体区域与第二导电类型的第四半导体区域的至少一部分重叠，第三半导体区域的关于第一导电类型的电荷的电位的高度低于第四半导体区域的电位的高度，并且第一半导体区域的电位的高度与第三半导体区域的电位的高度之间的差大于第二半导体区域的电位的高度与第四半导体区域的电位的高度之间的差。
检测装置系统

[发明专利]一种提高光电转换效率的异质结电池-CN202111620193.7有效
发明人：吴智涵;王永谦;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种提高光电转换效率的异质结电池，属于太阳能电池技术领域，包括n型硅基底，以及沉积于所述n型硅基底正背面的本征非晶硅；所述n型硅基底的正面自上而下依次设置有正面电极、第一TCO层、混合层以及本征非晶硅，且所述n型硅基底的背面自下而上依次设置有背面电极、第二TCO层、掺杂非晶硅以及本征非晶硅；通过这种混合相的膜层设计，可以在保证HJT电池其它参数保持同一水平的前提下，打破HJT电池对于光生电流的上限，从而使其能够达到更高的转换效率。
一种提高光电转换效率异质结电池

[发明专利]一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法-CN202210249010.3有效
发明人：徐培强;李俊承;林晓珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及砷化镓太阳电池技术领域，具体涉及一种带有渐变隧穿结的砷化镓太阳电池及其制作方法，该电池自下向上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、第一隧穿结、DBR、中电池、第二隧穿结、顶电池和盖帽层；第一隧穿结和第二隧穿结结构相同，均采用渐变隧穿结结构N++Alx1Gay1InP/P++Alx2Gay2As，其中x1、y1的范围为0‑0.51，x2的范围为0‑0.5，y2的范围为0.5‑1。本发明太阳电池采用渐变隧穿结结构，可提升隧穿结的隧穿能力，降低隧穿结两侧的压降，减少隧穿结的吸光能力，提升中电池的电流密度，还可改善隧穿结界面的晶体质量，提高太阳电池产品的稳定性。
一种带有渐变隧穿结砷化镓太阳电池及其制作方法