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[发明专利]半导体器件和生产用于半导体部件衬底的方法及铟在其生产中的用途-CN202180080690.4在审
发明人：乔斯·博斯克;克里斯蒂娜·弗兰克·罗斯;托马斯·斯克罗德;马丁·索恩 -专利权人：业纳光学系统有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件(300)，其具有衬底(310)和基于砷化镓铝的半导体部件(320)，其中该衬底(310)是单晶的，且该衬底(310)包括具有经验式Ga(1‑x)In(x)As的砷化铟镓固溶体，其中铟含量x在0.1％与4％之间。
半导体器件生产用于半导体部件衬底方法中的用途

[发明专利]参数设计支援装置及参数设计支援方法-CN201880041775.X有效
发明人：井上正史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的参数设计支援装置(2)具备有存储部(24)及控制部(25)。存储部(24)存储控制基板处理装置(1)的规程。控制部(25)取得至少一个多个控制因子各自的水准值。水准值表示基板处理装置(1)处理基板(11)时的条件。控制部(25)通过统计方法来生成表示所取得的水准值的组合的组合信息。控制部(25)根据存储于存储部(24)的规程与组合信息，来针对每个水准值的组合制作评估规程。控制部(25)在评估规程包含与控制因子对应的参数的情形时，设定对应的控制因子的水准值，来作为该参数的参数值。
参数设计支援装置方法

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201910129594.9有效
发明人：塙洋祐;佐佐木悠太 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置，所述基板处理方法能够一边防止形成于基板的主面的图案的倒塌，一边去除附着于基板的主面的液体。本发明的基板处理方法的特征在于，包括：供给工序S13，向基板W的图案形成面供给含有熔融状态的干燥辅助物质的处理液；凝固工序S15，使处理液在图案形成面上凝固而形成凝固体；去除工序S16，将凝固体从图案形成面去除，作为干燥辅助物质，使用满足大气压下的熔点下的熔化熵为1mJ/cm3·K以上且500mJ/cm3·K以下、以及大气压下的0℃下的升华熵为1mJ/cm3·K以上且2000mJ/cm3·K以下的至少一者的物质。
处理方法以及装置

[发明专利]晶圆清洗装置及晶圆清洗方法-CN202010420354.7有效
发明人：董鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。所述晶圆清洗装置包括：刷头，用于刷洗晶圆的待清洁表面；基座，用于承载所述刷头，所述基座中具有至少一导电盘，所述导电盘的盘面与所述待清洁表面平行，且所述基座能够围绕其轴线自转；磁场发生结构，用于向所述导电盘发射垂直于所述导电盘的盘面方向的磁场，使得在所述基座旋转的过程中于所述导电盘中产生感应电场。本发明减少甚至是避免了所述待清洁表面对外界环境中颗粒物的吸附，改善了晶圆清洗质量，提高了晶圆产品的良率。
清洗装置方法

[发明专利]斜面蚀刻轮廓控制-CN201880030307.2有效
发明人：苏宗辉;V·普拉巴卡尔;A·A·哈贾;J·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于斜面蚀刻处理的方法和设备，并且包括将衬底放置在容纳设置在所述衬底上方的掩模的处理腔室中，其中所述衬底具有边缘和中心并含有沉积的层。所述方法包括：使等离子体沿着所述掩模的外表面并向所述衬底的所述边缘流动；以及使所述边缘暴露于所述等离子体并用所述等离子体从所述边缘蚀刻所述沉积的层。所述方法还包括：使净化气体从定位在所述掩模的内表面上的两个或更多个开口并向所述衬底的所述中心流动；以及使所述衬底的所述上表面在所述中心处暴露于所述净化气体并使所述净化气体从所述中心沿着所述上表面朝向所述边缘径向地流动，以在所述等离子体和所述净化气体的界面处形成蚀刻轮廓。
斜面蚀刻轮廓控制

[发明专利]一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法-CN202310807918.6有效
发明人：王本忠;何惠彬;李翔;罗科义 -专利权人：芯众享（成都）微电子有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件刻蚀的技术领域，尤其涉及一种在半导体表面一次形成具有不同深度沟槽的方法，经过在被刻蚀材料表面的指定位置形成具有斜坡结构的第一掩膜材料和第二掩膜材料后，通过光刻工艺在第二掩膜材料上形成光刻胶层及按设计形成系列窗口；通过此系列窗口刻蚀第二掩膜材料直到暴露第一掩膜材料；选择干法刻蚀的刻蚀条件，使其对第一掩膜材料和被刻蚀材料均具有刻蚀作用，然后再进行下一步的刻蚀，至到在被刻蚀材料上形成多个具有不同深度的系列沟槽，最后去除所有的掩膜材料。本发明的方法可以通过一次光刻加干法刻蚀技术形成多个具有不同深度的系列沟槽，效率高，人力和时间成本降低。
一种半导体表面一次形成具有不同深度沟槽方法

[发明专利]具有强化的RF功率传输的陶瓷加热器-CN201780022341.0有效
发明人：林兴;周建华;刘宁利;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。
具有强化 rf 功率传输陶瓷加热器

[发明专利]用于提供均匀流动的气体的设备和方法-CN201780021446.4有效
发明人：拉维·贾勒帕里;穆罕默德·M·拉希德;利克尔·杜鲁坎 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述外分配环及具有外分配环的气体分配设备以输送气体流动至处理腔室的处理区域。外分配环包含与多个开口流体地连通的至少一个充气部而形成多个沟槽，以允许气体自充气部经由所述开口流下外分配环的内周边面。
用于提供均匀流动气体设备方法

[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202210180301.1在审
发明人：卢文胜 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆固定在旋转台上；通过所述旋转台带动半导体晶圆转动，同时，通过喷嘴向半导体晶圆的上表面喷射光刻胶，使得光刻胶均匀涂覆在半导体晶圆的上表面上；对半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行固化处理；对固化后的半导体晶圆进行切割处理；对切割后的半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行分离处理。采用本发明的技术方案能够有效防止切割过程中产生半导体损坏、崩裂和腐蚀等坏品，并且成本较低，操作简单，易于实现。
一种半导体切割方法

[发明专利]控制栅极凹槽的轮廓成型-CN202180079746.4在审
发明人： A·辛格豪尔;A·邱;S-J·金;Z·赵;蒋志钧;D·帕德希;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻速率更大的第三蚀刻速率。所述处理方法可进一步包括穿过第一半导体层蚀刻开口，其中所述开口具有高度和宽度，并且其中所述开口的特征在于所述开口的高度的中点与所述开口的端点之间的宽度变化小于或约为5埃。
控制栅极凹槽轮廓成型

[发明专利]一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法-CN202310959314.3在审
发明人：赵茂旭;刘汉保;韦华;刘建良;杨绍楠;李晓宏;孙清;牛应硕;韩家贤;赵兴凯;王顺金;杨春柳 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善磷化铟晶片表面质量的清洗方法，包括以下步骤：将抛光结束的磷化铟晶片浸于预清洗溶液中清洗；置于溢流槽中冲洗后甩干；浸于柠檬酸液中清洗；置于溢流槽中冲洗后浸泡于水中；单片浸于预清洗溶液中清洗后冲水；单片浸于稀硫酸液中清洗后冲水并甩干；单片浸于浓硫酸液中清洗；单片冲水并甩干。通过本方法处理后可以有效改善晶片表面药水、脏污、微颗粒缺陷，获得高洁净表面；可获得表面免清洗晶片，达到Epi‑ready要求；可有效解决外延中由于液体蜡残留产生的密集点缺陷和微颗粒产生的彗星状缺陷，满足晶片外延的表面需求。
一种改善磷化晶片表面质量清洗方法

[发明专利]一种去除晶圆表面Cu离子污染的工艺方法-CN202310792510.6在审
发明人：昝芳情;韩五静;王俊豪 -专利权人：安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除晶圆表面Cu离子污染的工艺方法，本发明的目的在于去除晶圆表面Cu离子污染，在作业过程中，不会对硅片造成损伤，也不会影响硅衬底内部结构。该工艺方法首先将晶圆表面膜层完全去除，然后通过药液+超声处理，使得硅衬底表面的Cu离子含量＜5E10 atoms/cm2，确保Cu离子不会进入后续的抛光工段，防止污染生产线，经过抛光及洗净后，最终的Cu离子含量能达到5E8 atoms/cm2的水平，满足客户再生要求。
一种去除表面 cu 离子污染工艺方法

[发明专利]一种用于覆铜陶瓷基板生产的瓷片清洗工艺及清洗液-CN202310682687.0在审
发明人：严星冈;邱本光;陈华星;章亚萍;韩建 -专利权人：广德东风半导体科技有限公司;广德东风电子有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于覆铜陶瓷基板生产的瓷片清洗工艺及清洗液，涉及覆铜陶瓷基板加工技术领域。本发明清洗工艺包括如下步骤：S1：瓷片除油清洗；S2：除油瓷片置于粗化液预处理；S3：预处理瓷片高温氧化；S4：瓷片依次清洗液洗、水洗、碱液洗、水洗，依次循环10‑30次，得到瓷片。本申请清洗后的瓷片应用在覆铜陶瓷基板生产中得到的覆铜陶瓷基板具有铜箔与瓷片之间的结合强度高，且温度循环可靠性高，在300℃高温环境下抗热疲劳能力强的优点。
一种用于陶瓷生产瓷片清洗工艺

[发明专利]半导体装置-CN201710919363.9有效
发明人：米仓智子 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制保护膜的残渣的产生的半导体装置。半导体装置包含半导体基板；导电膜，覆盖半导体基板的表面，且在表面具有相互平行地配置的多个凹部；以及保护膜，以在具备相对于多个凹部形成大于0°且小于90°的角度的边的开口部使导电膜部分露出的方式覆盖导电膜的表面。
半导体装置

[发明专利]一种半导体处理加工装置-CN202111581009.2有效
发明人：刘泽华 -专利权人：郯城泽华基础工程有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体处理加工装置，涉及半导体处理技术领域，包括底座、推送结构、驱动部、处理部和辅助部；所述底座安装在工作台上，且底座上通过螺栓固定连接有安装座。本发明中当处理头向下移动3cm时处理头与滚轮接触，从而在处理头的驱动下实现滚轮与叶轮的转动，进而实现半导体毛坯的风力降温，用于解决现有处理装置需要单独完成毛坯的推送热粘附和后续散热造成的处理效率低下以及处理装置结构复杂造成的在操作时需要使用多个电机以及电子控制元件从而提升造价以及维修成本的问题。
一种半导体处理加工装置