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[发明专利]具有镶嵌结构的半导体元件的制备方法-CN202211513551.9在审
发明人：潘威祯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件的制备方法。包括提供光遮罩，该光遮罩包括在遮罩基底上的不透光层，并围绕在该遮罩基底上的半透明层；形成预先处理遮罩层在元件堆叠上；使用该光遮罩图案化该预先处理遮罩层以形成图案化遮罩层，该图案化遮罩层包括对应于该不透光层的遮罩区、对应于该半透明层的沟槽区以及对应于通孔特征的该遮罩开口的通孔洞；执行镶嵌蚀刻工艺以形成通孔开口以及沟槽开口在该元件堆叠中。该元件堆叠包括第一介电层、第一蚀刻终止层以及第二介电层，第一介电层设置在基底上，第一蚀刻终止层设置在第一介电层上，第二介电层设置在第一蚀刻终止层上。镶嵌蚀刻工艺形成沟槽开口，沟槽开口在第一蚀刻终止层上具有底部。
具有镶嵌结构半导体元件制备方法

[发明专利]生长基底和用于制造光电子半导体本体的方法-CN202280009086.7在审
发明人：耶莱娜·里斯蒂克 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于外延生长基于半导体化合物材料的外延半导体层序列(5)的生长基底(1)。所述生长基底(1)包括基底(2)和缓冲层序列(3)，所述缓冲层序列(3)包括基于所述半导体化合物材料的至少一个半导体层(32)和基于二维层状材料的至少一个缓冲层(3)。此外，提供了用于制造光电子半导体本体的方法。(图2)
生长基底用于制造光电子半导体本体方法

[发明专利]装置诊断装置、半导体制造装置系统以及半导体装置制造系统-CN202280005628.3在审
发明人：松仓圣;釜地义人;玉利南菜子;鹿子岛昭;角屋诚浩 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：进行半导体处理装置(等离子处理装置)的诊断的装置诊断装置通过使用从具有基准腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，作成基准腔室特征量映射数据(D107)。此外，装置诊断装置通过使用从具有修正对象腔室的半导体装置制造装置取得的数据进行运算处理，来将特征量映射到以多个参数为轴的二维以上的图表，从而作成修正对象腔室特征量映射数据(D112)。装置诊断装置根据在基准腔室特征量映射数据和修正对象腔室特征量映射数据中出现的模式来鉴别不同的腔室间的性能差、或相同腔室的与随时间变化相伴的性能差、或相同腔室的与部件更换或部件清洗相伴的性能差。
装置诊断半导体制造系统以及

[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN202310049914.6在审
发明人：西田政哉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、计算机可读取的记录介质及衬底处理装置。提供抑制附着于处理容器内的层叠膜产生膜剥离的技术。本发明具备：(a)在处理容器内的衬底上形成由第1膜和第2膜层叠而成的层叠膜的工序，其中，前述第1膜含有氮、氧及规定元素，前述第2膜含有氮且组成与第1膜不同；和(b)进行使在(a)中附着于处理容器内的层叠膜中的第2膜的组成接近于第1膜的组成的改性处理的工序。
衬底处理方法半导体器件制造记录介质装置

[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202310049412.3在审
发明人：西田政哉;绀野光太郎;池谷谦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及计算机可读取的记录介质。本发明能够提高对形成于衬底上的膜的厚度的控制性。本发明具有：(a)在收容于处理容器内的衬底上形成第1膜的工序；和(b)重复对收容于处理容器内的衬底供给处理气体的循环，从而在衬底上形成与第1膜组成不同的第2膜的工序，其中，在处理容器内的部件的最表面附着有第2膜的第2状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行规定的m次，在处理容器内的部件的最表面附着有第1膜的第1状态下进行(b)的情况下，将循环的重复进行与m次不同的m±次，或者，在进行于处理容器内的部件的最表面形成第2膜的预涂布工序之后，将循环的重复进行m次。
衬底处理方法半导体器件制造装置记录介质

[发明专利]减薄方法-CN202311019216.8在审
发明人：高阳;沈海丽;孙志超;周旭平;徐基应;朱慧家 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种减薄方法，将不能被真空吸附台吸附的工件贴附在尺寸能够被真空吸附台吸附的吸附膜上，可以有效在工件不能被真空吸附台吸附时，通过真空吸附台吸附吸附膜从而实现工件在真空吸附台上的固定，为工件的加工提供了基础条件，在不改动设备已有结构的情况下，能够实现不同尺寸、不同形状的零件加工，使用的灵活性更好。在采用顶面具有胶层的吸附膜后，通过第一测量组件实时测得工件顶面的高度，结合事先吸附膜预先确定的吸附膜顶面基准高度来计算工件厚度，而无需在减薄过程中通过第二测量组件与吸附膜保持接触状态，改变了惯用测高方式，从而有效地保证了测量机构的安全。
方法

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810232825.4有效
发明人：大桥直史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，设置于气化器输出管、将气化器内的气氛排气；和控制部，控制第一定时阀、非活性气体供给部、第一排出部和第二排出部。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]图案化的方法-CN202110291995.1有效
发明人：陈达 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化的方法，包括：提供条纹层，其具有交替排列的多个A条与交替配置在所述A条之间的多个B条与多个C条；在条纹层上形成具有第一开口的第一掩膜层；移除外露于第一开口的A条与B条；在C条的侧壁与经蚀刻的B条的侧壁上分别形成多个第一间隙壁；在第一间隙壁的侧壁上分别形成多个第二间隙壁；在条纹层上形成具有第二开口的第二掩膜层；移除外露在第二开口的A条与C条；在B条的侧壁与第二间隙壁的侧壁上分别形成多个第三间隙壁；在第三间隙壁的侧壁上分别形成多个第四间隙壁；以及移除A条、第一间隙壁以及第三间隙壁以形成图案层。
图案方法

[发明专利]外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置-CN202010273276.2有效
发明人：辻雅之;清水昭彦;西村智和 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足B/A及C/A为0.33以下、B/A及C/A中的至少一个为0.26以下、（B+C）/A为0.59以下的条件。
外延晶片制造方法沉积装置

[发明专利]清洁装置、清洁方法以及制造半导体器件的方法-CN201710243397.0有效
发明人：金彩姈;金兑洪;吴政玟;金荣俊;金仁基;尹普彦;李晓山;韩率 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。
清洁装置方法以及制造半导体器件

[发明专利]压印装置、操作压印装置的方法和制造物品的方法-CN201780012426.0有效
发明人：松岗洋一;山本磨人;东尚史;寺岛茂;前田敏宏;米川雅见;江本圭司;中川一树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供通过在基板上的压印材料与模具接触的状态下固化压印材料来在基板(101)上形成图案的压印装置，其中，所述压印装置具有：基板卡盘(102)，其具有用于保持基板的基板保持区域；周边部件(113)，其被布置为围绕由基板卡盘保持的基板的侧面；以及控制单元，其用于控制用于通过使用包括带电单元的清洁部件(170)来清洁周边部件的区域的至少一部分的清洁过程。所述清洁过程包括用于在带电单元面向周边部件的区域的所述至少一部分的状态下使清洁部件相对于周边部件移动使得所述区域中的微粒被带电单元吸引的操作。
压印装置操作方法制造物品

[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物-CN201880014924.3有效
发明人：岸冈高广;田村护;臼井友辉;绪方裕斗 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
用于异物除去形成组合

[发明专利]液供给装置和液供给方法-CN201880078002.9有效
发明人：内藤亮一郎;林圣人;志手英男;井手裕幸;龟田洋介;户塚诚也;舞田集;佐藤尊三;荒木洋史;吉原健太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供液供给装置和液供给方法。液供给装置对处理液释放部供给处理液，该处理液释放部向被处理体释放处理液，该液供给装置包括：与处理液释放部连接的供给管路；插入于供给管路的过滤处理液以除去异物的过滤器；和控制部，其构成为能够判断向过滤器的一次侧供给的处理液的状态，并且在判断为处理液的状态不良时，输出限制向过滤器的一次侧供给该处理液的控制信号。
供给装置方法

[发明专利]一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺-CN202310672745.1在审
发明人：黎剑骑;汤安民;郭小勇;钟富强;杨文栋;唐旋 -专利权人：眉山琏升光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅电池技术领域，具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺，对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。针对在PECVD沉积非晶硅薄膜前工序，通过预处理联动整合优化，结合特定工艺参数的实施，在形成绒面前进行预清洗与吸杂，得到首次纯净的衬底硅，实现了传统工艺宏观上对衬底硅表面缺陷态的预处理，其次形成绒面后即形成金字塔绒面后再吸杂，实现微观上对硅片内部以及绒面坑洞上表面缺陷态的预处理，随后再进行去吸杂层与圆化预处理，大幅改善了衬底硅表面的纯净度，为非晶硅的沉积和钝化创造更有利的条件，从而提升了少数载流子的寿命，减少了复合损失，提高了HJT异质结电池的转换效率。
一种提升异质结电池转换效率衬底预处理工艺

[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法-CN202310751770.9在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;杨林安;卢灏;邵语嫣;陈兴;吴勇;王东;陆俊;王亦飞;台运涛;何祺伟;张畅;解靖飞;龚子刚;薛荣宇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
一种氮化外延制备方法