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[发明专利]减薄硅片的方法-CN201910005003.7有效
发明人：刘峰松;吴正泉 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减薄硅片的方法，包括钝化层光刻和钝化层刻蚀步骤，所述钝化层光刻步骤中钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光，以使所述钝化层刻蚀步骤中所述硅片表面的划片道区域覆盖光刻胶；所述光刻胶用于阻止所述硅片表面的划片道区域在所述钝化层刻蚀过程中被刻蚀。由此增加了钝化层刻蚀步骤后硅片表面上网格状的划片道区域的钝化层的厚度，增加了硅片的表面张力，进而平衡减薄后的硅片应力，有效地降低了减薄后硅片的翘曲度，满足后续生产的要求。
硅片方法

[发明专利]低温多晶硅层、薄膜晶体管及其制作方法-CN201811134009.6有效
发明人：李立胜;何鹏;颜源 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本揭示提供了低温多晶硅层、薄膜晶体管及其制作方法。低温多晶硅层包括基板、至少一缓冲层以及多晶硅层。至少一缓冲层设置在基板上。多晶硅层设置在至少一缓冲层上。多晶硅层包括沟道区域、设置在沟道区域的两侧的两个低掺杂区域、设置在低掺杂区域的外侧的两个高掺杂区域。沟道区域的边缘及至少部分低掺杂区域的厚度小于多晶硅层的其他位置的厚度。本揭示能减少低温多晶硅层对光子的吸收及降低低温多晶硅层的光生漏电流。
低温多晶薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种多晶硅片制绒的清洗方法-CN201611251891.3有效
发明人：曾石发 -专利权人：中建材浚鑫科技股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。本发明明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。
一种多晶硅片清洗方法

[发明专利]无成核的间隙填充ALD工艺-CN201780077670.5有效
发明人：陈一宏;凯尔文·陈;卢欣亮;斯里尼瓦·甘迪科塔;吴勇;苏米特·辛格·罗伊;基亚·成·蔡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：处理方法包括通过以下步骤来形成包含钨或钼的间隙填充层：将具有至少一个特征在其上的基板表面依次地暴露于金属前驱物和包含氢的还原剂以在所述特征中形成所述间隙填充层，其中在所述基板表面与所述间隙填充层之间不存在成核层。
成核间隙填充 ald 工艺

[发明专利]一种功率器件的制备方法及功率器件-CN202310733439.4在审
发明人：管国栋;孙江涛 -专利权人：马鞍山市槟城电子有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的制备方法及功率器件。该方法应用于对作为功率器件衬底的晶圆进行选择性掺杂的场景；该方法包括：提供一晶圆；采用丝网印刷工艺在晶圆的表面印刷可剥胶形成掩膜层；其中，掩膜层具有镂空状的图案区域，晶圆的表面具有掺杂区域；图案区域的垂直投影与掺杂区域对应；采用磁控溅射工艺在掩膜层的表面形成掺杂层；其中，掺杂层包括部分落入掺杂区域内的掺杂层以及覆盖在掩膜层的表面的掺杂层；将掩膜层由晶圆的表面剥离，保留落入掺杂区域内的掺杂层；对晶圆进行高温再扩散，以在掺杂层的作用下在掺杂区域内形成PN结。本发明实施例的技术方案可有效简化制备工艺，提高作业效率，降低生产成本。
一种功率器件制备方法

[发明专利]无旋转畴的κ-Ga2-CN202310691461.7在审
发明人：刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-06-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种在蓝宝石衬底上生长无旋转畴的κ‑Ga2O3薄膜及制备κ‑(AlxGa1‑x)2O3/κ‑Ga2O3异质结的方法。其包括以下步骤：对C面蓝宝石衬底进行C/A斜切，得到沿M轴的原子台阶，其中，C面蓝宝石倾斜A面的切割角度为0.1～6°，之后将其在氧气氛围中，900～980℃的条件下退火处理；在上述处理后的衬底上外延生长κ‑Ga2O3层，即得无旋转畴的κ‑Ga2O3薄膜；进一步在κ‑Ga2O3层上继续外延κ‑(AlxGa1‑x)2O3层，即得满足全κ‑Ga2O3基κ‑(AlxGa1‑x)2O3/κ‑Ga2O3异质结。采用该方法能够制备得到平整度极高的低位错密度的κ‑Ga2O3薄膜及满足全κ‑Ga2O3基κ‑(AlxGa1‑x)2O3/κ‑Ga2O3异质结。
旋转 ga base sub

[发明专利]在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置-CN202310668395.1在审
发明人：孙富成;温子瑛;张冲宇 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种在半导体器件表面生成钝化层的方法和装置。该方法包括：针对半导体器件表面进行预处理；将含臭氧的混合气体和预定气体进行混合，以便生成第一混合气体；以及将第一混合气体提供至经预处理的半导体器件表面，以便利用第一混合气体对半导体器件表面进行钝化，以在半导体器件表面生成钝化层，其中预定气体至少用于改善所生成的钝化层的结构特性。同时，能够减少对半导体器件表面进行钝化的过程中化学品试剂的消耗，避免在器件表面留下有害废液，并且能够使操作简单化，以确保生成的钝化层具有稳定电学特性。
半导体器件表面生成钝化方法装置

[发明专利]一种半导体器件全自动超声波清洗方法及系统-CN202310921223.0在审
发明人：曾献金 -专利权人：恒超源洗净科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件清洗技术领域，尤其是涉及半导体器件全自动超声波清洗方法及系统，该方法包括以下步骤：S1、获取待清洗半导体器件的属性信息；S2、利用规则推理算法构建清洗规则匹配模型；S3、按照清洗参数与配置参数驱动超声波清洗设备对待清洗半导体器件进行常规清洗；S4、设定清洗监测周期，依据清洗进程数据跟随监测周期的变化对常规清洗效果进行评估；S5、按照周期性动态调整后参数驱动超声波清洗设备进行深度清洗；S6、收集与记录超声波清洗设备、待清洗半导体器件在清洗过程中的清洗参数。本发明实行超声波清洗规则全自动匹配与修正，减少与避免人工手动数据录入与参数选择，可以显著提高清洗效率、清洗质量和一致性。
一种半导体器件全自动超声波清洗方法系统

[发明专利]一种半导体纤维的制备方法-CN202310397673.4在审
发明人：孟利园;李西军;穆希;苏德香;赵静立 -专利权人：西湖大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体纤维的制备方法，包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括在半导体晶片的厚度方向上由下至下排布的第一区晶片和第二区晶片；在所述第一区晶片的表面形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀第一区晶片，使所述第一区晶片形成若干个间隔的初始纤维条；在所述初始纤维条的侧壁形成保护膜，所述保护膜暴露出初始纤维条侧部的第二区晶片的表面；以所述掩膜层和所述保护膜为掩膜侧向刻蚀第二区晶片，使初始纤维条形成与第二区晶片分立的半导体纤维；去除半导体纤维表面的保护膜和掩膜层。所述半导体纤维的制备方法制备半导体纤维的难度较小。
一种半导体纤维制备方法

[发明专利]提高重掺CVD硅片外观良率的工艺方法-CN202310535024.6在审
发明人：曹乐乐;莫自鹏;赵祥峰 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高重掺CVD硅片外观良率的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：将BSD的喷砂压力降低至0.07MPa。第二步：在BSD完成后必须进行清洗操作。第三步：将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否存在较为明显的颗粒以及污迹。第四步：进行APCVD前洗净操作。第五步：APCVD加工完成后，将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否有针孔存在。第六步：将APCVD完成后的硅片先进行单片刷片操作。第七步：硅片进行LPCVD前洗净操作。第八步：LPCVD加工完成后，将所有硅片在荧光灯及聚光灯下目视，观察硅片表面是否有LP污染存在。使APCVD的针孔状不良有了明显改善，LPCVD的LP污染比率有了显著降低，提升了重掺CVD品的外观良率。
提高 cvd 硅片外观工艺方法

[发明专利]测试有背封外延片电阻前的洗净方法-CN202310453580.9在审
发明人：陈珈璐 -专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试有背封外延片电阻前的洗净方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在槽式洗净机中，先将外延硅片放置到卡槽上，接着HF溶液注入到清洗槽内，使得外延硅片完全浸入HF溶液。第二步：将清洗槽内的液体更换为纯水进行清洗，为了充分洗去外延硅片表面残余的HF溶液，然后对清洗后的外延硅片进行干燥。第三步：将清洗槽内的液体更换为氨水+双氧水溶液，形成一层氧化薄膜，用于对外延硅片后续电阻测试。第四步：外延硅片洗净后，用汞CV测试电阻，测试数据稳定，且相位角稳定在89°以上。具有结构紧凑、省时省力和降低成本的特点。解决了外延片清洗效果差影响测试重掺衬底外延片表面电阻的问题。
测试有背封外延电阻洗净方法

[发明专利]改善光刻胶返工导致尺寸偏移的方法-CN202310631125.3在审
发明人：朱华宁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种改善光刻胶返工导致尺寸偏移的方法，提供衬底，衬底表面形成有氧化层，氧化层上形成有第一顶部抗反射涂层以及待返工的第一光刻胶层；依次利用灰化工艺、湿法清洗的方法去除第一顶部抗反射涂层以及第一光刻胶层，氧化层在的厚度增加至第二厚度；刻蚀第二厚度的氧化层至目标厚度；在氧化层上形成第二顶部抗反射涂层以及位于第二顶部抗反射涂层上的第二光刻胶层，之后光刻打开第二光刻胶层，使得其下方的第二顶部抗反射涂层裸露；刻蚀裸露的第二顶部抗反射涂层以及其下方的衬底形成沟槽。本发明避免光刻胶返工过程中引入额外的氧化层，这样光刻胶返工前后几乎不会影响衬底表面，不会对后续的刻蚀过程产生影响。
改善光刻返工导致尺寸偏移方法

[发明专利]利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法-CN201810894237.7有效
发明人：朴在勤;沈宰亨;沈泰宪 -专利权人：汉阳大学校产学协力团
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及利用氢化物气相沉积法的氮化镓基板的制造方法。本发明实施例的氮化镓基板的制造方法的特征在于，包括：向蓝宝石基板上注入氨气的第一表面处理步骤；通过向上述蓝宝石基板上注入上述氨气及氯化氢气体来形成缓冲层的步骤；向上述蓝宝石基板上注入上述氨气的第二表面处理步骤；以及在上述蓝宝石基板上分步降低氨气与氯化氢气体的流量比并使氮化镓生长的步骤。
利用氢化物沉积氮化镓基板制造方法

[发明专利]形成介电膜的方法及制作半导体装置的方法-CN201710757944.7有效
发明人：郑元雄;曹仑廷;黄宣惠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成介电膜的方法包括：在腔室中提供衬底；以及使用原子层沉积(ALD)方法在所述衬底上形成氮化硅膜，在所述原子层沉积方法中，将第一气体及第二气体引入到所述腔室中，第一气体包含含有六氯二硅氮烷(HCDZ)的硅前体，第二气体含有氮成分。
形成介电膜方法制作半导体装置

[发明专利]经由物理气相沉积沉积非晶硅层或碳氧化硅层的方法-CN201780071488.9有效
发明人：伟民·郑;勇·曹;丹尼尔·李·迪尔;慧雄·戴;科伊·潘;克里斯托弗·恩加伊;汪荣军;唐先明 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在一些实施方式中，在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括以下步骤：(a)在物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材的表面溅射硅；和(b)在基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中调整含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。
经由物理沉积非晶硅层氧化方法