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[发明专利]用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质-CN202110719890.1有效
发明人：刘梦;温靖康;蒋丁;鲍奇兵;王振彪 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括步骤：S1、设定若干基准电压；S2、串入预设数量的分压电阻和比较器；S3、输入并依次切换对应于基准电压的输出电压，使比较器的分压与基准电压相等，遍历基准电压后记录该步骤中最大的输出电压为跳步电压；S4、增加串入的分压电阻的数量；S5、忽略当前串入分压电阻下对应于输出电压小于跳步电压的基准电压；S6、重复步骤S3‑S5，直至获得需求的输出电压。该方法通过记录跳步电压限定接入的基准电压范围，避免了无效电压的产生，在芯片的读取/写入/擦除操作实际应用过程中，可有效减少相应操作处理时间，从而提高芯片处理效率。
用于芯片电压切换方法装置电子设备存储介质

[发明专利]对充电节点进行充电的驱动器电路-CN201710243378.8有效
发明人：朴贤国;李永宅;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
充电节点进行驱动器电路

[发明专利]eMMC延时启动电路和方法-CN202310318317.9在审
发明人：赖鼐;胡秋勇 -专利权人：珠海妙存科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种eMMC延时启动电路和方法，涉及存储器技术领域。eMMC延时启动电路包括延时电容、第一电阻和开关单元。延时电容的第一端与供电电源电连接，延时电容的第二端与第一电阻的第一端电连接，第一电阻的第二端接地；开关单元的受控端与第一电阻的第一端电连接，开关单元的输入端与供电电源电连接，开关单元的输出端与负载电连接。其中，当开关单元处于导通状态时，供电电源能够通过开关单元对负载供电，使负载的电压由零逐渐上升至供电电源提供的供电电压。根据本发明实施例的eMMC延时启动电路，能够使得SPI Nor Flash先进行启动，再使eMMC启动，避免出现eMMC读取数据失败而无法正常启动的情况。
emmc 延时启动电路方法

[发明专利]半导体装置及存储电路测试方法-CN202211655658.7在审
发明人：长田俊哉;松嶋润 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及存储电路测试方法。在安装在半导体装置中的SRAM电路中，电源电压降低电路生成通过降低外部电源电压而获得的降低电压。第一电源电压选择电路选择所述外部电源电压和所述降低电压中的一个电压作为供应给字线驱动器的驱动电压。第二电源电压选择电路选择所述外部电源电压和所述降低电压中的一个电压作为向存储单元供应操作电压的电源线的电压。
半导体装置存储电路测试方法

[发明专利]电子装置及其电源控制的方法-CN202211038920.3在审
发明人：黄启睿 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子装置及其电源控制的方法，该电子装置包括至少二逻辑电路、至少二存储器，以及至少二电源切换器。至少二逻辑电路彼此堆叠且电耦接，并且电连接于一电源与一接地之间。至少二存储器彼此堆叠且电耦接，并且电连接于电源与接地之间。至少二电源切换器分别串接于至少二逻辑电路以及至少二存储器之间。至少二电源切换器依据一控制信号，切断或保持至少二逻辑电路之间以及至少二存储器之间的电连接。本发明以数据保持电压为设计导向，而提出分开式堆叠架构与堆叠架构切换机制，使得系统总漏电流能够最小化，并且在至正常模式下能全速运作。
电子装置及其电源控制方法

[发明专利]半导体器件-CN202211644135.2在审
发明人：李道田;朴俊泓;张基昌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一电压生成电路，被配置为基于温度输出第一电压；模数转换器，被配置为将第一电压转换为温度码；码转换逻辑，被配置为基于温度码输出温度段中的该温度所属的温度段的偏移码和电平码；偏移电压生成电路，被配置为基于偏移码输出偏移电压；第二电压生成电路，被配置为基于电平码输出在温度段内具有恒定值的第二电压；以及温度补偿电压生成电路，被配置为接收第一电压、第二电压、偏移电压和反馈电压并输出温度补偿电压，反馈电压基于第一电压、第二电压和偏移电压。
半导体器件

[发明专利]半导体存储器的训练方法及相关设备-CN202010270898.X有效
发明人：龙光腾;许小峰;汪洋;王鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开关于一种半导体存储器的训练方法及相关设备，属于半导体技术领域。该方法包括：获取存储的所述半导体存储的历史训练结果，所述历史训练结果包括历史期望时延值及历史期望电压；设置时延阈值和当前训练电压范围，所述时延阈值小于或等于所述历史期望时延值，所述当前训练电压范围包括所述历史期望电压；获取所述半导体存储器在所述历史期望电压下的当前最小时延值；若所述半导体存储器在所述历史期望电压下的当前最小时延值大于或等于所述时延阈值，则将存储的所述历史训练结果作为所述半导体存储器的当前训练结果。通过本公开实施例提供的方案，能够提高半导体存储器的训练速度。
半导体存储器训练方法相关设备

[发明专利]用于存储器器件的电压降减轻技术-CN202111346220.6有效
发明人：褚炜路;潘栋 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请案是针对用于存储器装置的电压降减轻技术。一种存储器器件可包含存储器单元阵列、导电线、上拉电路和输出电路。所述导电线可经配置以传达用于对所述存储器单元阵列执行操作的第一电压。所述上拉电路可经配置以基于第一信号在其中执行所述操作的持续时间的至少一部分期间将所述导电线与电压源耦合，所述第一信号使得能够作为所述操作的一部分将电流施加到所述存储器单元阵列。所述输出电路可经配置以输出第二信号，以在所述操作完成之前去活所述上拉电路。输出所述第二信号可基于所述第一信号以及所述第一电压与参考电压之间的差。
用于存储器器件电压减轻技术

[发明专利]包括辅助电源的存储装置和操作存储装置的方法-CN202211452148.X在审
发明人：全浩镇;吉珉成;林亨泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了包括辅助电源的存储装置和操作存储装置的方法。所述存储装置包括：主系统；断电保护集成电路(PLP IC)，被配置为基于外部电力或内部电力向主系统提供输出电力；以及辅助电源，被配置为向PLP IC提供内部电力。主系统响应于确定满足第一条件或第二条件中的至少一个，在备份数据的转储模式下操作。PLP IC可响应于发生突然断电(SPO)，基于内部电力提供输出电力。当发生SPO并且SPO时间长于最大过滤时间，满足第一条件。当发生SPO并且辅助电源提供的内部电力的电压电平低于阈值电压的电压电平时，满足第二条件。
包括辅助电源存储装置操作方法

[发明专利]电压校准电路、半导体存储结构及其电压校准方法-CN202010201981.1有效
发明人：沈灵;蒋宇;段杰斌;严慧婕;李志芳;温建新 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压校准电路、半导体存储结构及其电压校准方法，通过调节第一可调电阻及第二可调电阻的电阻值即可将所述运算放大器的输出端输出的电压校准到理想电压范围，调节方式简单可控；第一可调电阻及第二可调电阻分成两步调节，并且分别以第一信号和第二信号翻转作为调节结束的标准，判断简单；对于大规模量产的产品，可以针对不同的工艺环境，在出厂前提前对产品的输出电压进行调整，使得产品的输出功能始终能够处在合理的范围内，消除了产品中的其他电路模块对于工艺漂移造成的设计上的压力。
电压校准电路半导体存储结构及其方法

[发明专利]存储电路和数据处理系统-CN201710747743.9有效
发明人：希德哈塔·达斯;戴维·米歇尔·布尔;普若内·普拉巴特 -专利权人： ARM 有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种存储电路包括：数据存储元件阵列；访问电路，用于通过针对数据存储元件的访问信号来访问由该数据存储元件存储的数据位，所述数据存储元件被使能以供访问；以及控制电路，用于使能各数据存储元件组以供访问，所述组具有组大小，所述组大小为1或更大，针对一组中的数据存储元件的访问信号被组合以提供对于该数据存储元件组公共的组合访问信号；所述控制电路配置为选择性地在至少第一模式和第二模式中操作，所述第一模式中的组大小不同于所述第二模式中的组大小。
存储电路数据处理系统

[发明专利]用于感测存储器的平均参考电压-CN202211454628.X在审
发明人： P·加罗法洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开包含用于使用平均参考电压来感测存储器的设备、方法及系统。实施例包含：存储器，其具有耦合到共同节点驱动器的多个存储器单元，其中所述存储器单元的群组耦合到存取线且所述群组的每一相应存储器单元耦合到不同相应感测线；感测电路系统，其耦合到所述不同相应感测线；及电路系统，其经配置以在对耦合到所述存取线的存储器单元的所述群组执行感测操作期间将来自所述共同节点驱动器的平均参考电压施加到所述感测电路系统。
用于存储器平均参考电压

[发明专利]存储设备和电力管理设备-CN202211551740.5在审
发明人：金大原;吴承俊;赵峻佑 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种存储设备，包括：控制器，被配置为通过接口连接到外部主机；多个存储器件，被配置为存储数据；以及电力管理设备，被配置为使用通过接口接收的外部电源电压输出用于多个存储器件的操作的内部电源电压，并且具有用于当控制器无法识别多个存储器件中的至少一个存储器件时从控制器接收标志信号的标志信号焊盘，其中，当接收到标志信号时，电力管理设备改变内部电源电压的斜率，并且向多个存储器件提供具有改变的斜率的内部电源电压。
存储设备电力管理

[发明专利]使用基于多项式回归的计算的读取阈值估计系统-CN202211501482.X在审
发明人：美萨姆·阿沙迪;特奥多·弗拉索夫;张帆;哈曼·巴蒂亚 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器系统及其操作方法。存储器系统包括存储器装置和控制器。控制器针对每个读取操作，通过使用a)在多个读取阈值电压之中的读取阈值电压集的设定的函数和b)设定的校验和值，确定数学模型；基于数学模型，确定多项式回归模型；基于多项式回归模型，使用输入矩阵和输出矩阵之间的多次计算，确定参数集；并且基于参数集，估计下一次读取操作的下一个读取阈值电压。控制器计算数学运算算法，以代替正常乘法运算、正常除法运算和正常先乘法后除法运算。
使用基于多项式回归计算读取阈值估计系统

[发明专利]存储器件及其操作方法-CN202210938322.5在审
发明人：阿里·塔克维埃;阿图尔·卡多奇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器件。在一个方面中，存储器件包括存储器单元、预充电电路、复位电压控制电路和逻辑控制电路。在一个方面中，预充电电路被配置为将位线的电压设置为第一电压电平。在一个方面中，复位电压控制电路包括晶体管，其耦合到位线以将位线的电压设置为第二电压电平。晶体管可以作为二极管布置或操作。在一个方面中，逻辑控制电路被配置为使复位电压控制电路在复位阶段将位线的电压设置为第二电压电平，并使预充电电路在复位阶段后的预充电阶段将位线的电压设置为第一电压电平。本申请的实施例还涉及一种操作存储器件的方法。
存储器件及其操作方法