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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及存储电路测试方法-CN202211655658.7在审
发明人： 长田俊哉;松嶋润 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及存储电路测试方法。在安装在半导体装置中的SRAM电路中，电源电压降低电路生成通过降低外部电源电压而获得的降低电压。第一电源电压选择电路选择所述外部电源电压和所述降低电压中的一个电压作为供应给字线驱动器的驱动电压。第二电源电压选择电路选择所述外部电源电压和所述降低电压中的一个电压作为向存储单元供应操作电压的电源线的电压。
半导体装置存储电路测试方法

[发明专利]半导体器件-CN202211611715.1在审
发明人： 长田俊哉;佐藤康治 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。提供了一种能够以相对高的速度初始化存储器单元中的数据同时抑制面积增加的技术。基于复位信号变为高电平的事实，半导体器件的控制电路将第一晶体管变为关断状态，将多条字线变为选择状态，将预充电电路变为关断状态，将用于写入的列开关变为导通状态，将用于读取的列开关变为关断状态，使得写入电路将第一位线和第二位线分别变为低电平和高电平，并且初始化多个存储器单元。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202211027059.0在审
发明人：佐藤康治;长田俊哉;石川次郎 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。本发明的目的是提供一种并入在半导体装置中的静态随机存取存储器(SRAM)，其可以在维持正常操作中的写入特性和读取特性的同时减小泄漏电流。该半导体装置包括用于生成第一电源电位的第一调节器，用于生成比第一电源电位低的第二电源电位的第二调节器，以及具有正常操作模式和恢复备用模式的静态随机存取存储器(SRAM)。SRAM包括接收第一电源电位和第二电源电位的电源开关电路，以及包括多个存储器单元的存储器阵列。当SRAM处于正常操作模式时，电源开关电路被控制以使得从电源开关电路向存储器阵列供应第一电源电位，并且当SRAM处于恢复备用模式时，从电源开关电路向存储器阵列供应第二电源电位。
半导体装置

[发明专利]存储器宏和半导体集成电路器件-CN201710412604.0有效
发明人：横山佳巧;齐藤良和;长田俊哉;佐野聪明;桥爪毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及存储器宏和半导体集成电路器件。提供了一种存储器宏，该存储器宏允许检测用于输入的地址信号的获取电路中的故障。存储器宏包括地址输入端子、时钟输入端子、存储器阵列和控制单元。控制单元包括暂时存储器电路，该暂时存储器电路与从时钟输入端子输入的输入时钟信号同步地获取输入到地址输入端子的输入地址信号，并且输出输入地址信号作为内部地址信号。存储器宏还包括内部地址输出端子，所述部地址输出端子输出用于与输入地址信号进行比较的内部地址信号。
存储器半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN202111477439.X在审
发明人： 长田俊哉 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件的控制电路对多个存储器元件进行初始化。一种方法：当复位信号为高电平时，控制电路关断第一晶体管，选择多个字线，关断预充电电路，接通写入列开关，关断读取列开关。然后，控制电路通过写入电路将第一位线设置为低电平并且将第二位线设置为高电平来对多个存储器元件进行初始化。
半导体器件

[发明专利]多端口存储器、半导体装置和存储器宏单元-CN201610911128.2有效
发明人：佐野聪明;长田俊哉;田中信二 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多端口存储器、半导体装置和存储器宏单元。该多端口存储器包括存储器单元、第一字线和第二字线、第一位线和第二位线、第一地址端子和第二地址端子、地址控制电路。地址控制电路在正常操作模式下基于分别供应到所述第一地址端子和所述第二地址端子的地址信号，将所述第一字线和所述第二字线独立于彼此进行控制，并且在干扰测试模式下基于供应到第一地址端子和第二地址端子中的一个来激活耦合到同一存储器单元的第一字线和第二字线二者。
多端存储器半导体装置单元

[发明专利]半导体装置-CN202110144294.5在审
发明人： 长田俊哉;齐藤良和;桥爪毅 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：以矩阵布置的存储器阵列，与存储器单元行相对应设置的多条字线，用于驱动多条字线中的一条字线的字驱动器，与该字驱动器连接的多条行选择线，以及行解码器，该行解码器用于基于输入行地址信息将行选择信号输出到多条行选择线。根据实施例，半导体装置可以以简单的方法检测地址解码器的故障。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010245350.X在审
发明人：田崎贵嗣;长田俊哉 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：多个P沟道型MOS晶体管，每个P沟道型MOS晶体管的源漏路径被耦合在将被供给电源电位的第一布线和被包括在逻辑电路块中的电源节点之间；以及多个N沟道型MOS晶体管，每个N沟道型MOS晶体管的源漏路径被耦合在被包括在逻辑电路块中的接地节点和将被供给接地电位的第二布线之间。另外，在待机状态期间，多个P沟道型MOS晶体管和多个N沟道型MOS晶体管中的每一个都是二极管连接的。根据上述半导体装置，可以降低被包括在逻辑电路块中的逻辑电路在待机状态期间的电流消耗，并且可以在短时间内使逻辑电路从待机状态返回到正常操作状态。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及存储模块-CN201810524038.7在审
发明人：桥爪毅;藤田直哉;长田俊哉;横山佳巧;新保克己;佐藤康治 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及存储模块。选择译码器(303)根据至少1位的地址位控制多个选择信号(cen1～cenn)的电平。存储模块(30‑i(i＝1～N))在对应的选择信号(ceni)为激活电平时被选择，从而能够进行数据的读取及写入。故障判定部(304)根据多个选择信号(cen1～cenn)的电平判定选择译码器(303)是否处于故障状态。
存储模块选择信号译码器半导体装置读取电平判定故障判定故障状态地址位写入激活

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