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[发明专利]半导体装置及其控制方法-CN202210344444.1在审
发明人：谷川浩一;白石贵义 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置及其控制方法。半导体装置1包括处理器2、连接到处理器的存储器和控制电路，并包括活动操作模式和待机操作模式。存储器包括正常模式和功耗低于正常模式的RS模式。存储器包括SRAM 7_0至7_5，其分别包括被供应有指定正常模式或RS模式的模式指令信号RS1_0至RS1_5的模式端子RS_T。在半导体装置从待机操作模式转变为活动操作模式的转变时段中，控制电路将指定正常模式的模式指令信号供应给SRAM 7_0至7_2的模式端子。并且在转变为活动操作模式之后控制电路将指定正常模式的模式指令信号提供给SRAM 7_3至7_5的模式端子。
半导体装置及其控制方法

[发明专利]存储器阵列中的尖峰电流抑制-CN202210319162.6在审
发明人： S·拉贾拉贾恩;S·文卡特桑;I·S·埃兰戈;R·D·卡塞尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：与存储器阵列中的尖峰电流抑制相关的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置包含具有交叉点存储器架构的存储器阵列。所述存储器阵列具有存取线(例如，字线及/或位线)，所述存取线经配置以存取所述存储器阵列的存储器单元。每个存取线分成左部分及右部分。每个部分电连接到单个通孔，驱动器使用所述单个通孔在所述存取线上产生电压。为了减少与电流尖峰相关联的放电，第一电阻器位于所述左部分与所述通孔之间，并且第二电阻器位于所述右部分与所述通孔之间。
存储器阵列中的尖峰电流抑制

[实用新型]一种存储设备掉电保护电路-CN202221436660.0有效
发明人：谢树平;章敏;王萌 -专利权人：湖南艾科诺维科技有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储设备掉电保护电路，包括备用电源模块、备用电源充放电管理模块和备用电源检测模块，所述备用电源模块和备用电源检测模块连接，所述备用电源检测模块和备用电源充放电管理模块的充电控制端连接，所述备用电源模块和主电源连接形成预充电通道，所述备用电源模块、备用电源充放电管理模块和主电源依次连接形成充电通道，所述备用电源模块、备用电源充放电管理模块和存储设备依次连接形成放电通道。本实用新型具有集成度高、体积小、备用电源电压稳定性高的特点，可以满足低温场景和低功耗场景的掉电保护功能要求。
一种存储设备掉电保护电路

[发明专利]驱动电路及存储装置-CN202210583912.0有效
发明人：戴佼容 -专利权人：芯耀辉科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请提供了一种驱动电路及存储装置，所述驱动电路包括多个上拉子电路、输出端及至少一个增强子电路，所述上拉子电路的一端用于接收电压信号，另一端电连接所述输出端，所述上拉子电路用于根据所述电压信号产生第一驱动电流，并传输至所述输出端；所述增强子电路并联于所述上拉子电路，用于根据所述电压信号产生第二驱动电流，并传输至所述输出端，所述输出端用于根据所述第一驱动电流及所述第二驱动电流输出上拉电信号。所述增强子电路产生的第二驱动电流提高了所述输出端输出所述上拉电信号时的上拉驱动电流，从而使得所述输出端的波形上升时间缩短。
驱动电路存储装置

[发明专利]存储器件的控制方法及装置-CN202110087413.8有效
发明人：游开开;王均保 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器件的控制方法和装置，该存储器件包括位线、源极、位于该位线和该源极之间的堆叠层、以及沿垂直于该位线的方向贯穿该堆叠层的存储沟道结构，该堆叠层包括依次层叠设置的第一子堆叠层、第一虚设堆叠层和第二子堆叠层，该控制方法包括：在预充电阶段，对该位线施加第一预设电压，以使靠近该位线的该存储沟道结构产生空穴，并对该源极施加第二预设电压，该第一预设电压和该第二预设电压为正电压；将该第一虚设堆叠层对应的该存储沟道结构打开，并将该第二子堆叠层对应的该存储沟道结构与该源极导通，从而能使沟道中的残留电子从沟道底部较快抽出，尽可能地减少沟道中的残留电子数量，改善编程干扰现象。
存储器件控制方法装置

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201810480828.X有效
发明人：黄南午 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器系统及其操作方法。存储器系统包括：存储器装置，其被配置为响应于用户读取命令，基于初始读取电压以及第一偏移电压和第二偏移电压生成第一读取电压和第二读取电压，并且输出通过基于第一读取电压和第二读取电压对多位存储器单元执行读取操作而获取的第一数据和第二数据；以及存储器控制器，其被配置为输出用户读取命令，其中存储器控制器包括状态计数器，该状态计数器被配置为根据第一数据和第二数据对分别对应于多个阈值电压状态的数据位的数量进行计数，并且通过计算计数的结果提取分别包括在由第一读取电压和第二读取电压划分的多个阈值电压区域中的存储器单元的数量。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]管理用于存储器装置的块的电压区间选择-CN202210331453.7在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;M·N·凯纳克;P·费利;S·K·瑞特南;S·诺埃尔;S·帕塔萨拉蒂;K·D·舒;吴建刚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开涉及管理用于存储器装置的块的电压区间选择。存储器子系统的处理装置被配置成对存储器装置的多个块进行排序；将所述经排序的多个块划分为多个块区段；扫描所述多个块区段中的第一块区段的第一边界处的第一块；扫描所述第一块区段的第二边界处的第二块；基于所述第一块的扫描结果而识别与所述第一块相关联的第一电压区间；基于所述第二块的第二扫描结果而识别与所述第二块相关联的第二电压区间；以及响应于确定所述第一电压区间与所述第二电压区间匹配，将所述第一电压区间指派到指派到所述第一块区段的所述多个块的子集中的每一块。
管理用于存储器装置电压区间选择

[发明专利]存储器装置通电之后存储器装置的块的电压块组选择-CN202210336859.4在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;S·K·瑞特南;S·诺埃尔;S·帕塔萨拉蒂;M·N·凯纳克;K·D·舒;P·菲利;吴建刚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置通电之后所述存储器装置的块的电压块组选择。存储器子系统的处理装置被配置成：检测与所述存储器装置相关联的上电事件；扫描所述存储器装置的多个块的一或多个块以确定与所述一或多个块的每一块相关联的相应编程后时间TAP；基于所述一或多个块的所述每一块的所述相应TAP估计所述上电事件之前的下电状态的持续时间；以及基于所述下电状态的所述持续时间更新与所述存储器装置相关联的所述多个块的电压块组指派。
存储器装置通电之后电压选择

[发明专利]电源电路、半导体装置以及电源感测电路-CN202111049974.5在审
发明人：李明焕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及电源电路、半导体装置以及电源感测电路。一种电源电路包括：至少一个电源检测器，所述至少一个电源检测器联接到经由引脚或焊盘输入的第一电源电压和提供给组件的第二电源电压二者，并且被配置为响应于第二电源电压的下降而输出从第一电源电压改变的感测电源电压；以及比较器，该比较器被配置为将感测电源电压与参考电压进行比较以输出电源感测结果。
电源电路半导体装置以及

[发明专利]减少行激活电路功率和外围泄漏的DRAM架构以及相关方法-CN201780038632.9有效
发明人： R·S·罗伊 -专利权人：阿托梅拉公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：半导体设备可以包括多个存储器单元，以及耦合到多个存储器单元并且包括超晶格的至少一个外围电路。超晶格可以包括多个堆叠的层组，每个组层包括多个堆叠的基础半导体单层，所述多个堆叠的基础半导体单层限定基础半导体部分和在所述基础半导体部分上的至少一个非半导体单层，所述至少一个非半导体单层被约束在相邻的基础半导体部分的晶格内。所述半导体设备还可以包括：第一功率切换设备，被配置为在第一操作模式期间将所述至少一个外围电路耦合到第一电压电源；以及第二功率切换设备，被配置为在第二操作模式期间将所述至少一个外围电路耦合到低于所述第一电压电源的第二电压电源。
减少激活电路功率外围泄漏 dram 架构以及相关方法

[发明专利]执行编程操作的非易失性存储器件及其操作方法-CN201810688163.1有效
发明人：吴真用 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件及其操作方法。非易失性存储器件包括：层叠的多个字线；垂直沟道区，其适用于与字线一起形成单元串；以及电压供给器，其适用于供给对字线的编程操作所需的多个偏压，其中，在施加到选中的字线的编程电压的脉冲区段的端部处，负偏压被施加到与选中的字线相邻设置的邻近字线。
执行编程操作非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]半导体存储装置-CN202110953548.8在审
发明人：伊达浩己 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一实施方式提供一种能够削减写入动作时的峰值电流的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置(2)具有多个存储单元(MT)、连接于存储单元(MT)的栅极的字线(WL)、及产生供给到字线(WL)的电压的电压产生电路(281)。另外，所述半导体存储装置(2)还具有定序器(27)，所述定序器(27)执行写入序列，对存储单元(MT)写入特定数据，所述写入序列是反复进行多个循环，所述多个循环由对存储单元(MT)写入数据的编程动作与检验写入到所述存储单元(MT)的所述数据的验证动作的集合而构成。定序器(27)对电压产生电路(281)指示供给到字线(WL)的电压的设定值，根据循环的位置来变更验证动作开始时的设定值也就是最初的中间设定值。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202111009849.1在审
发明人：佐贯朋也;李旭;三浦正幸;宫崎隆行;藤泽俊雄;中井弘人;向田秀子;松尾美惠 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：实施方式提供能够对功耗和发热量进行抑制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备塑料封装，所述塑料封装包括：电感器；第1存储芯片，其包括升压电路，所述升压电路利用所述电感器来从第1电压升压为第2电压；以及第2存储芯片，其具有被从所述第1存储芯片供给所述第2电压的端子。
半导体存储装置

[发明专利]用于提高存储器装置的数据输入/输出速度的设备和方法-CN202111043258.6在审
发明人：权利玹 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于提高存储器装置的数据输入/输出速度的设备和方法。本公开涉及一种电压生成电路。该电压生成电路包括：噪声衰减电路，被配置为衰减第二电源电压的噪声，第二电源电压的电平比第一电源电压的电平高至少两倍；以及多级电压泵，被配置为从噪声衰减电路接收噪声衰减后的第二电源电压并生成多个目标电压中的至少一个，每个目标电压具有不同的电平。第一电源电压和第二电源电压分别经由不同的引脚或焊盘从外部装置输入。
用于提高存储器装置数据输入输出速度设备方法

[发明专利]集成组合件内的参考电压发生器-CN202111360550.0在审
发明人：铃木尊雅;佐藤康夫;何源;李贤義 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及一种集成组合件内的参考电压发生器。一些实施例包含一种集成组合件，其具有具备存储器单元和经配置以用于寻址所述存储器单元的感测/存取线的存储器区，且具有接近于所述存储器区的参考电压发生器。所述参考电压发生器包含与所述感测/存取线基本上相同地配置的电阻单元。一些实施例包含一种集成组合件，其具有具备存储器单元、数字线和字线的存储器区。所述存储器单元中的每一个利用所述字线中的一个以及所述数字线中的一个来唯一地寻址。所述字线与驱动器电路系统耦合，且所述数字线与感测电路系统耦合。参考电压发生器接近于所述存储器区。所述参考电压发生器包含与所述字线基本上相同地配置的电阻单元，和/或包含与所述数字线基本上相同地配置的电阻单元。
集成组合参考电压发生器