专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器件基准电压生成电路-CN91102987.7无效
  • 闵东瑄;全东宋 - 三星电子株式会社
  • 1991-04-30 - 1992-06-10 - G11C5/14
  • 半导体存储器件基准电压生成电路包括产生恒定电压的基准电压电路,将该恒定电压作为其一个输入的差动放大器,栅极与差动放大器输出端相连且其沟道连接于电源端与基准电压输出端之间的MOS晶体管以及输入、输出端分别与基准电压输出端、差动放大器另一个输入端相连接的分压器。该分压器具有一个连接于基准电压输出端与分压器输出端之间且工作于饱和区中的MOS型负载以及连接于分压器输出端与接地电压端的电阻。基准电压输出端的电压与上述恒定电压成正比,而与负载装置的电阻成反比,因此能不受温度及过程状态变化的影响而保持稳定。
  • 半导体存储器件基准电压生成电路

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