[发明专利]光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法无效

申请号：	03159698.3	申请日：	2003-09-24
公开（公告）号：	CN1519647A	公开（公告）日：	2004-08-11
发明（设计）人：	前岛洁志	申请（专利权）人：	株式会社瑞萨科技
主分类号：	G03F1/16	分类号：	G03F1/16;G03F7/00;H01L21/027
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	杨凯;王忠忠
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明的光掩模设有透过区(R1)、半色调区(R2)及遮光区(R3)，采用一次描画方法形成。多个透过区(R1)的各外周为半色调区(R2)包围。在设有0.32μm以下的间隔布置的多个透过区(R1)的、且透过区的间隔为光掩模(10)内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对透过区(R1)的各外周的半色调区(R2)，使遮光膜(3)位于相邻的一对透过区(R1)之间。由此，通过这种三色调掩模，提供所有间距无禁止区域的光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法。
搜索关键词：	光掩模电子器件制造方法
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【主权项】：

1.一种光掩模，它包括分别由透明衬底(1)的露出部分构成的多个透过区(R1)、由设于所述透明衬底(1)上的半色调移相膜(2)的露出部分构成的半色调区(R2)以及由半色调移相膜(2)上的遮光膜(3)形成的区域构成的遮光区(R3)，通过一次描画方法形成；其特征在于：所述多个透过区(R1)的各外周为所述半色调区(R2)包围；在设有以0.32μm以下的间距配置的多个所述透过区(R1)的、且所述透过区(R1)的间距为光掩模内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对所述透过区(R1)的各外周的所述半色调区(R2)，使所述遮光膜(3)位于相邻的一对所述透过区(R1)之间。

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摘要：本发明是金属掩模板，它由基板加上表面或下表面或上下表面图形相同的铬和金或铜或银或铝金属薄层图形构成，借助光照射具有微细图形结构金属掩模板产生波长很短的等离子波，穿过纳米图形孔和缝传播性质，使一般波长或长波长光穿过纳米金属掩模进行光刻。克服了现有铬掩模版的纳米图形制作技术复杂，同时又由于受衍射极限的限制，不能被一般波长或长波长光穿过，无法进行光刻的缺点。用193－1000nm波长激光照明，也可光刻制作出纳米量级的图形。

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发明人：前岛洁志 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号：
摘要：本发明的光掩模设有透过区(R1)、半色调区(R2)及遮光区(R3)，采用一次描画方法形成。多个透过区(R1)的各外周为半色调区(R2)包围。在设有0.32μm以下的间隔布置的多个透过区(R1)的、且透过区的间隔为光掩模(10)内最小的最密集图案区中，形成包围相邻的一对透过区(R1)的各外周的半色调区(R2)，使遮光膜(3)位于相邻的一对透过区(R1)之间。由此，通过这种三色调掩模，提供所有间距无禁止区域的光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法。

光罩保护膜的卸除装置-03137004.7
发明人：李光洋;张启俊;何铭涛;邱铭乾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-05-28 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号：
摘要：本发明公开了一种光罩保护膜的卸除装置，用以快速卸除光罩的保护膜。本发明的光罩保护膜的卸除装置是以把手固定元件作为支点，扳动ㄇ字型把手时借助连动轴将ㄇ字型把手末端的插入元件插进光罩保护膜的孔洞，并藉杠杆原理将光罩保护膜卸离光罩，如此可避免工作人员运用公知卸除器具时不小心刮伤光罩的危险，同时节省卸除光罩保护膜所花的时间。

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申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号：
摘要：本发明提供一种设计交替相移掩模的方法及装置，该掩模包括衬底。该方法包括以下步骤：提供电路布局；确定电路布局的多个临界单元；提供截止布局尺寸；确定电路布局的临界部分，其中该些多个临界单元的每一个具有小于截止尺寸的亚截止尺寸；创建与临界部分相关的基本位相形状；从位相形状中去除布局违例；确定与临界部分相关的位相形状的宽度是否具有不相等的较窄的和较宽的宽度，如果是，那么加宽每个较窄的位相形状，以与临界部分相关的较宽的位相形状的宽度配合，从去除布局违例开始重复步骤，直到测试答案为否；如果测试答案为否，那么提供布局图形给输出。

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申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号：
摘要：本发明涉及一种交错式相位位移掩膜，包括：一透光基板；一遮光层，设置于上述透光基板表面，定义出透光阵列图案，上述透光阵列图案(array pattern)包括数个0度相位的透光横列(transparent row)与数个180度相位的透光横列交错组成；以及一相位干扰加强图样(phase interference enhancementfeature；PIEF)，相距既定距离地邻接于最外部的透光横列，并且上述相位干扰加强图样的相位与邻接的最外部的透光横列的相位相反(reverse phase)。

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摘要：本发明公开了一种氧化羰基掩膜版产品的制作，其主要特点是采用化学汽相淀积法(CVD法)，使氮气携带五羰基铁蒸汽。在一定温度条件下，与制板玻璃表面发生反应，反应后在玻璃基板表面生成一层氧化羰基铁膜，主要方程式：4Fe(CO)₅+3O₂＝2Fe₂O₃↓+20CO↑本发明生产成本低，工艺简便，广泛应用于各种半导体和集成电路版的光刻制作。

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发明人：哈里·O·西威尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
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发明人：山下浩 -专利权人：日本电气株式会社
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摘要：一种制造掩模的方法,其步骤为制造与被曝光的晶片材料相同的掩模材料,计算用于掩模写入的邻近效应校正剂量。然后,按具有掩模写入时邻近效应校正剂量两倍的校正剂量的图形,用与晶片写入时的加速电压相同的加速电压,对掩模材料的抗蚀剂膜曝光。接着,显影抗蚀剂膜,形成抗蚀剂膜图形,利用该抗蚀剂膜图形作为掩模腐蚀掩模材料,制备掩模。此后,利用该掩模,对晶片上的抗蚀剂膜进行EB曝光而不进行邻近效应校正。

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发明人： E·L·卡皮;W·贝森波克 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2000-03-29 - 公布日： 2000-10-11 - 主分类号：
摘要：本发明制造掩模图形的方法包括以下步骤提供用于构图的空白掩模(122);将具有椭圆截面形状的激光/电子束(120)传播到空白掩模上,该椭圆截面形状具有长轴和在长轴相对端部的边缘;定位空白掩模,以将图形写到空白掩模上,其中定位包括使用能量束的椭圆截面形状的边缘写图形的角部(124)。还包括一种系统。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]光掩模、电子器件的制造方法及光掩模的制造方法无效

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