[发明专利]反射型光掩模基板及其制造方法、反射型光掩模、半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200680052132.2 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101336394A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 松尾正;金山浩一郎;田村信平 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/16 | 分类号： | G03F1/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 反射型光掩模基板(10)包括：衬底(1)、在衬底(1)上形成并反射曝光用光的多层反射膜(2)、在多层反射膜(2)上形成并保护多层反射膜(2)的保护膜(3)、在保护膜(3)上并吸收曝光用光的吸收体层(5)、在吸收体层(5)和保护膜(3)之间形成并对吸收体层(5)的曝光转印图案形成时进行的蚀刻有抗腐蚀性的缓冲膜(4)，保护膜(3)是含Zr和Si的化合物、或是含Zr和Si以及O或N中的至少任意一种的化合物、或是含Ru、C、或Y中的至少任意一种的单质或化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 型光掩模基板 及其 制造 方法 型光掩模 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种反射型光掩模基板，其特征在于，包括：衬底，多层反射膜，其形成在该衬底上，用于反射曝光用光，保护膜，其形成在该多层反射膜上，用于保护该多层反射膜，吸收体层，其在该保护膜上吸收上述曝光用光，缓冲膜，其形成在该吸收体层和上述保护膜之间，对于在形成上述吸收体层的曝光转印图案时所进行的蚀刻具有抗腐蚀性；其中上述保护膜是含有Zr和Si的化合物，或是含有Zr和Si，以及O或N中的至少任意一种的化合物，或是含有Ru、C或Y中的至少任意一种的单质或化合物。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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