[发明专利]一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法在审

专利信息
申请号: 201711396801.4 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN108060457A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 彭方;马孙明;王晓梅;郭玉勇 申请(专利权)人: 苏州晶享嘉世光电科技有限公司
主分类号: C30B29/24 分类号: C30B29/24;C30B11/00;C30B15/00
代理公司: 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 代理人: 段宇
地址: 215152 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种钪酸钆钇晶体及其熔体法晶体生长方法,分子式可表示为Gd1‑xYxScO3(x=0~1),能够用Gd2O3、Y2O3、Sc2O3,或相应的钆、钇、钪的其他化合物进行配料,只要最终化合为Gd1‑xYxScO3即可;配制好的原料经充分混合、压制成圆饼,经高温烧结或不进行高温烧结,成为晶体生长的初始原料;生长初始原料放入坩埚加热完全熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长。Gd1‑xYxScO3单晶可用作外延材料薄膜的衬底材料或激光基质晶体。
搜索关键词: 一种 钪酸钆钇 晶体 熔体法 晶体生长 方法
【主权项】:
1.一种钪酸钆钇晶体,其特征在于:钪酸钆钇晶体的分子式为Gd1-xYxScO3,其中,x的取值范围为0~1之间的任意数。
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