专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备-CN201510038296.0有效
  • 林立;谢庆国;姜浩 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2015-01-26 - 2017-08-25 - G01T1/202
  • 一种组合闪烁晶体,包括若干闪烁晶体A及若干闪烁晶体B,闪烁晶体A与闪烁晶体B为性能不尽相同的闪烁晶体,若干闪烁晶体B排列成一个B闪烁晶体模块,若干闪烁晶体A从B闪烁晶体模块的射线入射面外侧包裹B闪烁晶体模块,闪烁晶体A的灵敏度低于闪烁晶体B,闪烁晶体A的光输出高于闪烁晶体B。本发明利用不同闪烁晶体参数差异解决灵敏度和计数率线性度矛盾的问题,通过灵敏度及光输出的差异选择,使得低能射线大量沉积于高光子效率的闪烁晶体A中,高能射线沉积于低光子效率的闪烁晶体B中,避免产生过高光子量造成SiPM饱和,有效解决SiPM配合闪烁晶体使用时动态范围不足的问题,并有效缓解了宽计数率范围和高灵敏度需求的矛盾。
  • 组合闪烁晶体探测器辐射探测设备
  • [实用新型]组合闪烁晶体、组合闪烁探测器及辐射探测设备-CN201520054370.3有效
  • 林立;谢庆国;姜浩 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2015-01-26 - 2015-06-03 - G01T1/202
  • 一种组合闪烁晶体,包括若干闪烁晶体A及若干闪烁晶体B,闪烁晶体A与闪烁晶体B为性能不尽相同的闪烁晶体,若干闪烁晶体B排列成一个B闪烁晶体模块,若干闪烁晶体A从B闪烁晶体模块的射线入射面外侧包裹B闪烁晶体模块,闪烁晶体A的灵敏度低于闪烁晶体B,闪烁晶体A的光输出高于闪烁晶体B。本实用新型利用不同闪烁晶体参数差异解决灵敏度和计数率线性度矛盾的问题,通过灵敏度及光输出的差异选择,使低能射线大量沉积于高光子效率的闪烁晶体A中,高能射线沉积于低光子效率的闪烁晶体B中,避免产生过高光子量造成SiPM饱和,有效解决SiPM配合闪烁晶体使用时动态范围不足的问题,并有效缓解宽计数率范围和高灵敏度需求的矛盾。
  • 组合闪烁晶体探测器辐射探测设备
  • [发明专利]多层闪烁晶体及PET探测器-CN201310045926.8有效
  • 谢庆国;奚道明;朱俊;王璐瑶 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2012-06-21 - 2014-01-15 - G01T1/29
  • 一种多层闪烁晶体,其包括n层阵列闪烁晶体和m层内部未经过切割的连续闪烁晶体,n与m均为大于等于1的整数,且n与m的和小于等于10,阵列闪烁晶体由长条型闪烁晶体条沿其宽度和长度方向排列构成,阵列闪烁晶体与连续闪烁晶体沿长条型闪烁晶体条的高度方向按顺序耦合构成多层闪烁晶体,多层闪烁晶体的底层为连续闪烁晶体。本发明在阵列闪烁晶体与光电探测器系统之间增加连续闪烁晶体,有利于闪烁光光子的扩散,通过对连续闪烁晶体厚度的优化设计,可以使得被光电探测器器件所接受到的闪烁光分布携带更为丰富的能量沉积信息。配合相应的信息提取算法,充分利用这种丰富的能量沉积信息可以更为精确的获得γ光子在闪烁晶体中的能量沉积信息。本发明还公开了一种PET探测器。
  • 多层闪烁晶体pet探测器
  • [发明专利]多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器-CN201210207766.8有效
  • 谢庆国;奚道明;朱俊;王璐瑶 - 苏州瑞派宁科技有限公司
  • 2012-06-21 - 2012-10-03 - G01T1/29
  • 一种多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器,其包括多层闪烁晶体、光电探测器系统以及算法系统,多层闪烁晶体包括n层阵列闪烁晶体和m层连续闪烁晶体,n与m均为大于等于1的整数,且n与m的和小于等于10,阵列闪烁晶体由长条型闪烁晶体条沿其宽度和长度方向排列构成,连续闪烁晶体为内部未经过切割的闪烁晶体,阵列闪烁晶体与连续闪烁晶体沿长条型闪烁晶体条的高度方向按顺序耦合构成多层闪烁晶体,连续闪烁晶体的底面与光电探测器系统相耦合。本发明的正电子发射断层成像探测器能够更准确的获得γ光子在闪烁晶体中能量沉积的位置与时间,具有更高的γ光子探测效率,且应用到正电子发射断层成像系统中时,可以提高系统的空间分辨率、时间分辨率、灵敏度,进而可以提高系统的成像质量
  • 多层闪烁晶体正电子发射断层成像探测器
  • [实用新型]一种基于Ce:GAGG闪烁晶体闪烁屏结构-CN202020395658.8有效
  • 王璐;丁雨憧;王强;董鸿林;方承丽 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2020-03-25 - 2020-10-16 - G21K4/00
  • 本实用新型公开了一种基于Ce:GAGG闪烁晶体闪烁屏结构,包括基板、反射层、Ce:GAGG闪烁晶体层,基板采用不透光材料制作,其中,反射层设置在基板及Ce:GAGG闪烁晶体层之间;基板表面设有与反射层及Ce:GAGG闪烁晶体层形状相匹配的安装槽,反射层及Ce:GAGG闪烁晶体层设置在安装槽内。与现有技术相比,Ce:GAGG闪烁晶体不潮解,闪烁屏结构更加简单;Ce:GAGG闪烁晶体与CsI(Tl)闪烁晶体相比,光输出接近、衰减时间短、密度更大、能量分辨率更好、性价比更高;密度和有效原子序数更大,使其具有更高的探测效率;Ce:GAGG闪烁晶体屏与CsI(Tl)闪烁晶体屏相比,Ce:GAGG闪烁晶体屏容易加工,闪烁屏制作无需专用设备,投入成本少。
  • 一种基于cegagg闪烁晶体结构
  • [发明专利]晶体阵列探测器和发射成像设备-CN202211630230.7在审
  • 顾峥;赵鑫;何文;赵阳洋;黄文杰;张志在 - 深圳湾实验室
  • 2022-12-19 - 2023-03-14 - A61B6/03
  • 本发明提供一种晶体阵列探测器和发射成像设备。该晶体阵列探测器包括晶体阵列、阵列反光层和光传感器层。晶体阵列包括复合晶体层,复合晶体层包括在横向平面内密贴排列的第一类型的多个第一闪烁晶体和第二类型的多个第二闪烁晶体,多个第一闪烁晶体分散在多个第二闪烁晶体中,多个第一闪烁晶体中的每个具有第一闪烁光衰减时间,多个第二闪烁晶体中的每个具有不同于第一闪烁光衰减时间的第二闪烁光衰减时间。由于在使用具有不同闪烁光衰减时间的多个第一闪烁晶体和多个第二闪烁晶体,可以在光传感器层中检测到的能量沉积事件中筛选出在两种类型的闪烁晶体内都发生过能量沉积的ICS事件。
  • 晶体阵列探测器发射成像设备
  • [实用新型]晶体阵列探测器和发射成像设备-CN202223395470.1有效
  • 顾峥;赵鑫;何文;赵阳洋;黄文杰;张志在 - 深圳湾实验室
  • 2022-12-19 - 2023-06-06 - A61B6/03
  • 本实用新型提供一种晶体阵列探测器和发射成像设备。该晶体阵列探测器包括晶体阵列、阵列反光层和光传感器层。晶体阵列包括复合晶体层,复合晶体层包括在横向平面内密贴排列的第一类型的多个第一闪烁晶体和第二类型的多个第二闪烁晶体,多个第一闪烁晶体分散在多个第二闪烁晶体中,多个第一闪烁晶体中的每个具有第一闪烁光衰减时间,多个第二闪烁晶体中的每个具有不同于第一闪烁光衰减时间的第二闪烁光衰减时间。由于在使用具有不同闪烁光衰减时间的多个第一闪烁晶体和多个第二闪烁晶体,可以在光传感器层中检测到的能量沉积事件中筛选出在两种类型的闪烁晶体内都发生过能量沉积的ICS事件。
  • 晶体阵列探测器发射成像设备
  • [发明专利]制备闪烁晶体阵列的工艺方法-CN202011442632.5有效
  • 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 - 清远先导材料有限公司
  • 2020-12-08 - 2021-10-22 - C30B28/06
  • 本发明提供了一种制备闪烁晶体阵列的工艺方法,其包括步骤:用金属丝编织成金属网;将闪烁晶体加工成块状结构并将其置于闪烁晶体上;将金属网和闪烁晶体放入充有保护气体的箱体内;对金属网进行通电加热;在垂直方向上向下移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体;在垂直方向上向上移动金属网直至金属网完全贯穿闪烁晶体;将闪烁晶体从箱体内移出并将其放置在恒温箱内以进行退火处理,由此获得闪烁晶体阵列;在闪烁晶体阵列的上表面、侧表面和下表面粘贴反射膜。本发明的工艺方法不仅加工程序简单、且无需进行灌胶或者涂胶工艺即可制备出闪烁晶体阵列,且获得的闪烁晶体阵列的稳定性和一致性好,由此提高了闪烁晶体阵列的加工效率和闪烁性能。
  • 制备闪烁晶体阵列工艺方法
  • [发明专利]一种新型闪烁晶体探测器及其设计方法和应用-CN202011517766.9在审
  • 许剑锋;于昕;张熙;杜菁;谢思维;彭旗宇 - 华中科技大学
  • 2020-12-21 - 2021-04-30 - A61B6/03
  • 本发明属于闪烁晶体相关技术领域,其公开了一种新型闪烁晶体探测器及其设计方法和应用,该新型闪烁晶体探测器包括:多个阵列排布的闪烁晶体,每一所述闪烁晶体的光输出面上设有有利于降低全反射效应提高光输出的微曲面,所述闪烁晶体之间以及所述闪烁晶体的入射面设有反光层;设于所述闪烁晶体的光输出面的光电传感器;以及密封所述闪烁晶体的侧壁的不透明密封面。本申请通过对传统闪烁晶体进行重新加工设计,将其加工成光子晶体的结构,通过特定的表面结构,增加光输出面的表面积,降低输出光线的入射角度,降低发生全反射效应的输出光线的比例,实现光输出的提高。
  • 一种新型闪烁晶体探测器及其设计方法应用

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