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- [发明专利]一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜及其制备方法-CN200810117615.7无效
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高关胤;吴文彬
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中国科学技术大学
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2008-08-01
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2008-12-24
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C30B29/24
- 一种低场超大磁致电阻锰氧化物外延膜,包括La0.67Ca0.33MnO3外延膜和NdGaO3单晶基片,其特征在于:在边长为3-5mm,厚度为0.3-0.5mm的(001)取向NdGaO3单晶基片上是一层厚度为4-70nm的La0.67Ca0.33MnO3外延膜;其制备方法包括以下几个步骤:(1)选用传统固相反应法制备出的La0.67Ca0.33MnO3多晶做靶材;(2)选择单晶基片NdGaO3;(3)利用激光脉冲沉积系统在NdGaO3单晶基片上面生长外延的La0.67Ca0.33MnO3薄膜;(4)将原位制得的La0.67Ca0.33MnO3/NdGaO3置于管式炉中进行退火处理;本发明所述外延膜从低场磁致电阻和温度的敏感性方面,都适合自旋电子器件的实际应用;且本发明所采用的制备方法第一次实现了通过选择NdGaO3单晶基片的方向,来实现对薄膜的剪切应力控制,从而实现了对低场超大磁致电阻锰氧化物薄膜材料物理性能的人工调控。
- 一种超大致电氧化物外延及其制备方法
- [发明专利]一种铝酸镧晶体的生长方法-CN200710173605.0有效
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吴宪君;李新华;何庆波
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上海晶生实业有限公司
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2007-12-28
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2008-10-08
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C30B29/24
- 提供一种生长铝酸镧LaAlO3晶体的坩埚下降法生长方法,包括以下步骤:(1)Al2O3和La2O3作为原料,用量比依照LaAlO3的化学组成,混合,压块;(2)将装压块原料坩埚移至真空下降炉内,升温抽真空至10-2-10-4Pa,炉温升至1500-1700℃充入惰性保护气体,继续升温至2100-2300℃;(3)使原料和晶种顶部熔化,实现接种生长,晶体生长固液界面温度梯度在25-85℃/cm,坩埚下降速率在0.2-10mm/h之间;(4)晶体生长结束后,以30-100℃/h的速度将炉温降至室温。所得铝酸镧晶体具有良好的结晶性能,低的介电常数和介电损耗以及中等折射率。
- 一种铝酸镧晶体生长方法
- [发明专利]铝酸钇晶体的生长方法-CN200510027322.6无效
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王俊;陆燕玲;孙宝德;杨扬
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上海交通大学
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2005-06-30
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2006-01-25
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C30B29/24
- 一种属于光电子材料技术领域的铝酸钇晶体的生长方法,本发明在YAP晶体生长后期,即晶体等径部分达到预定尺寸后,为避免晶体开裂,减慢提拉速度,缓慢升温使晶体直径逐渐变细,待晶体直径达到6-8mm时,然后恒温生长晶体一段时间,最后分六阶段缓慢降至室温,在降温过程中,若晶体已被拉出保温罩,则将提拉速度设置为零,若没有被拉出保温罩,则继续上引,为防止晶体被扭断,埚内余料凝固前需关掉晶转,开炉后取出坩埚,此时晶体与坩埚内余料粘在一起,将晶体与熔体在细径处分离,即可得到完整的YAP晶体。本发明简单易行,可操作性强,不但减少了晶体开裂的几率,而且提高了铝酸钇晶体的成品率和光学均匀性,节约了电能,降低了生产成本。
- 铝酸钇晶体生长方法
- [实用新型]新型多孔推板煤烧结窑-CN98227814.4无效
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钱炳文
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钱炳文
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1998-09-07
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1999-10-06
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C30B29/24
- 新型多孔推板煤烧结窑,在其窑体内平行设有四只窑膛,各窑膛在窑体横截面上成“田”字形排列,沿窑体轴向自左至右依次为升温区、高温区和降温区。从烧火炉到烟道,其间有盘旋在窑膛四周的火道,其特征是设置温度自动控制装置、排气机构,降温排风机构,并采用调速推板驱动电机。本实用新型具有平稳均匀的升温曲线,窑内无水汽凝结,产品出窑温度低,以提高产品合格率、提高产品质量、减轻工人劳动强度。
- 新型多孔推板煤烧结
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