[实用新型]一种射频前端封装结构及电子产品

说明书

本申请提供了一种射频前端封装结构及电子产品，开关单元采用3D堆叠方式埋于基板内或采用倒装芯片形式以表面贴装方式贴装在基板表层，功率放大单元至少包括超宽带功率放大器，其采用3D堆叠形式埋于基板内，且其输入端和输出端分别与第一集成无源器件和第二集成无源器件匹配，第一集成无源器件、第二集成无源器件以及滤波单元设置在基板表层。本申请通过3D堆叠形式将开关单元、功率放大单元埋于基板内部，功率放大单元采用高电子迁移率晶体管工艺设计的一颗超宽带PA满足高中低不同频段的需求，滤波单元采用WLP封装技术有效降低了CSP封装带来的芯片尺寸偏大、高度偏高等问题，使得设计得到的射频前端模组产品具有低成本、尺寸小、集成度高等优点。

技术领域

本申请涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种射频前端封装结构及电子产品。

背景技术

随着技术的发展，5G时代下，移动设备能够使用的频段逐渐增多，这也意味着需要增加更多的射频元件。但是消费终端产品体积有限，射频器件的增多导致射频器件的集成化成为必然趋势。集成化可以降低成本、提高性能，以及给系统集成商提供turn-key方案。目前集成主要是由SIP(系统级封装)方式整合不同制程技术来制作功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、滤波器(Filter)、开关(Switch)和被动元件(Passive)等。5GmmWave射频模组也将走向高度整合趋势。射频前端模块的发展趋势将逐渐由离散型的RF元件朝向整合型模组的FEMiD与PAMiD形式。

然而在模块化的进程中，仍有诸多难点需要克服。主要的难点集中于产品研发：一方面需要提高PA、Switch、Filter、LNA等各类射频产品的性能，产品功能的高度集成并不是简单的整合，还涉及到性能的改善、兼容性、互扰等问题的优化解决。现有射频厂商多采用CSP(芯片级封装)倒装+覆膜工艺滤波器，这样会导致芯片的尺寸偏大及芯片高度难兼容；同时放大级需要采用多颗PA满足高中低不同频段的需求导致设计复杂以及各种互扰等问题。而伴随着5G时代的来临，即便是模组化程度最高的PAMiD也正还在持续进行着整合。

因此，亟需提供一种新的射频前端封装结构，以满足上述需求。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述一个或多个技术问题，本申请实施例提供了一种射频前端封装结构及电子产品，以解决现有技术中存在的问题。

为了达到上述目的，本申请就解决其技术问题所采用的技术方案是：

第一方面，本申请提供了一种射频前端封装结构，至少包括基板以及相互连接的开关单元、功率放大单元和滤波单元；

所述开关单元采用3D堆叠方式埋于所述基板内或采用倒装芯片形式以表面贴装方式贴装在所述基板表层；

所述功率放大单元至少包括超宽带功率放大器，所述超宽带功率放大器采用3D堆叠形式埋于所述基板内，且所述超宽带功率放大器的输入端和输出端分别与第一集成无源器件和第二集成无源器件匹配，所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件设置在所述基板表层；

所述滤波单元设置在所述基板表层。

在一个具体的实施例中，所述开关单元采用3D堆叠方式埋于所述基板内，所述开关单元包括第一开关、第二开关以及第三开关，所述第一开关、第二开关以及第三开关通过第一走线层、第二走线层以及设置与所述第一走线层与所述第二走线层之间的第一过孔连接。

在一个具体的实施例中，所述功率放大单元还包括驱动放大级，所述驱动放大级与所述第一开关通过所述第一走线层连接。

在一个具体的实施例中，所述驱动放大级与所述第一开关采用绝缘体上硅工艺做成一颗裸片。

在一个具体的实施例中，所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件采用第一预设层数的基板制备得到。