[实用新型]一种射频前端封装结构及电子产品

权利要求书

1.一种射频前端封装结构，其特征在于，至少包括基板以及相互连接的开关单元、功率放大单元和滤波单元；

所述开关单元采用3D堆叠方式埋于所述基板内或采用倒装芯片形式以表面贴装方式贴装在所述基板表层；

所述功率放大单元至少包括超宽带功率放大器，所述超宽带功率放大器采用3D堆叠形式埋于所述基板内，且所述超宽带功率放大器的输入端和输出端分别与第一集成无源器件和第二集成无源器件匹配，所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件设置在所述基板表层；

所述滤波单元设置在所述基板表层。

2.根据权利要求1所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述开关单元采用3D堆叠方式埋于所述基板内，所述开关单元包括第一开关、第二开关以及第三开关，所述第一开关、第二开关以及第三开关通过第一走线层、第二走线层以及设置于所述第一走线层与所述第二走线层之间的第一过孔连接。

3.根据权利要求2所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述开关单元通过所述第二走线层以及第二过孔接地。

4.根据权利要求2所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述功率放大单元还包括驱动放大级，所述驱动放大级与所述第一开关通过所述第一走线层连接。

5.根据权利要求4所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述驱动放大级与所述第一开关采用绝缘体上硅工艺做成一颗裸片。

6.根据权利要求1所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述第一集成无源器件和所述第二集成无源器件采用第一预设层数的基板制备得到。

7.根据权利要求2所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述滤波单元包括第一滤波双工器、第二滤波双工器、第三滤波双工器、第四滤波双工器以及低通滤波器，所述第一至第四滤波双工器包括采用晶圆级封装工艺的SAW双工器。

8.根据权利要求7所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述低通滤波器为采用第二预设层数的基板制备得到的低通滤波器。

9.根据权利要求8所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述低通滤波器包含与所述第一至第四滤波双工器中的一个或多个匹配的电感。

10.根据权利要求7所述的射频前端封装结构，其特征在于，所述第二开关还包括与所述第一至第四滤波双工器的TX端匹配的第一电容；所述第三开关还包括与所述第一至第四滤波双工器的ANT端匹配的第二电容。

11.一种电子产品，其特征在于，至少包括如权利要求1至10任一项所述的射频前端封装结构。