专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]加湿器-CN201710433152.4有效
  • 郑丰周;张建华;张可;高佳慧;关敬维;李俊锴;苏志华 - 珠海格力电器股份有限公司
  • 2017-06-09 - 2023-10-27 - F24F6/12
  • 本发明提供一种加湿器。该液位检测装置包括:浮子;信号发射模块,用于在不同位置同时发出信号;信号接收模块,用于同时在不同位置接收所述信号发射模块发出的信号;所述浮子的位置变化能够改变所述信号接收模块接收信号的位置区域,以反映液位的高低信息。本发明提供的液位检测装置中,由于信号发射模块能够发射出处于不同位置的信号,浮子位置的变化能够对不同位置的信号产生影响,以改变信号接收模块接收的信号,通过信号接收模块接收到的信号的不同即可反映出液位的高低信息,不受水质等因素的影响,检测灵敏度高,稳定性好,且信号发射模块和信号接收模块无需与水直接接触,进一步提高液位检测装置的使用可靠性。
  • 加湿器
  • [发明专利]一种射频功率放大器、半导体管芯及电子设备-CN202310936063.7有效
  • 姜甜甜;高佳慧 - 宜确半导体(苏州)有限公司
  • 2023-07-28 - 2023-10-20 - H03F3/21
  • 本申请实施例提供了一种射频功率放大器及射频功率放大器芯片,包括第一差分引出端、第二差分引出端、输入信号端口、差分输出端、至少一第一晶体管和至少一第二晶体管;第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极电连接;第一晶体管的栅极分别通过第一走线层和第三走线层引出,作为射频放大器的第一差分引出端;第一晶体管的源极通过第二走线层连接,作为射频接地层;第二晶体管的栅极分别通过第一走线层和第三走线层引出,作为射频放大器的第二差分引出端;第二晶体管的漏极分别通过第一走线层和第二走线层引出,作为射频放大器的差分输出端。本申请方案可以达到降低成本、减少寄生、提高高频线性度的目的,缩小芯片版图的面积。
  • 一种射频功率放大器半导体管芯电子设备
  • [发明专利]差分电路、移相器、衰减器及射频微波系统-CN202311113151.3在审
  • 朱小卫;陈俊;高佳慧 - 宜确半导体(苏州)有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-03 - H03K19/0175
  • 本发明涉及无线通信技术领域,具体提供一种差分电路、移相器、衰减器及射频微波系统,旨在解决射频微波器件如何同时兼顾高性能且小尺寸的问题。为此目的,本发明的一种差分电路,包括:差分输入端口、差分输出端口和若干开关管芯;所述差分输入端口与所述差分输出端口的每个正负极接口之间均连接有一开关管芯;当所述差分输入端口与差分输出端口的同极性接口之间的开关管芯的供电电压为V且V为正电压,其余开关管芯的供电电压为‑V,则所述差分输入端口与差分输出端口的同极性接口之间导通;所述开关管芯被配置为根据尺寸及各极电阻调节差分电路的插损及隔离度。
  • 电路移相器衰减器射频微波系统
  • [发明专利]一种差分功分器、发射链路系统及接收链路系统-CN202310897169.0有效
  • 朱小卫;陈俊;高佳慧 - 宜确半导体(苏州)有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-09-29 - H01P5/16
  • 本发明涉及一种差分功分器、发射链路系统及接收链路系统,属于功分器技术领域。本发明包括:输入端口;输入差分耦合线,其输入端与输入端口相连;输出差分单元,至少包括N条参数相同的耦合线,第一条耦合线的输入端正极与输入差分耦合线的输出端正极相连,第N条耦合线的输入端负极与输入差分耦合线的输出端负极相连,第i条耦合线的输入端负极与第i+1条耦合线的输入端正极相连;输出差分端口,其输入端分别与输出差分单元中的耦合线输出端相连;隔离电阻,设置于输出差分单元的相邻耦合线同相输出端之间。本发明提供的采用差分耦合线方式设计的差分功分器,兼顾了功分器的小尺寸和高宽带性能,还降低了带内插入损耗,提高了隔离度。
  • 种差分功分器发射系统接收
  • [发明专利]一种具有双突变界面的上转换发光材料及制备方法-CN202310406359.8在审
  • 马颖;翟春鹏;高佳慧 - 华中科技大学
  • 2023-04-17 - 2023-08-01 - C09K11/85
  • 本发明属于发光材料相关技术领域,并公开了一种具有双突变界面的上转换发光材料及制备方法。该材料的结构式为CaF2@NaReF4@CaF2,该材料的粒径为4nm~100nm。本发明还公开了上述发光材料的制备方法,该制备方法包括下列步骤:S1分别制备CaF2纳米颗粒和NaReF4壳层的前驱体溶液;S2制备CaF2@NaReF4纳米颗粒;S3制备CaF2壳层的前驱体溶液,将步骤S2中制备的CaF2@NaReF4纳米颗粒加入所述可外延生长CaF2壳层的溶液中搅拌混合均匀,加热,保温,冷却至室温,在该反应液中加入有机溶剂然后进行离心,离心后获得所需的CaF2@NaReF4@CaF2发光材料。通过本发明,抑制表面淬灭,在活性层与内外惰性层之间形成突变界面抑制稀土离子迁移,减少晶体缺陷和能量长距离迁移导致的发光淬灭。
  • 一种具有突变界面转换发光材料制备方法
  • [发明专利]一种TiVNb系含氧高温中熵合金及其制备方法-CN202310462737.4在审
  • 蒋燕;高佳慧;吴秀坤 - 攀枝花学院
  • 2023-04-26 - 2023-07-28 - C22C30/00
  • 本发明提供了一种TiVNb系含氧高温中熵合金及其制备方法,具体涉及高温合金材料领域,本发明解决了现有合金材料不能同时兼具低密度、室温强韧性、高温强度、较大硬度的问题。本发明提供的一种TiVNb系含氧高温中熵合金包括钛、钒、铌的金属单质以及钛、钒、铌的金属氧化物中的至少一种,钛、钒、铌和氧四种元素的原子百分比如下:钛:31‑34%;钒:31‑34%;铌:31‑34%;氧:0.01‑1.5%。所述合金能兼具低密度、室温强韧性、高温强度、较大硬度的特点,对航天航空领域具有重大意义。
  • 一种tivnb系含氧高温合金及其制备方法
  • [实用新型]一种草莓种子分离器-CN202223445175.2有效
  • 沈元月;张恩铭;黄芸;陈雪雪;罗洁;张艳君;甘珂珂;高佳慧;姚志瑾;刘欣;贾燕;孙晴;刘宇;白海浩 - 北京农学院
  • 2022-12-22 - 2023-07-25 - A01F11/00
  • 本实用新型公开了一种草莓种子分离器,属于草莓种子提取工具领域,包括外壳,所述外壳的下端安装有底座,所述外壳的侧壁上开设有出水口,所述外壳的内部插设有提物框,所述提物框的内部插设有按压柱,所述提物框的下端安装有支撑盘,通过支撑盘可对提物框进行支撑,所述提物框包括网框,且所述网框的下端固定连接有滤板,所述滤板与底座固定连接。本实用新型,先将草莓放到提物框内,再用按压柱反复挤压提物框内的草莓使其破碎,然后再用水不断的对提物框内进行冲洗,通过一边挤压草莓,一边用水冲洗提物框的方式可将捣碎的草莓果肉从提物框内冲出,而草莓表面的种子便会被滤板阻拦在提物框内,通过此种方式即可方便快速的对草莓种子进行提取。
  • 一种草莓种子分离器
  • [实用新型]一种射频前端封装结构及电子产品-CN202320523630.1有效
  • 马举;高佳慧 - 宜确半导体(苏州)有限公司
  • 2023-03-17 - 2023-07-11 - H01L23/31
  • 本申请提供了一种射频前端封装结构及电子产品,开关单元采用3D堆叠方式埋于基板内或采用倒装芯片形式以表面贴装方式贴装在基板表层,功率放大单元至少包括超宽带功率放大器,其采用3D堆叠形式埋于基板内,且其输入端和输出端分别与第一集成无源器件和第二集成无源器件匹配,第一集成无源器件、第二集成无源器件以及滤波单元设置在基板表层。本申请通过3D堆叠形式将开关单元、功率放大单元埋于基板内部,功率放大单元采用高电子迁移率晶体管工艺设计的一颗超宽带PA满足高中低不同频段的需求,滤波单元采用WLP封装技术有效降低了CSP封装带来的芯片尺寸偏大、高度偏高等问题,使得设计得到的射频前端模组产品具有低成本、尺寸小、集成度高等优点。
  • 一种射频前端封装结构电子产品
  • [发明专利]一种半导体封装结构及射频前端模块产品-CN202310095624.5在审
  • 牛春宇;陈俊;高佳慧 - 宜确半导体(苏州)有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-06-23 - H01L23/31
  • 本申请实施例提供了一种半导体封装结构及射频前端模块产品,半导体封装结构包括基板、设置在所述基板上的内埋芯片以及管脚结构,所述管脚结构与所述内埋芯片电连接,所述管脚结构包括至少一环,每环所述管脚结构由多个管脚环绕组成,每环所述管脚结构的管脚间的中心距不同,每环所述管脚结构的管脚均由层状结构组成,所述层状结构至少包括设置在所述内埋芯片上的金属凸起结构以及设置在所述金属凸起结构上的至少一层金属层,本申请与现有布局方法相比,能够在不增加、甚至是缩小芯片管脚布局面积的同时,可以容纳更多的管脚,以此来有效减少多功能芯片在射频前端模组中占用的面积,从而减小射频前端模组的尺寸,缓解产品电路板面积紧张的压力。
  • 一种半导体封装结构射频前端模块产品

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