[发明专利]一种框架结构

权利要求书

1.一种框架结构，包括塑封体（1）和芯片（3），其特征在于：还包括电连接材料（4）、第一框架（5）和第二框架（6），芯片（3）设置在第一框架（5）上，且芯片（3）的底端与第一框架（5）电性连接，电连接材料（4）的一端与芯片（3）连接，电连接材料（4）的另一端与第二框架（6）连接，塑封体（1）塑封在芯片（3）、电连接材料（4）、第一框架（5）和第二框架（6）的外侧，第一框架（5）和第二框架（6）的两端伸出塑封体（1）的外侧，被塑封体（1）包裹的第一框架（5）和第二框架（6）的底部均设置为粗糙结构面，粗糙结构面设置为内凹的粗糙面结构，粗糙结构面增加第一框架（5）和第二框架（6）与塑封体（1）的粘合力，防止塑封体（1）与第一框架（5）和第二框架（6）分层，框架结构为功率二极管芯片框架结构。

2.根据权利要求1所述的一种框架结构，其特征在于：第一框架（5）和第二框架（6）均为铜片，第一框架（5）和第二框架（6）分别作为芯片的正负两极。

3.根据权利要求2所述的一种框架结构，其特征在于：内凹的粗糙面结构由冲压模具冲压在铜片上一体成型设置。

4.根据权利要求2所述的一种框架结构，其特征在于：内凹的粗糙面结构设置为内凹麻点结构、内凹网格结构或者内凹蜂窝结构。

5.根据权利要求3所述的一种框架结构，其特征在于：内凹的粗糙面结构的内凹深度为铜片厚度的百分之五至百分之十二。

6.根据权利要求4所述的一种框架结构，其特征在于：内凹麻点结构由若干个向内凹陷的半球体面构成， 半球体面与半球体面之间间隔设置，半球体面与半球体面的间隔距离大于等于半球体面半径的二分之一。

7.根据权利要求4所述的一种框架结构，其特征在于：内凹网格结构内的网格为正方形、长方形或者等边三角形，网格与网格之间的间距为0.01-0.02mm。

8.根据权利要求1所述的一种框架结构，其特征在于：第一框架（5）和第二框架（6）的厚度为0.2-0.8mm，第一框架（5）设置为负极框架，第二框架（6）设置为正极框架。

9.一种功率管框架结构，其特征在于：包括塑封体（1）和若干块芯片（3）、电连接材料（4）、第一框架（5）和第二框架（6），芯片（3）为功率管芯片，若干块功率管芯片并排设置在第一框架（5）上，且若干块芯片（3）的底端与第一框架（5）电性连接，电连接材料（4）的一端与若干块芯片（3）连接，电连接材料（4）的另一端与第二框架（6）连接，塑封体（1）塑封在芯片（3）、电连接材料（4）、第一框架（5）和第二框架（6）的外侧，第一框架（5）和第二框架（6）的两端伸出塑封体（1）的外侧，被塑封体（1）包裹的第一框架（5）和第二框架（6）的底部均设置为粗糙结构面，粗糙结构面增加第一框架（5）和第二框架（6）与塑封体（1）的粘合力，防止塑封体（1）与第一框架（5）和第二框架（6）分层，若干块功率管芯片并联设置。

10.根据权利要求9所述的一种功率管框架结构，其特征在于：电连接材料（4）为铝线、铝带或者铜带，每块功率管芯片设置若干条电连接材料（4）与第二框架（6）连接。