[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

氧化层，沉积于所述衬底的表面，所述氧化层上形成多个有源槽；

多个隔离槽，形成于所述衬底中，所述隔离槽与所述有源槽相对应；以及

有源区材料，形成于所述有源槽中，并与所述衬底相接，且相邻所述有源区材料之间完全隔离；

其中，所述有源区材料靠近所述衬底的侧面的面积表示为第一面积，所述有源区材料远离所述衬底的侧面的面积表示为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积，所述第二面积小于所述隔离槽的上开口面积。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离槽在竖直方向的切面为凹字形。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源槽的中轴线与对应的所述隔离槽的中轴线位于同一直线上。

4.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

获取衬底；

对所述衬底的表面进行沉积处理，以在所述衬底上沉积氧化层；

对所述氧化层上进行蚀刻处理，以在所述氧化层上形成多个有源槽；

对所述有源槽内的所述衬底进行自对准氧离子注入反应处理，以在所述衬底中形成多个隔离槽，其中，所述隔离槽与所述有源槽相对应；

对所述有源槽进行外延处理，以在所述有源槽中形成有源区材料，其中，所述有源区材料与所述衬底相接，所述有源区材料靠近所述衬底的侧面的面积表示为第一面积，所述有源区材料远离所述衬底的侧面的面积表示为第二面积，所述第一面积小于所述第二面积，相邻所述有源区材料之间完全隔离，所述第二面积小于所述隔离槽的上开口面积。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述隔离槽在竖直方向的切面为凹字形，所述有源槽的中轴线与对应的所述隔离槽的中轴线位于同一直线上。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述对所述衬底的表面进行沉积处理，以在所述衬底上沉积氧化层的步骤中，沉积气体包括氧气和硅烷，沉积条件包括所述氧气的气体流量在20sccm～40sccm的范围内，所述硅烷的气体流量在10sccm～30sccm的范围内，气压在90kPa～110kPa的范围内，反应温度在400℃～800℃的范围内，反应时间在10min～30min的范围内。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所述氧化层上进行蚀刻处理，以在所述氧化层上形成多个有源槽的步骤包括：

对所述氧化层的表面进行沉积处理，以在所述氧化层上沉积掩膜层；

对所述掩膜层与所述氧化层进行蚀刻处理，以在所述氧化层上形成多个有源槽；

对所述掩膜层进行清理，以去除所述氧化层表面的其余所述掩膜层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述对所述掩膜层与所述氧化层进行蚀刻处理，以在所述氧化层上形成多个有源槽的步骤中，蚀刻气体为四氟化碳，蚀刻条件表示为所述四氟化碳的气体流量在100sccm～500sccm的范围内，气压在1mtorr～5mtorr的范围内，输入功率在200W～500w的范围内。

9.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述对所述有源槽内的所述衬底进行自对准氧离子注入反应处理，以在所述衬底中形成多个隔离槽的步骤中，注入条件表示为离子加速能量在50KeV～100KeV的范围内，氧离子束与竖直方向的夹角在10°～20°的范围内，氧离子束的注入剂量在5*10¹⁵cm^-2～1*10¹⁶cm^-2的范围内。

10.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述对所述有源槽进行外延处理，以在所述有源槽中形成有源区材料的步骤中，外延气体为二氯二氢硅和氯化氢，外延条件表示为所述二氯二氢硅的气体流量在200sccm～400sccm的范围内，所述氯化氢的气体流量在300sccm～400sccm的范围内，气压在10Torr～30Torr的范围内，反应温度在750℃～950℃的范围内。