[发明专利]一种具有分离式基板的晶圆级集成结构

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，提出一种具有分离式基板的晶圆级集成结构，包括：第一印刷电路板；多个相互分离的基板，其布置在所述第一印刷电路板的第一面上；转接板，其布置在所述多个基板上；以及多个芯片，其布置在所述转接板上。该结构使用相互分离的多个基板，可以解决基板的尺寸问题，通过基板内部的走线，可以使转接板扇出的C4凸块的间距变大。

技术领域

本发明总的来说涉及半导体制造技术领域。具体而言，本发明涉及一种具有分离式基板的晶圆级集成结构。

背景技术

晶圆级封装(WLP，Wafer Level Package)是指直接在晶圆上进行大多数或者全部的封装测试程序后，再进行切割(Singulation)以形成单颗的芯片组件的封装技术。晶圆级封装具有封装尺寸较小以及电性表现较好的优点，目前已被广泛应用于低脚数消费性集成电路(IC，Integrated Circuit)的封装。

现有技术中，中国专利“CN114823592A”公开了一种晶上系统结构及其制备方法，该结构包括晶圆基板、集成芯粒、系统配置板和系统散热模组。所述晶圆基板和集成芯粒通过晶圆基板上表面的晶圆微凸点阵列和集成芯粒下表面的芯粒微凸点阵列键合相连；所述晶圆基板和系统配置板通过晶圆基板上的铜柱阵列和系统配置板下表面的焊盘键合相连；晶圆基板和系统配置板之间设有塑封层，塑封晶圆基板、集成芯粒和铜柱阵列；所述集成芯粒之间通过晶圆基板的顶部设置的重布线层电连接；所述系统配置板通过所述重布线层以及铜柱阵列与集成芯粒电连接；所述系统散热模组贴合在晶圆基板的下表面。

然而现有技术仍存在下列问题：多个晶圆级芯片之间的连接数量有限；晶圆级芯片之间互联线的数量受限；晶圆级芯片之间带宽受限；晶圆级芯片之间的通信通路长，因此需要借道转接板(Interposer)、基板(Substrate)或者印刷电路板(PCB)来进行通信，其供电通路长、散热效果差。

发明内容

为至少部分解决现有技术中的上述问题，本发明提出一种具有分离式基板的晶圆级集成结构，包括：

第一印刷电路板；

多个相互分离的基板，其布置在所述第一印刷电路板的第一面上；

转接板，其布置在所述多个基板上；以及

多个芯片，其布置在所述转接板上。

在本发明一个实施例中规定，所述多个基板通过球栅阵列与所述第一印刷电路板的第一面连接，其中每个基板与所述多个芯片的其中之一对应；和\或

所述多个基板通过C4凸块与所述转接板的第二面连接。

在本发明一个实施例中规定，所述多个芯片通过微凸块与所述转接板的第一面连接。

在本发明一个实施例中规定，所述转接板上设有硅通孔。

在本发明一个实施例中规定，所述芯片包括多个同构芯片和\或多个裸芯片，所述同构芯片包括计算芯片、接口芯片以及存储芯片。

在本发明一个实施例中规定，多个所述芯片通过混合键合互联。

在本发明一个实施例中规定，所述具有分离式基板的晶圆级集成结构还包括垂直供电模块，其包括：

多个直流输入端；

多个电压调节电路板，所述电压调节电路板与所述直流输入端连接；

多个电源连接器，所述电源连接器与所述电压调节电路板连接；

第二印刷电路板，其第二面与所述多个电源连接器连接，其中所述第二印刷电路板被配置为增加机械强度；以及

多个二级电源模组，其与所述第二印刷电路板的第一面连接，并且与所述第一印刷电路板模块的第二面连接。