[发明专利]一种超低漏电低电容瞬态抑制器件

说明书

本发明公开了一种超低漏电低电容瞬态抑制器件，包括抑制器本体，所述抑制器本体的内壁安装有元件，所述元件的两侧外壁均安装有引脚，所述抑制器本体的外壁对称安装有收纳槽，所述收纳槽的外壁固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部设置有旋钮，所述旋钮的底部固定连接有螺纹杆，所述螺纹杆的外壁环绕安装有滑环，所述滑环的外壁对称连接有驱动板。本发明通过安装有螺纹杆和吸盘可以有效的提高超低漏电低电容瞬态抑制器件安装的稳定性，转动旋钮带动螺纹杆转动，螺纹杆转动时使第一滑动块带动吸盘与安装平面接触后，吸附在安装平面上，进而提高了超低漏电低电容瞬态抑制器件安放的稳定性，达到提高超低漏电低电容瞬态抑制器件安装稳定性的目的。

技术领域

本发明涉及电容瞬态抑制器件技术领域，具体为一种超低漏电低电容瞬态抑制器件。

背景技术

超低漏电低电容瞬态抑制器件是一种可防止过电压损坏敏感电子元件的设备，也被称作瞬态抑制二极管简称TVS，由P-N结面积组成，可分为单向TVS管和双向TVS管，单向的有正负极，双向的没有正负极，广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等，现有的超低漏电低电容瞬态抑制器件咋进行使用时，大多是使用引脚来与电子设备内部电路板进行固定连接的，自身并不具备提高位置安放稳定性的结构，在将超低漏电低电容瞬态抑制器件进行连接后，使用期间位置易发生晃动，长时间后易造成连接松动，影响使用效果。

现有的超低漏电低电容瞬态抑制器件存在的缺陷是：

1、专利文件CN212434623U公开了一种低电容瞬态电压抑制器，“采用衬底硅片，在TVS器件结构基础上，在衬底与外延之间增加N+埋层，并通过深N+/浅N+区引出，或者，在衬底与外延之间增加P+埋层，并通过深P+/浅P+区引出。本实用新型与传统低容结构的TVS器件，在不增加硅片面积的情况下，通过增加电流导通面积，使抗浪涌及静电释放的能力得以大幅提升，满足高速信号传输端口的要求，可以应用在诸如网口、RJ45、无线局域网、笔记本电脑等设备中”，然而上述公开文献的一种低电容瞬态电压抑制器，主要考虑使抗浪涌及静电释放的能力得以大幅提升，满足高速信号传输端口的要求的问题，没有考虑到提高安装位置稳定性的问题，因此，有必要研究出一种可以提高超低漏电低电容瞬态抑制器件安装稳定性的结构，进而能够有效的防止超低漏电低电容瞬态抑制器件在使用期间位置晃动；

2、专利文件CN208522463U公开了一种单通道低电容瞬态电压抑制器件，“它涉及半导体微电子技术领域；整流二极管一的正极与TVS管通过第一连接体固定连接，整流二极管一的负极、整流二极管二的正极通过第一连接体电性连接，TVS管的负极与整流二极管二的负极通过第二连接体电性连接，两个第一连接体上分别设置有连接柱与接地柱，两个L形连接片的一端通过加强片体固定连接，两个L形连接片的另一端均固定安装有引脚固定管，加强片体的中部垂直的固定连接有直形连接片，直形连接片的末端固定安装有固定圈体；提高了连接的强度，且在使用时能实现快速固定，使用方便，且操作简便；在使用时不易出现脱离的现象，延长了使用寿命”，然而上述公开文献的一种单通道低电容瞬态电压抑制器件，主要考虑提高了连接的强度，且在使用时能实现快速固定，没有考虑到提高散热效率的问题，因此，有必要研究出一种可以提高超低漏电低电容瞬态抑制器件散热效率的结构，进而能够延长超低漏电低电容瞬态抑制器件的使用寿命；