[发明专利]半导体器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件设置有多个焊盘，所述多个焊盘中的至少部分所述焊盘形成有多个凹陷部和至少一个凹陷连通部，所述多个凹陷部呈多行多列设置，所述凹陷连通部用于连接同一行中相邻的两个所述凹陷部，或者，所述凹陷连通部用于连接同一列中相邻的两个所述凹陷部；

所述多个凹陷部和所述凹陷连通部共同形成接触图案，所述接触图案可用于识别所述半导体器件的规格信息。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述接触图案包括多个信息单元，所述信息单元可用于指示数值N；

所述信息单元包括M个所述凹陷部，以及用于连接M个所述凹陷部的N个所述凹陷连通部，N大于或等于0。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述信息单元中，M个所述凹陷部同行设置，所述凹陷连通部连接同一行中相邻的两个所述凹陷部；

或者，M个所述凹陷部同列设置，所述凹陷连通部连接同一列中相邻的两个所述凹陷部；

或者，M个所述凹陷部呈多行多列设置，所述凹陷连通部连接同一行中相邻的两个所述凹陷部，和/或，所述凹陷连通部连接同一列中相邻的两个所述凹陷部。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述接触图案包括多个信息部，所述信息部配置为：多个所述信息单元通过M进制编码，以形成所述信息部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述信息部包括沿所述凹陷部行方向排列的多个所述信息单元；

在所述信息单元中，M设置为2，两个所述凹陷部同列设置，多个所述信息单元通过二进制编码，以形成所述信息部；

所述二进制编码配置为：所述两个凹陷部通过所述凹陷连通部连通，以形成所述二进制编码中的数字1；所述两个凹陷部间隔设置，以形成所述二进制编码中的数字0。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述信息部中，所述信息单元的列数等于所述二进制编码的位数，以使多个所述信息单元指示一个二进制数值，所述二进制数值用于指示所述半导体器件的规格信息。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述信息部中，四列所述信息单元用于形成一位十进制数字；

在所述信息单元的行方向上，至少一位所述十进位数字形成一个十进制数值，所述十进制数值用于指示所述半导体器件的规格信息。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述M进制编码设置为二进制编码、三进制编码、四进制编码和十进制编码中的一种。

9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件设置为功率型半导体器件；

所述功率型半导体器件还包括层间绝缘膜，经由所述层间绝缘膜的开口的部分即接触孔，功率型半导体器件的半导体层与所述焊盘接触且电连接；

在所述功率型半导体器件的所述半导体层与所述焊盘之间的所述接触孔呈多行多列设置，接触孔连通部用于连接同一行中相邻的两个所述接触孔，或者，接触孔连通部用于连接同一列中相邻的两个所述接触孔；

所述焊盘在所述接触孔的相应位置处形成凹陷部，所述焊盘在所述接触孔连通部的相应位置处形成所述凹陷连通部；

相对应的，所述焊盘的多个所述凹陷部呈多行多列设置，所述焊盘的所述凹陷连通部用于连接同一行中相邻的两个所述凹陷部，或者，所述焊盘的所述凹陷连通部用于连接同一列中相邻的两个所述凹陷部；多个所述凹陷部和所述凹陷连通部共同形成所述接触图案。