[发明专利]一种芯片验证封装在审

专利信息
申请号: 202310008903.3 申请日: 2023-01-04
公开(公告)号: CN115985875A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 张鹏;戴鑫宇 申请(专利权)人: 江苏索力德普半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/15;H01L23/544
代理公司: 无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376 代理人: 张悦
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 验证 封装
【说明书】:

本发明公开了一种芯片验证封装,技术方案包括DBC基板和侧板,所述侧板竖直设置在DBC基板的边缘,进而所述DBC基板和侧板围成立方形的空腔;包括衬片一、衬片二、衬片三和衬片四,所述衬片一、衬片二、衬片三和衬片四焊接在DBC基板上并且与DBC基板电气连接,所述衬片一、衬片二、衬片三和衬片四上分别竖直设置有pin针一、pin针二、pin针三和pin针四,本发明的优点在提供集成传感器芯片的安装空间,避免pin针和芯片背面散热造成信号干扰,方便直接测量芯片性能。

技术领域

本发明涉及芯片封装领域,尤其涉及一种芯片验证封装。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点,被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。伴随着随着IGBT模块封装技术的持续进步和应用要求的不断提高,为了使智能功率模块的优点得到充分的体现,同时更好地保护模块内部的芯片,选择在模块内部集成了传感器。

目前CN108288616A名称为芯片封装的中国专利,其公开了包括:一第一半导体芯片,一第二半导体芯片,一聚合物层设置在该第一半导体芯片与该第二半导体芯片之间,一第一金属层位于该第一半导体芯片、该第二半导体芯片及该聚合物层上,其中第一金属层连接该第一半导体芯片与该第二半导体芯片,一第一介电层位于该第一金属层上且在该第一半导体芯片、该第二半导体芯片及聚合物层上方,一第二金属层位于该第一介电层、该第一半导体芯片、该第二半导体芯片及聚合物层上方;一第二介电层位于第二金属层上,且位于该第一介电层、该第一半导体芯片、该第二半导体芯片及聚合物层上方;以及一第一金属凸块位于该第二金属层上。

但是目前遇到以下问题:

现有的封装尺寸固定,随着在越来越多的大尺寸IGBT和FRD(高压定相器),且在IGBT芯片中集成了传感器,一方面现有的封装尺寸不够不能够将这些大尺寸IGBT和FRD芯片容纳,另一方面pin针和芯片背面散热造成信号干扰,导致IGBT芯片的传感器失真,不能直接测量芯片性能。

发明内容

针对上述现有技术的缺点,本发明的目的是提供一种芯片验证封装,其优点在提供集成传感器芯片的安装空间,避免pin针和芯片背面散热造成信号干扰,方便直接测量芯片性能。

本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:

一种芯片验证封装,其特征在于:

包括DBC基板和侧板,所述侧板竖直设置在DBC基板的边缘,进而所述DBC基板和侧板围成立方形的空腔;

包括衬片一、衬片二、衬片三和衬片四,所述衬片一、衬片二、衬片三和衬片四焊接在DBC基板上并且与DBC基板电气连接,所述衬片一、衬片二、衬片三和衬片四上分别竖直设置有pin针一、pin针二、pin针三和pin针四。

进一步的,所述衬片一的端部设置有矩形的焊接部一,所述pin针一的尾部焊接在焊接部一上。

进一步的,所述衬片二的端部设置有矩形的焊接部二,所述pin针二的尾部焊接在焊接部二上,所述衬片二远离焊接部二的端设呈90°弯折。

进一步的,所述衬片三的端部设置有矩形的焊接部三,所述pin针三的尾部焊接在焊接部三上,所述衬片三远离焊接部三的端设呈90°弯折。

进一步的,所述衬片四的端部设置有矩形的焊接部四,所述pin针四的尾部焊接在焊接部四上,所述衬片四远离焊接部四的端设呈90°弯折。

进一步的,所述DBC基板杉焊接有面板一,所述面板一上焊接有水平布置的pin针五,所述pin针五的头部伸出侧板。

进一步的,所述DBC基板杉焊接有面板二,所述面板二上焊接有水平布置的pin针六,所述pin针六的头部伸出侧板。

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