[实用新型]一种芯片封装中间结构有效
| 申请号: | 202223029602.9 | 申请日: | 2022-11-15 |
| 公开(公告)号: | CN219144169U | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
| 发明(设计)人: | 严博;钟添宾;诸舜杰 | 申请(专利权)人: | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/492 |
| 代理公司: | 深圳睿臻知识产权代理事务所(普通合伙) 44684 | 代理人: | 李磊 |
| 地址: | 200120 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 封装 中间 结构 | ||
本申请实施例提供了一种芯片封装中间结构,所述金属框架上表面设置有凹槽或凸起,待封装芯片下表面通过导电连接层设置在所述凹槽中或者凸起上表面,可以避免现有技术中存在的整个封装过程中芯片会出现倾斜或者导电连接层会包覆待封装芯片问题出现,导致整个芯片封装效果不好,影响芯片性能问题的出现。
技术领域
本申请实施例涉及芯片封装技术领域,尤其涉及芯片封装中间结构。
背景技术
现有的芯片进行封装时,金属框架都是平面的,所以在整个封装过程中芯片会出现倾斜或者导电连接层会包覆待封装芯片问题出现,导致整个芯片封装效果不好,影响芯片性能。
发明内容
为了解决现有技术中存在的技术问题。
本申请实施例提供了一种芯片封装中间结构,包括:金属框架;
所述金属框架上表面设置有凹槽或凸起,待封装芯片下表面通过导电连接层设置在所述凹槽中或者凸起上表面。
作为本申请一优选实施例,所述导电连接层为金属锡层。
作为本申请一优选实施例,所述凹槽的横截面或者所述凸起的横截面与所述芯片横截面一致。
作为本申请一优选实施例,所述导电连接包覆所述凸起的侧面,所述导电连接层填充满所述凹槽。
作为本申请一优选实施例,所述凹槽深度小于待封装芯片的厚度,所述凸起高度小于待封装芯片的厚度。
与现有技术相比,本申请实施例提供了一种芯片封装中间结构,所述金属框架上表面设置有凹槽或凸起,待封装芯片下表面通过导电连接层设置在所述凹槽中或者凸起上表面,可以避免现有技术中存在的整个封装过程中芯片会出现倾斜或者导电连接层会包覆待封装芯片问题出现,导致整个芯片封装效果不好,影响芯片性能问题的出现。
附图说明
图1为现有技术中的一种芯片封装中间结构的结构示意图;
图2为现有技术中的另一种芯片封装中间结构的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种芯片封装结构的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请的技术方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
如图1所示,图1为现有技术提供的一种芯片封装中间结构的结构示意图,在现有技术中,金属框架01为平面结构,当待封装芯片03在导电连接层02锡上下压固定,回流冷却后,导电连接层02锡的分布将比较均匀,待封装芯片有一定的倾斜,这样会导致芯片封装效果不好影响芯片的性能。
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