[实用新型]半导体封装结构有效
申请号: | 202222789456.3 | 申请日: | 2022-10-21 |
公开(公告)号: | CN218585988U | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 吕文隆;黄敏龙 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;G02B6/42 |
代理公司: | 北京植众德本知识产权代理有限公司 16083 | 代理人: | 高秀娟 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
本申请提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括光子芯片,光子芯片主动面设有光学传感器;光学器件,设于光学传感器的上方;透镜,设于光学传感器和光学器件之间,透镜相对于光学传感器或光学器件移动。可以利用磁力来调整透镜的角度,借此来改变光行径的路径以及光径尺寸。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,具体涉及半导体封装结构。
背景技术
在硅光子(Silicon Photonics,SIPH)结构中,光线会在光线阵列单元(FAU,FiberArray Unit)与光子芯片(PIC,photonic integrated circuit)上的光学传感器(PhotoSensor)之间传递与耦合,两者之间的对位必须精准。在一个情形下,为了减少偏差避免影响良率,通常会增加光学传感器的面积,虽然光学传感器面积的增加可以提升光线在光线阵列单元与光学传感器之间传递的成功率,却不利于产品的微小化以及造成无效成本的增加。
此外,为了配合FAU对SIPH外部收发光,PIC的Photo Sensor会设置于邻近边缘处。上述限制都是因为光在FAU与PIC的Photo Sensor之间传递的路径为固定直线传播所造成。在一个情形下,受限于光直线传递且光径无法缩小使得耦光的PIC的Photo Sensor尺寸大小与设置位置受到限制的问题可以借由让改变光传递路径与光径来解决,例如加上镜子(mirror)或透镜(lens),但在设置上仍有对位的精准度问题。
实用新型内容
本申请提供了一种半导体封装结构,包括:
光子芯片,所述光子芯片主动面设有光学传感器;
光学器件,设于所述光学传感器的上方;
透镜,设于所述光学传感器和所述光学器件之间,所述透镜相对于所述光学传感器或所述光学器件移动。
在一些可选的实施方式中,所述光子芯片具有驱动装置。
在一些可选的实施方式中,所述驱动装置为磁力驱动装置。
在一些可选的实施方式中,所述磁力驱动装置包含电磁线圈,用于将电力转换成磁力。
在一些可选的实施方式中,所述透镜包含对应于所述磁力的磁铁。
在一些可选的实施方式中,所述半导体封装结构还包括:
第一重布线结构,设于所述光子芯片的上方,所述第一重布线结构具有对应所述光子芯片主动面的第一开口。
在一些可选的实施方式中,所述第一重布线结构的导通孔的宽度从所述光学器件朝向所述光子芯片的方向上渐宽。
在一些可选的实施方式中,所述光子芯片具有第二重布线结构,所述第二重布线结构的导通孔的宽度从所述光学器件朝向所述光子芯片的方向上渐窄。
在一些可选的实施方式中,所述光学器件与所述光子芯片分别设置于所述第一重布线结构的相对侧。
在一些可选的实施方式中,所述透镜设置于所述第一重布线结构的第一开口中。
在一些可选的实施方式中,所述光学传感器设置于所述第二重布线结构的第二开口中。
在一些可选的实施方式中,所述透镜改变光学器件发出的光线尺寸。
在一些可选的实施方式中,所述透镜为凸透镜。
在一些可选的实施方式中,所述透镜为双凸透镜。
在一些可选的实施方式中,所述双凸透镜之间有两次成形的结合面。
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