[实用新型]一种用于芯片封装的框架结构

说明书

本申请涉及一种用于芯片封装的框架结构，其特征在于，包括：第一平台；第二平台；以及连接桥，连接在所述第一平台和所述第二平台之间；其中，所述第二平台和所述第一平台布置在不同的平面，所述第二平台所在平面与所述第一平台所在平面平行；其中所述第一平台的下表面和所述第二平台的上表面作为封装的散热表面。本申请还涉及一种芯片封装结构以及一种电子设备。本申请涉及的用于芯片封装的框架结构形成双面散热的结构，在低成本、易实施的前提下大大提高了功率晶体管封装的散热性能。

技术领域

本申请涉及一种框架结构，特别地涉及一种用于芯片封装的框架结构。

背景技术

氮化镓(GaN)功率晶体管作为新一类的功率开关器件，提供了优秀的高频开关速度。这是由于它本身具有远低于传统硅(Si)器件的栅电荷×导通电阻(Qg·Ron)特性决定的。传统硅器件通常只提供低于200kHz的开关频率,氮化镓功率晶体管器件则可以在高于10MHz的频率下工作，因此在各类高频集成电路应用中被广泛使用。

在功率开关器件的特性中，散热能力往往决定了器件多方面性能的上限。特别是对于工作在高频条件下的氮化镓功率晶体管器件而言，进一步提升散热能力就显得尤为重要。而散热能力在很大程度上由器件的封装所决定。

现有的氮化镓功率晶体管器件通常采用引线框架类封装，如：PQFN(Power QuadFlat No-lead,功率四方扁平无引脚)封装、TO(Transistor Outline，晶体管外形)系列封装等。上述两类封装的共同特点是比较标准、容易获得、价格低廉。但如果将这两类封装专门用于氮化镓功率晶体管器件的封装，它们又分别具有各自的优缺点。

PQFN是一种表面贴装型塑料封装，优点是寄生效应较小，缺点则是散热效果受限。PQFN封装通过底面金属进行散热，器件贴装于系统的PCB板上，最终热量经由PCB板散出。如果系统的PCB板基础温度较高，将非常影响器件的散热效果。

与PQFN封装相比，TO类封装由于可以让热沉直接接触散热器，对器件散热效果的限制有所减小，但TO类封装寄生电感过大，并不适合用于氮化镓功率晶体管这类高速高频半导体器件。

综上所述，针对氮化镓功率晶体管器件，需要一种既能同样做到成本低、易实施，又兼具上述两类现有封装的优点：不单纯依赖系统PCB板散热、且寄生效应小的封装。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题，本申请提出了一种用于芯片封装的框架结构，包括：第一平台；第二平台；以及连接桥，连接在所述第一平台和所述第二平台之间；其中，所述第二平台和所述第一平台布置在不同的平面，所述第二平台所在平面与所述第一平台所在平面平行；其中所述第一平台的下表面和所述第二平台的上表面作为封装的散热表面。

特别的，还包括边框，与所述第一平台连接并包围所述第一平台。

特别的，还包括一个或多个立柱，从所述第二平台下表面向所述边框延伸，并与所述边框连接。

特别的，其中所述第二平台在所述第一平台所在平面的投影覆盖部分所述第一平台。

特别的，其中所述连接桥的宽度等于所述第一平台或所述第二平台的宽度。

特别的，其中所述连接桥的宽度大于等于0.1mm。

本申请还提出了一种芯片封装结构，包括：基板；框架，包括：第一平台；第二平台；以及连接桥，连接在所述第一平台和所述第二平台之间；其中，所述第二平台和所述第一平台布置在不同的平面，所述第二平台所在平面与所述第一平台所在平面平行；晶体管，固定在所述第一平台的上表面并电连接至所述基板的电极；以及塑料封装，位于所述基板上，覆盖所述框架和所述晶体管；其中，所述框架安装在所述基板上，所述第一平台穿过并嵌入所述基板，所述第一平台的下表面从所述基板的下表面露出作为散热表面；所述第二平台穿过并嵌入所述塑料封装，所述第二平台的上表面从所述塑料封装的顶表面露出作为散热表面。