[实用新型]功率半导体模块及功率半导体模块组有效

专利信息
申请号: 202221198691.7 申请日: 2022-05-11
公开(公告)号: CN217544596U 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 朱楠;徐贺;史经奎;邓永辉;梅营 申请(专利权)人: 致瞻科技(上海)有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473;H01L23/528
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 刘兵
地址: 201114 上海市闵*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块包括:

散热基板,所述散热基板内部设置有散热流道和导电过孔;

导体层,设置于所述散热基板的正面和背面,且设置于正面和背面的所述导体层通过所述导电过孔相互连接;

功率半导体芯片,设置于所述散热基板的正面,且位于所述导体层上,与所述导体层连接;

功率引脚和门极控制引脚,与所述散热基板的正面的导体层连接,用于连接至外部电路。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块还包括垫高块,设置于所述功率半导体芯片的正面;

所述散热基板还设置于所述垫高块的顶部,且设置于所述功率半导体芯片两面的所述散热基板相对设置。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,设置于所述散热基板的正面的导体层包括:

第一导体单元,设置于所述散热基板的两端,且与所述功率引脚和门极控制引脚连接;

第二导体单元,设置于所述第一导体单元的内侧,且所述功率半导体芯片设置于所述第二导体单元上;

第三导体单元,设置于所述第二导体单元和所述散热基板一端的所述第一导体单元之间,与所述功率半导体芯片连接。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块,其特征在于,设置于所述散热基板的背面的导体层包括依次排列的第四导体单元、第五导体单元和第六导体单元,其中,所述第四导体单元与位于散热基板另一端的所述第一导体单元、第二导体单元在所述散热基板的平面位置对应,且通过所述导电过孔连接,所述第五导体单元与靠近所述散热基板中央的所述第二导体单元在所述散热基板的平面位置对应,且通过所述导电过孔连接,所述第六导体单元与位于所述散热基板一端的所述第一导体单元、第三导体单元在所述散热基板的平面位置对应,且通过所述导电过孔连接。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述散热基板包括陶瓷材料。

6.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体芯片与所述导体层通过键合线、键合带或铜夹连接。

7.根据权利要求2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述垫高块包括Cu、CuMo或AlSiC。

8.一种功率半导体模块组,其特征在于,所述功率半导体模块组包括:

至少三个如权利要求4所述的功率半导体模块;

系统负母线铜排,与每个所述功率半导体模块的第四导体单元连接;

系统正母线铜排,与每个所述功率半导体模块的第六导体单元连接;

系统输出母线铜排,与每个所述功率半导体模块的第导体单元连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于致瞻科技(上海)有限公司,未经致瞻科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221198691.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top