[发明专利]一种集成封装器件及其制作方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，提供一种集成封装器件及其制作方法，其中的集成封装器件包括基板、光电半导体层、硅胶反射层、光转换层以及表面保护层；所述光电半导体层包括多个作为发光元件的LED芯片，多个所述LED芯片呈矩阵式排列设置在所述基板上；所述硅胶反射层包裹在各LED芯片四周；所述光转换层覆盖在所述光电半导体层和所述硅胶反射层上；多个所述LED芯片之间的光转换层上均设有用于吸光的凹槽；所述表面保护层覆盖在所述光转换层以及所述凹槽上。本发明有效提升集成封装器件的发光对比度，并且对亮度影响小。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种集成封装器件及其制作方法。

背景技术

随着照明技术的发展，将LED光源像素化，实现智慧型矩阵式小间距照明成为发展趋势，对能兼容更高像素的封装结构的需求日益迫切。现有的主流封装技术为了提升对比度，减少像素间的串光现象，会在发光二极管层各像素间填充黑色封装胶，或是黑色挡墙，由于黑色挡墙对亮度影响十分显著，会使得器件的亮度大幅变低。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点，本发明的目的是提供一种集成封装器件，该器件有效提升光源的对比度，并且对亮度影响小。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种集成封装器件，包括基板、光电半导体层、硅胶反射层、光转换层以及表面保护层，所述光电半导体层包括多个作为发光元件的LED芯片，多个所述LED芯片呈矩阵式排列设置在所述基板上，所述硅胶反射层包裹在各LED芯片四周，所述光转换层覆盖在所述光电半导体层和所述硅胶反射层上；多个所述LED芯片之间的光转换层上均设有用于吸光的凹槽；所述表面保护层覆盖在所述光转换层以及所述凹槽上。

作为优选，所述凹槽内设有吸光材料。

作为优选，所述吸光材料为由激光加工所述凹槽时所形成的碳粉。

作为优选，所述凹槽内填充有空气，多个所述LED芯片之间的凹槽形成空气间隔槽。

作为优选，所述凹槽延伸至所述硅胶反射层中。

作为优选，各所述LED芯片之间的间隙为0.03mm-1mm。进一步地，本实施例的各LED芯片可以设置为单独控制，均可单独发亮或区域发亮。

作为优选，所述光转换层包括硅胶和荧光材料。

作为优选，所述硅胶反射层的最大厚度小于所述光电半导体层的厚度；所述硅胶反射层由硅胶及反射材料组成，所述反射材料包括TiO2。

作为优选，所述表面保护层包括硅胶。

本发明的另一目的在于提供一种用于制作上述集成封装器件的方法。具体地：

一种集成封装器件制作方法，包括以下步骤：

(1)将多颗倒装式LED芯片的正负极与基板进行共晶焊连接，使得多颗LED芯片与基板组成串联或并联电路；多颗所述LED芯片呈矩阵式排列设置在所述基板上，形成光电半导体层；

(2)通过点胶的方式，在各LED芯片周围及多颗LED芯片的间隙中填入封装硅胶及反射材料，形成硅胶反射层；

(3)通过喷涂的方式，在所述光电半导体层以及所述硅胶反射层表面固定光转换材料，形成光转换层；

(4)采用高精度激光的加工方式，在多颗所述LED芯片之间的光转换层表面加工形成凹槽；

(5)通过喷涂或点胶的方式，在所述光转换层及各凹槽上方覆盖表面保护层。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：