[发明专利]芯片封装和形成该芯片封装的方法在审
申请号: | 202211625442.6 | 申请日: | 2022-12-16 |
公开(公告)号: | CN116417413A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 谢征林;张豪健;沃恩·肯·达里尔韦;寮金基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李新燕 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 形成 方法 | ||
1.一种芯片封装,包括:
芯片,所述芯片具有至少一个接触垫;
接触结构,所述接触结构由至少一个连续纵向延伸的导电元件通过在至少三个接触位置将所述至少一个导电元件附接至所述接触垫而形成,其中,所述至少一个导电元件在成对的连贯接触位置之间弯曲远离所述接触垫;以及
包封件,所述包封件部分地包封所述接触结构,其中,所述包封件包括背离所述芯片的外表面,并且
其中,所述接触结构部分地暴露在所述外表面。
2.根据权利要求1所述的芯片封装,还包括:
导电材料,所述导电材料在所述外表面上布置成与暴露的所述接触结构接触。
3.根据权利要求1或2中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构包括四个或更多个接触位置,并且其中,所述接触结构的暴露部分形成二维图案。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述外表面的由所述接触结构的暴露部分封围的二维部分相当于所述外表面的至少50%。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构由具有沿着第一方向布置的接触位置的第一组连续纵向延伸的导电元件以及由具有沿着与所述第一方向平行或成角度的第二方向布置的接触位置的第二组连续纵向延伸的导电元件形成。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述包封件包括可电镀模制化合物或由可电镀模制化合物组成,所述可电镀模制化合物包括分散在介电基材中的导电颗粒。
7.根据权利要求6所述的芯片封装,
其中,所述导电材料包括使用从所述介电基材释放的所述导电颗粒而形成的导电层。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述导电材料包括沉积的金属层或金属合金层。
9.根据权利要求2至8中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述导电材料为导电夹。
10.根据权利要求2至9中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述导电材料构造为从所述包封件的外表面突出的多个单独的外部接触点。
11.根据权利要求10所述的芯片封装,
其中,多个单独的导电表面由可焊材料组成。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构包括粘结线或粘结带。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构和/或所述接触垫包括铜。
14.根据权利要求1至13中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构包括至少一个连续结构。
15.根据权利要求1至13中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构包括多个单独的接触段,所述多个单独的接触段中的每个接触段暴露在所述外表面。
16.根据权利要求1至15中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述芯片构造为功率半导体芯片。
17.根据权利要求1至16中的任一项所述的芯片封装,
其中,所述接触结构所附接至的所述接触垫为源极接触垫。
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