[发明专利]微型发光二极管封装芯片及其制备方法、发光装置在审

专利信息
申请号: 202211190922.4 申请日: 2022-09-28
公开(公告)号: CN115411158A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 陈书志 申请(专利权)人: 上海闻泰电子科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/50;H01L25/075;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62
代理公司: 广州德科知识产权代理有限公司 44381 代理人: 张雪梅;万振雄
地址: 200001 上海市黄浦区北*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 微型 发光二极管 封装 芯片 及其 制备 方法 发光 装置
【说明书】:

发明公开了一种微型发光二极管封装芯片及其制备方法、发光装置,该制备方法包括:提供电路结构及设置于电路结构一侧的异方性导电粘接层;提供多种微型发光二极管,每一种微型发光二极管均包括多个;将微型发光二极管转移至异方性导电粘接层,多个微型发光二极管均通过异方性导电粘接层电连接于电路结构,从而用于经由电路结构电连接外部驱动电路;在异方性导电粘接层的远离电路结构的一侧以及微型发光二极管的外表面设置封装结构;以及切割封装结构、异方性导电粘接层以及电路结构,得到包括多种微型发光二极管的微型发光二极管封装芯片。该制备方法需要的时间较短,且需要投入的材料成本较低。

技术领域

本发明涉及发光技术领域,尤其涉及一种微型发光二极管封装芯片及其制备方法、发光装置。

背景技术

相关技术中的微型发光二极管封装芯片的制备方法,采用将多种微型发光二极管经过多次转移翻面,并排片后,在阵列排布的多个微型发光二极管上制备形成电路结构,最后切割得到包括多种微型发光二极管的微型发光二极管封装芯片。但是,该制备方法包括多次转移翻面步骤,需要耗费较多的工序以及转移载板,制备时间成本以及材料成本均较高。

发明内容

本发明实施例公开了一种微型发光二极管封装芯片及其制备方法、发光装置,该微型发光二极管封装芯片的制备方法的工序较少,需要的时间较少以及材料成本均较低。

为了实现上述目的,第一方面,本发明公开了一种微型发光二极管封装芯片的制备方法,包括:

提供电路结构及设置于所述电路结构一侧的异方性导电粘接层;

提供多种微型发光二极管,每一种所述微型发光二极管均包括多个;

将所述微型发光二极管转移至所述异方性导电粘接层,多个所述微型发光二极管均通过所述异方性导电粘接层电连接于所述电路结构,从而用于经由所述电路结构电连接外部驱动电路;

在所述异方性导电粘接层的远离所述电路结构的一侧以及所述微型发光二极管的外表面设置封装结构;以及

切割所述封装结构、所述异方性导电粘接层以及所述电路结构,得到包括多种所述微型发光二极管的所述微型发光二极管封装芯片。

作为一种可选的实施方式,在本发明的实施例第一方面中,所述提供所述电路结构及设置于所述电路结构一侧的所述异方性导电粘接层,包括:

提供第一基板;

通过第一黄光工艺在所述第一基板的一侧表面形成多个间隔排列的电路单元,所述电路单元用于电连接于所述外部驱动电路;

在所述第一基板的形成有所述电路单元的一侧,以及所述电路单元上形成绝缘层,所述绝缘层的连接于所述第一基板的一侧表面为第一表面,所述绝缘层的远离所述第一基板的一侧表面为第二表面;

通过第二黄光工艺,对应于各所述电路单元,在所述第二表面上形成多个间隔排列的连通槽,各所述连通槽的槽底至少部分位于对应的所述电路单元的表面;

在所述第二表面以及所述连通槽设置所述异方性导电粘接层;

在所述切割所述封装结构、所述异方性导电粘接层以及所述电路结构,得到包括多种所述微型发光二极管的所述微型发光二极管封装芯片之前,所述微型发光二极管封装芯片的制备方法还包括:

分离所述第一基板与所述电路结构。

作为一种可选的实施方式,在本发明的实施例第一方面中,所述将所述微型发光二极管转移至所述异方性导电粘接层,多个所述微型发光二极管均通过所述异方性导电粘接层电连接于所述电路结构,从而用于经由所述电路结构电连接于所述外部驱动电路,包括:

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