[发明专利]封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片

说明书

本发明提供封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片，能够放宽对切入深度的精度的要求。封装基板包含：金属制的引线框架，其具有沿着分割预定线的格子状的第1框部以及从第1框部延伸的多个第1电极部；连接框架，其具有沿着分割预定线的格子状的第2框部以及从第2框部延伸的多个第2电极部，与引线框架的配设器件芯片的那侧重叠；以及模制树脂(12)，其将器件芯片和连接框架覆盖。第2电极部的前端呈凸状形成，与第1电极部连接，在对将第1电极部从第1框部切断而形成的第1电极部的切断面实施电场镀覆处理时，连接框架形成电极。

技术领域

本发明涉及封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片。

背景技术

使用将半导体器件芯片搭载于金属框体(引线框架)并利用模制树脂进行密封而得的封装基板(QFN封装基板)。在QFN封装基板的正面上通常按照沿着分割预定线(间隔道)露出的方式设置有由铜(Cu)形成的多个电极。多个电极分别在QFN封装基板的内部经由线等分别与器件芯片连接。

利用切削刀具沿着分割预定线将多个电极分割并将QFN封装基板切断，由此形成QFN封装芯片(例如参照专利文献1)。在这样形成的QFN封装芯片的侧部，铜制的电极露出。

专利文献1：日本特开2018-206995号公报

铜制的电极容易氧化，而且一旦氧化，则焊锡润湿特性降低。当焊锡润湿特性降低时，QFN封装芯片的电极难以借助焊锡固定于印刷基板等布线基板上。

因此，为了防止焊锡润湿特性的降低，已知有对铜制的电极中的至少在QFN封装芯片的侧部露出的部分实施镀覆处理的所谓的可润湿侧翼(wettable flank)。通过实施镀覆处理，铜制的电极与布线基板的焊锡接合部分的机械强度得到强化。在该情况下，在利用切削刀具将电极半切割而在电极上形成侧面然后对电极的正面和侧面实施了镀覆处理之后，利用薄的刀具对切削槽的中央进行切削而分割成各个封装芯片。

但是，在以规定的深度对电极进行半切割的情况下，封装基板存在厚度偏差及翘曲，因此难以形成高精度的切入深度的槽，当对金属进行半切割时，存在容易产生切削刀具的堵塞、电极(金属)的毛刺这样的多个课题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供能够放宽对切入深度的精度的要求的封装基板、封装基板的加工方法和封装芯片。

根据本发明的一个方式，提供封装基板，其是将搭载于框架的器件芯片利用模制树脂进行包覆而得的，其中，该封装基板包含：金属制的引线框架，其具有沿着将配置该器件芯片的支承部划分的分割预定线的格子状的第1框部以及从该第1框部向两侧延伸的多个第1电极部；连接框架，其与该引线框架的配设该器件芯片的那侧重叠，具有沿着该分割预定线的格子状的第2框部以及从该第2框部朝向两侧延伸的多个第2电极部；以及所述模制树脂，其将与该引线框架的该第1电极部电连接而配设的该器件芯片和该连接框架覆盖，该第2电极部的前端呈凸状形成而与该引线框架的该第1电极部连接，在对将该第1电极部从该第1框部切断而形成的该第1电极部的截面实施电场镀覆处理时，该连接框架形成电极。