[发明专利]半导体封装方法和半导体封装结构在审

专利信息
申请号: 202210779030.1 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN115117001A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 王承杰;林金涛 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/538;H01L25/18;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体封装方法,其特征在于,包括:

提供第一衬底;

在所述第一衬底上贴装第一电子器件,形成第一封装组件;其中,所述第一电子器件远离所述第一衬底的一侧设有第一导电胶膜;

提供第二衬底;

在所述第二衬底上贴装第二电子器件,形成第二封装组件;其中,所述第二衬底和/或所述第二电子器件上设有第一导电凸点;

翻转所述第二封装组件并贴装于所述第一封装组件;其中,所述第一导电凸点电连接所述第一导电胶膜,以使所述第一导电胶膜电连接所述第二电子器件与所述第二衬底,和/或,所述第一导电胶膜电连接所述第二衬底上的至少两个所述第二电子器件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,在所述第一衬底上贴装第一电子器件,形成第一封装组件步骤包括:在贴装所述第一电子器件的步骤之前或之后,在所述第一电子器件远离所述第一衬底的一侧形成第一导电胶膜。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,所述第一电子器件设有焊盘,在所述第一电子器件远离所述第一衬底的一侧形成第一导电胶膜的步骤包括:

在所述第一电子器件远离所述焊盘的一面贴设导电胶层,在所述导电胶层上形成导电轨迹线路。

4.根据权利要求3所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述导电胶层上形成导电轨迹线路的步骤包括:

利用激光切割方式,在所述导电胶层上形成导电轨迹线路。

5.根据权利要求3所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述第一电子器件远离所述焊盘的一面贴设导电胶层,在所述导电胶层上形成导电轨迹线路的步骤还包括:

多个所述第一电子器件间隔贴设在所述导电胶层上,所述导电胶层上设有切割道,利用激光切割方式形成导电轨迹线路后,沿所述切割道分切,形成具有导电轨迹线路的单个所述第一电子器件。

6.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述第一电子器件远离所述第一衬底的一侧形成第一导电胶膜的步骤之前,所述半导体封装方法还包括:

研磨所述第一电子器件,使所述第一电子器件的厚度减至预设厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述第一电子器件包括正装芯片和第一倒装芯片,所述在所述第一衬底上贴装第一电子器件的步骤包括:

在所述第一衬底上贴装所述正装芯片;

在所述正装芯片远离所述第一衬底的一侧贴装所述第一倒装芯片,所述第一倒装芯片远离所述正装芯片的一侧设有所述第一导电胶膜。

8.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述正装芯片远离所述第一衬底的一侧贴装所述第一倒装芯片的步骤包括:

将所述第一倒装芯片贴装于相邻的两个所述正装芯片上。

9.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述第一电子器件还包括第二倒装芯片,在所述第一衬底上贴装第一电子器件的步骤还包括:

在所述第一衬底上贴装所述第二倒装芯片,所述第二倒装芯片与所述正装芯片间隔设置,在所述正装芯片和所述第二倒装芯片之间形成间隙槽。

10.根据权利要求9所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述第一衬底上贴装所述第二倒装芯片的步骤还包括:

在所述间隙槽中填充保护胶,所述保护胶的表面与所述第二倒装芯片远离所述第一衬底的一侧齐平。

11.根据权利要求7所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述正装芯片远离所述第一衬底的一侧贴装所述第一倒装芯片的步骤还包括:

在所述第一倒装芯片上设置第一导电柱,以使所述第一导电柱在所述第一封装组件和所述第二封装组件贴装后,电连接所述第一封装组件和所述第二封装组件。

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