[发明专利]一种异构芯片高密度互连的扇出型封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种异构芯片高密度互连的扇出型封装结构，其特征在于，包括第一异构芯片（103）、高密度互连单元（104）、第二异构芯片（105）、晶圆级塑封体（106）、再布线层（107）以及焊球（108），所述晶圆级塑封体（106）的内部分别塑封有所述第一异构芯片（103）、高密度互连单元（104）和第二异构芯片（105），所述晶圆级塑封体（106）的下表面形成所述再布线层（107），所述再布线层（107）下表面的UBM处设有若干个所述焊球（108），所述焊球（108）用于实现信号的引出。

2.根据权利要求1所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一异构芯片（103）和第二异构芯片（105）的衬底材料均包括Si、GaAs、GaN或SiC。

3.根据权利要求1所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装结构，其特征在于，所述高密度互连单元（104）的数量至少为1个。

4.根据权利要求1所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装结构，其特征在于，所述高密度互连单元（104）的衬底材料包括Si或玻璃。

5.根据权利要求1所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装结构，其特征在于，所述焊球（108）的材料包括SnPb、SnAg或SnAgCu。

6.一种异构芯片高密度互连的扇出型封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：提供金属载板（102）和临时键合膜（101），在所述金属载板（102）上涂覆所述临时键合膜（101）；

步骤S2：将第一异构芯片（103）、高密度互连单元（104）和第二异构芯片（105）分别通过所述临时键合膜（101）装贴在所述金属载板（102）上；

步骤S3：使用晶圆级塑封体（106）将所述第一异构芯片（103）、高密度互连单元（104）和第二异构芯片（105）进行灌封得到二次重构树脂晶圆；

步骤S4：将所述临时键合膜（101）和金属载板（102）剥离；

步骤S5：在所述二次重构树脂晶圆的下表面形成再布线层（107）；

步骤S6：在所述再布线层（107）下表面的UBM处设有若干个焊球（108）。

7.根据权利要求6所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装方法，其特征在于，所述金属载板（102）的厚度不小于1mm，所述临时键合膜（101）的厚度不小于100μm。

8.根据权利要求6所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装方法，其特征在于，还包括如下步骤：使用PI胶和晶圆级多层再布线工艺，在所述二次重构树脂晶圆的下表面形成再布线层（107）。

9.根据权利要求8所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装方法，其特征在于，所述晶圆级多层再布线工艺是一种金属层和钝化层交叠的布线工艺；所述再布线层（107）至少包括1层金属层；所述钝化层的厚度大于形成的金属层，且所述钝化层包覆金属层；所述金属层的厚度均不小于2μm，所述钝化层的厚度均不小于5μm。

10.根据权利要求6所述的异构芯片高密度互连的扇出型封装方法，其特征在于，在所述UBM处植球的工艺包括晶圆级植球或刷锡膏。