[发明专利]一种芯片制作方法、芯片连接方法以及芯片

权利要求书

1.一种芯片制作方法，其特征在于，所述芯片制作方法包括：

基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属；

将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层，其中，所述保护层用于抑制在焊接时所述焊接金属向所述连接金属扩散。

2.如权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层的步骤包括：

将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于100~200℃，0X≤10%，90%≤Y＜100%的环境中烘烤1~120min，以在所述连接金属的侧壁形成氮化物保护层，其中，X表示氧气含量，Y表示氮气含量。

3.如权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，在将制作连接金属与焊接金属后的芯片主体置于氮气与氧气的环境中，并在预设的时间内进行烘烤，以在所述连接金属的侧壁形成保护层的步骤之后，所述方法还包括：

对所述焊接金属进行回流焊，以使所述焊接金属的端部形成球体。

4.如权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤包括：

基于所述芯片主体的表面涂布光刻胶；

基于光刻胶制作电镀孔；其中，所述电镀孔的底部露出所述芯片主体，且所述电镀孔的位置与所述芯片主体的电极位置对应；

沿所述电镀孔制作连接金属后再制作焊接金属。

5.如权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤包括：

基于芯片主体的电极制作铜柱，以形成连接金属；

沿所述连接金属的表面制作锡银合金或锡，以形成焊接金属。

6.如权利要求1所述的芯片制作方法，其特征在于，所述芯片主体的表面包括金属层，在基于芯片主体的电极制作连接金属与焊接金属的步骤之后，所述方法还包括：

将位于电极以外区域的金属层去除。

7.一种芯片连接方法，其特征在于，所述芯片连接方法包括：

将芯片的焊接金属与载板热压融合，其中，所述芯片采用如权利要求1至6任一项所述的芯片制作方法制作而成。

8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括芯片主体、连接金属、焊接金属以及保护层；其中，

所述连接金属与所述芯片主体的电极连接，所述连接金属还与所述焊接金属连接；

所述连接金属的侧壁连接有保护层，且所述保护层用于抑制在焊接时所述焊接金属向所述连接金属扩散。

9.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述保护层包括氮化物保护层。

10.如权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述焊接金属的端部为球体形状。