[发明专利]半导体封装

说明书

本发明公开了一种半导体封装，该半导体封装包括在第一再分配基板上的半导体芯片、覆盖半导体芯片的模制层、以及第二再分配基板，该第二再分配基板在模制层上并且包括电介质层、再分配图案和导电焊盘。电介质层包括暴露导电焊盘的下开口和连接到下开口并且比下开口宽的上开口。该半导体封装还包括再分配焊盘，该再分配焊盘在导电焊盘上并且覆盖下开口的侧壁和上开口的底表面。电介质层的顶表面位于比再分配焊盘的顶表面高的水平。再分配焊盘的顶表面位于上开口的底表面上。

技术领域

本发明构思的实施方式涉及半导体封装，更具体地，涉及包括再分配基板的半导体封装及其制造方法。

背景技术

半导体封装实现了用于电子产品的集成电路芯片。半导体封装通常被配置成使得半导体芯片被安装在印刷电路板上，并且接合线或凸块被用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供了一种具有改善的电特性的半导体封装及其制造方法。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体封装包括：第一再分配基板；设置在第一再分配基板的顶表面上的半导体芯片；模制层，设置在第一再分配基板上，其中模制层覆盖半导体芯片；设置在模制层上的第二再分配基板，其中第二再分配基板包括电介质层、再分配图案和导电焊盘；以及设置在导电焊盘上的再分配焊盘，其中再分配焊盘覆盖下开口的侧壁和上开口的底表面。电介质层包括暴露导电焊盘的下开口和连接到下开口的上开口，其中上开口的宽度大于下开口的宽度。电介质层的顶表面位于比再分配焊盘的第一顶表面高的水平。再分配焊盘的第一顶表面位于上开口的底表面上。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体封装包括：第一再分配基板；设置在第一再分配基板的顶表面上的半导体芯片；导电结构，设置在第一再分配基板的顶表面上并与半导体芯片间隔开；第二再分配基板，设置在半导体芯片和导电结构上，其中第二再分配基板包括电介质层和导电焊盘。电介质层包括暴露导电焊盘的一部分的开口；以及设置在导电焊盘上且在开口中的再分配焊盘。电介质层包括：第一顶表面，位于比再分配焊盘的顶表面高的水平；以及第二顶表面，位于比第一顶表面低的水平，并且位于比导电焊盘的顶表面高的水平。再分配焊盘包括：设置在电介质层的第二顶表面上的籽晶焊盘；以及设置在籽晶焊盘上的接合焊盘。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体封装包括：包括第一电介质层、第一籽晶图案和第一再分配图案的第一再分配基板；在第一再分配基板的底表面上的焊球；设置在第一再分配基板的顶表面上的半导体芯片；导电结构，设置在第一再分配基板的顶表面上，并与半导体芯片横向地间隔开；模制层，设置在半导体芯片和导电结构之间，其中模制层覆盖半导体芯片；设置在模制层上的第二再分配基板，其中第二再分配基板包括电介质层、再分配图案和导电焊盘；以及设置在导电焊盘上的再分配焊盘。再分配焊盘通过导电焊盘和再分配图案电连接到导电结构。电介质层包括：暴露导电焊盘的下开口；和连接到下开口的上开口，其中上开口的宽度大于下开口的宽度。再分配焊盘覆盖下开口的侧壁和上开口的底表面。再分配焊盘的第一顶表面位于上开口的底表面上。电介质层的顶表面位于比再分配焊盘的第一顶表面高的水平。

根据本发明构思的一些实施方式，一种半导体封装包括：第一再分配基板；设置在第一再分配基板的顶表面上的半导体芯片；导电结构，设置在第一再分配基板的顶表面上，并与半导体芯片横向地间隔开；模制层，设置在半导体芯片和导电结构之间，其中模制层覆盖半导体芯片；设置在模制层上的第二再分配基板，其中第二再分配基板包括电介质层、再分配图案和导电焊盘；以及设置在导电焊盘上并通过导电焊盘和再分配图案电连接到导电结构的再分配焊盘。电介质层包括：暴露导电焊盘的下开口；和连接到下开口的上开口，其中上开口的宽度大于下开口的宽度。再分配焊盘包括：覆盖下开口的侧壁和上开口的底表面的籽晶焊盘，其中籽晶焊盘包括第一金属；以及设置在籽晶焊盘上的连接接合焊盘。连接接合焊盘包括第二金属、第三金属和焊料材料的金属间化合物，第二金属不同于第一金属，第三金属不同于第一金属和第二金属。

附图说明

图1A为部分显示根据一些实施方式的半导体封装的放大平面图。