[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

说明书

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底上设有多个分立设置的位线结构，相邻的位线结构之间具有初始接触层，初始接触层内具有缝隙；去除部分初始接触层，以打开缝隙，被保留下来的初始接触层形成接触层，被保留下来的缝隙形成第一缝隙；形成填充层，填充层填充满第一缝隙，并覆盖接触层的顶面。本公开利用填充层将第一缝隙填满，消除接触层中的缝隙，从而有效改善接触层的电阻，提高了半导体结构的电性和良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。其中，动态随机存储器包括重复设置的多个存储单元，每个存储单元均包括晶体管和电容器，电容器通过电容接触区或电容接触结构与晶体管的源、漏极连接。

随着动态随机存储器(DRAM)制程技术的不断发展，动态随机存储器(DRAM)上阵列的存储单元的晶体管和电容器越发密集，用于形成接触结构的接触孔的制造难度越来越大，使得在形成接触结构(比如电容接触结构)时，接触结构内部会形成缝隙。该缝隙会增加接触结构的电阻，降低了半导体结构的电性和良率。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

本公开的第一方面提供了一种半导体结构的制作方法，所述半导体结构的制作方法包括：

提供基底，所述基底上设有多个分立设置的位线结构，相邻的所述位线结构之间具有初始接触层，所述初始接触层内具有缝隙；

去除部分所述初始接触层，以打开所述缝隙，被保留下来的所述初始接触层形成接触层，被保留下来的所述缝隙形成第一缝隙；

形成填充层，所述填充层填充满所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面。

根据本公开的一些实施例，形成填充层，所述填充层填充所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面，包括：

于所述第一缝隙内形成第一中间填充层，所述第一中间填充层的顶面与所述接触层的顶面平齐；

对所述第一中间填充层进行处理，以形成第一填充层；

于所述第一填充层上形成第二初始填充层，所述第二初始填充层包括依次交替连接的第一段和第二段，所述第一段覆盖所述接触层的顶面，所述第二段包裹所述位线结构；

对所述第一段进行处理，并去除所述第二段，经处理后的所述第一段形成第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层形成所述填充层。

根据本公开的一些实施例，所述第一填充层的材料和所述第二填充层的材料相同。

根据本公开的一些实施例，于所述第一缝隙内形成第一中间填充层，包括：

于所述第一缝隙内形成第一初始填充层，所述第一初始填充层延伸至所述第一缝隙外，所述第一初始填充层覆盖所述接触层的顶面并包裹所述位线结构；

去除包裹所述位线结构和覆盖所述接触层的顶面的所述第一初始填充层，被保留下来的所述第一初始填充层形成所述第一中间填充层。

根据本公开的一些实施例，所述第一初始填充层的厚度小于5nm。

根据本公开的一些实施例，去除包裹所述位线结构和覆盖所述接触层的顶面的所述第一初始填充层，包括：

于所述第一初始填充层上形成第一介质层；