[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，所述基底上设有多个分立设置的位线结构，相邻的所述位线结构之间具有初始接触层，所述初始接触层内具有缝隙；

去除部分所述初始接触层，以打开所述缝隙，被保留下来的所述初始接触层形成接触层，被保留下来的所述缝隙形成第一缝隙；

形成填充层，所述填充层填充满所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成填充层，所述填充层填充所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面，包括：

于所述第一缝隙内形成第一中间填充层，所述第一中间填充层的顶面与所述接触层的顶面平齐；

对所述第一中间填充层进行处理，以形成第一填充层；

于所述第一填充层上形成第二初始填充层，所述第二初始填充层包括依次交替连接的第一段和第二段，所述第一段覆盖所述接触层的顶面，所述第二段包裹所述位线结构；

对所述第一段进行处理，并去除所述第二段，经处理后的所述第一段形成第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层形成所述填充层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一填充层的材料和所述第二填充层的材料相同。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述第一缝隙内形成第一中间填充层，包括：

于所述第一缝隙内形成第一初始填充层，所述第一初始填充层延伸至所述第一缝隙外，所述第一初始填充层覆盖所述接触层的顶面并包裹所述位线结构；

去除包裹所述位线结构和覆盖所述接触层的顶面的所述第一初始填充层，被保留下来的所述第一初始填充层形成所述第一中间填充层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一初始填充层的厚度小于5nm。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除包裹所述位线结构和覆盖所述接触层的顶面的所述第一初始填充层，包括：

于所述第一初始填充层上形成第一介质层；

去除所述第一介质层、包裹所述位线结构的所述第一初始填充层和覆盖所述接触层的顶面的所述第一初始填充层。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述第一中间填充层进行处理，以形成第一填充层，包括：

对所述第一中间填充层进行高温回火处理，形成所述第一填充层；

对所述第一段进行处理，以形成第二填充层，包括：

对所述第一段进行高温回火处理，形成所述第二填充层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成填充层，所述填充层填充所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面，包括：

于所述接触层上形成初始填充层，所述初始填充层填充满所述第一缝隙，并覆盖所述接触层的顶面；

对所述初始填充层进行处理，以形成所述填充层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，提供基底，所述基底上设有多个分立设置的位线结构，相邻的所述位线结构之间具有初始接触层，所述初始接触层内具有缝隙，包括：

于所述基底上形成多个间隔设置的位线；

形成包裹所述位线的外周面的隔离侧墙，相邻的所述隔离侧墙之间形成接触孔；

于所述接触孔内形成初始接触层，所述初始接触层的顶面与所述隔离侧墙的顶面平齐。