[发明专利]测试设备以及测试单元

权利要求书

1.一种测试设备，包括：

进阶程序控制监视器(Advance Process Control Monitor，APCM)，位于第一晶片中；

多个衬垫，设置于所述进阶程序控制监视器上方且耦合到所述进阶程序控制监视器，所述多个衬垫位于第二晶片中；

测试单元，设置于所述第一晶片与所述第二晶片之间，所述测试单元耦合到所述进阶程序控制监视器，所述测试单元包括介电质内的金属结构；以及

多个硅穿孔(through silicon vias，TSV)，在第一方向上从所述第一晶片穿过所述测试单元的所述介电质延伸到所述第二晶片。

2.根据权利要求1所述的测试设备，其中所述进阶程序控制监视器以及所述多个衬垫分别位于所述第一晶片以及所述第二晶片的切割部分中。

3.根据权利要求1所述的测试设备，进一步包括设置于所述多个衬垫与所述进阶程序控制监视器之间的第二多个衬垫。

4.一种测试设备，包括：

第一晶片，具有底表面；

金属层，设置于所述第一晶片上方；

第二晶片，设置于所述金属层上方且具有顶表面；以及

多个硅穿孔(TSV)，在第一方向上从所述第一晶片的所述底表面延伸到所述第二晶片的所述顶表面。

5.根据权利要求4所述的测试设备，其中所述金属层包括：

金属结构；以及

介电质，包围所述金属结构，

其中所述多个硅穿孔在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述金属结构分开。

6.根据权利要求5所述的测试设备，其中所述测试设备包括管芯部分以及沿着所述第一方向与所述管芯部分邻接的切割部分，其中所述金属结构位于所述管芯部分中，以及所述进阶程序控制监视器以及所述多个衬垫位于所述切割部分中。

7.一种测试单元，包括金属层，所述金属层包含：

金属结构；

介电质，包围所述金属结构；以及

多个硅穿孔，在垂直于所述金属层的第一方向上延伸以及与所述金属结构分开。

8.根据权利要求7所述的测试单元，其中所述多个硅穿孔中的每一个在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述多个硅穿孔中的最近的一个相距相同距离。

9.根据权利要求7所述的测试单元，其中所述金属结构耦合到第一触点、第二触点、第三触点以及第四触点，其中在所述第一触点处施加电流，在所述第二触点处施加相等和相反的电流，並且跨越所述第三触点以及所述第四触点测量电压。

10.根据权利要求7所述的测试单元，进一步包括设置于所述金属层上方的第二金属层，所述第二金属层包含设置于所述金属结构上方的第二金属结构，以及其中跨越所述金属结构以及所述第二金属结构测量电容。