[发明专利]用于实现可扩展系统的系统和方法

权利要求书

1.一种堆叠封装结构：

下部再分配层RDL；

第一模塑层，所述第一模塑层在所述下部RDL上；

接合条，所述接合条被封装在所述第一模塑层中；

第二RDL，所述第二RDL在所述第一模塑层上方；

第一芯片，所述第一芯片在所述第二RDL顶部上；

封装，所述封装包括在所述第二RDL顶部上的多个堆叠芯片；

其中所述第一芯片为逻辑芯片，并且所述多个堆叠芯片为多个堆叠存储器芯片；以及

第二模塑料层，所述第二模塑料层在所述第二RDL上。

2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，还包括延伸穿过连接所述下部RDL和所述第二RDL的所述第一模塑层的多个通孔。

3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述第一芯片被封装在所述第二模塑料层中。

4.根据权利要求3所述的堆叠封装结构，还包括延伸穿过所述第二模塑料层并连接到所述第二RDL的第二多个通孔。

5.根据权利要求4所述的堆叠封装结构，其中所述封装被键合到所述第二多个通孔。

6.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述接合条包括延伸所述接合条的纵向长度的相当大部分的布线层。

7.根据权利要求6所述的堆叠封装结构，其中:

所述接合条的所述布线层包括多个金属层，所述多个金属层包括第一接线层和第二接线层，所述第二接线层的特征在于比所述第一接线层更宽的接线。

8.根据权利要求7所述的堆叠封装结构，其中:

所述多个堆叠存储器芯片中的第一存储器芯片通过所述第一接线层中的第一导线而与所述逻辑芯片电耦接；以及

所述多个堆叠存储器芯片中的第二存储器芯片通过所述第二接线层中的第二导线而与所述逻辑芯片电耦接。

9.根据权利要求8所述的堆叠封装结构，其中:

并且所述第二存储器芯片比所述第一存储器芯片更远离所述逻辑芯片。

10.根据权利要求9所述的堆叠封装结构，其中所述第一接线层为下接线层，所述第二接线层为上接线层。

11.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述接合条包括高速缓存存储器。

12.根据权利要求11所述的堆叠封装结构，其中所述多个堆叠存储器芯片是多个堆叠动态随机存取存储器DRAM芯片。

13.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，还包括在所述下RDL的底侧上的多个焊料凸块。

14.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述接合条包括多个中继器。

15.根据权利要求14所述的堆叠封装结构，其中所述多个中继器沿所述接合条的纵向长度而被布置。

16.根据权利要求14所述的堆叠封装结构，所述接合条包括沿所述接合条的纵向长度的相当大部分延伸的布线层，其中所述接合条的所述布线层包括多个金属层，所述多个金属层包括下接线层和上接线层，所述上接线层的特征在于比所述下接线层更宽的接线。

17.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述接合条包括本地处理元件。

18.根据权利要求1所述的堆叠封装结构，其中所述接合条中的逻辑用于分配存储器，使得所述封装中使用频率更高的存储器块更靠近所述逻辑芯片，而所述封装中使用频率更低的存储器块离得更远。