[发明专利]一种半导体芯片划片用粘接方法

说明书

本发明公开了一种半导体芯片划片用粘接方法，其可满足划片时芯片的稳固粘接需求，同时可防止芯片崩边，可防止芯片污染，该方法包括：在芯片的正面涂覆第一光刻胶，将第一光刻胶加热固化，在芯片的背面涂覆第二光刻胶，通过第二光刻胶将芯片的背面与硅衬底的上表面粘接，对芯片与硅衬底进行抽真空处理，对芯片与硅衬底进行加热固化，将硅衬底的下表面粘接于聚酯膜，对芯片、硅衬底及聚酯膜进行划片，使芯片及硅衬底与聚酯膜分离，使芯片与硅衬底分离，对芯片进行浸泡，去除残余的第一光刻胶、第二光刻胶。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体芯片划片用粘接方法。

背景技术

半导体加工过程中，常采用划片锯(即切割刀)或划线剥离技术将晶片分割成单个芯片。对于要分离的芯片，需首先将其粘贴在具有一定弹性的聚酯膜(例如蓝膜或UV膜)或硅衬底上，再采用高速旋转的刀片按已设定程式将晶片分割。

目前常用的芯片划片工艺有两类：一类是将芯片粘接在聚酯膜上后直接划片，此种划片方式方便快捷，对芯片污染较小，但此类工艺对聚酯膜厚度、粘度要求较高，对于薄且粘度低的聚酯膜(厚度约为80μm)，划片稳定性较差，获得的芯片1易存在崩边现象，见图1，图中A区域为崩边区域，崩边现象指在芯片背面产生裂纹或在芯片侧边产生裂纹或崩角；而对于较厚的高粘度聚酯膜(厚度约为160μm)，虽可以提高划片稳定性，但无法在扩膜机上扩膜，人工取片时易产生划伤、磕碰等人为破坏缺陷。因此，若要获得最佳的划片效果，需对聚酯膜进行定制，但成本急剧增加。另一类是采用硅片衬底，使用白蜡将芯片与衬底粘接，在划片时，硅衬底能够固定芯片，防止芯片崩边，但白蜡性能稳定，不易溶解去除，这不仅导致芯片污染，而且严重影响了后续加工工序。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种半导体芯片划片用粘接方法，其可满足划片时芯片的稳固粘接需求，同时可防止芯片崩边，可防止芯片污染。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，该方法包括：S1、在芯片的正面涂覆第一光刻胶；

S2、将所述第一光刻胶加热固化；

S3、在所述芯片的背面涂覆第二光刻胶，通过所述第二光刻胶将所述芯片的背面与硅衬底的上表面粘接；

S4、对经步骤S2、S3处理后的所述芯片与所述硅衬底进行抽真空处理；

S5、对经步骤S4处理后的所述芯片与所述硅衬底进行加热固化；

S6、将所述硅衬底的下表面粘接于聚酯膜；

S7、对经步骤S6处理后的所述芯片、硅衬底及所述聚酯膜进行划片；

S8、使所述芯片及所述硅衬底与所述聚酯膜分离；

S9、使所述芯片与所述硅衬底分离；

S10、对经步骤S9处理后的所述芯片进行浸泡，去除残余的所述第一光刻胶、第二光刻胶。

其进一步特征在于，

步骤S1中，使用甩胶机在所述芯片的正面均匀涂覆所述第一光刻胶；

所述第一光刻胶的型号为AZ1505，所述第一光刻胶的涂覆厚度为0.5μm～4μm；

步骤S2中，将涂覆第一光刻胶后的所述芯片放置于加热台进行加热，使所述第一光刻胶固化，加热时间为3分钟～10分钟，加热温度为80℃～120℃；

步骤S3中，使用甩胶机在所述芯片的背面均匀涂覆所述第二光刻胶；

所述第二光刻胶的型号为AZ10XT，所述第二光刻胶的涂覆厚度为4μm～10μm，该厚度的限定，保证了芯片与硅衬底粘接的牢固性；