[发明专利]一种半导体芯片划片用粘接方法

权利要求书

1.一种半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，该方法包括：S1、在芯片的正面涂覆第一光刻胶；

S2、将所述第一光刻胶加热固化；

S3、在所述芯片的背面涂覆第二光刻胶，通过所述第二光刻胶将所述芯片的背面与硅衬底的上表面粘接；

S4、对经步骤S2、S3处理后的所述芯片与所述硅衬底进行抽真空处理；

S5、对经步骤S4处理后的所述芯片与所述硅衬底进行加热固化；

S6、将所述硅衬底的下表面粘接于聚酯膜；

S7、对经步骤S6处理后的所述芯片、硅衬底及所述聚酯膜进行划片；

S8、划片后，使所述芯片及所述硅衬底与所述聚酯膜分离；

S9、使所述芯片与所述硅衬底分离；

S10、对经步骤S9处理后的所述芯片进行浸泡，去除残余的所述第一光刻胶、第二光刻胶。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S1中，使用甩胶机在所述芯片的正面均匀涂覆所述第一光刻胶；所述第一光刻胶的涂覆厚度为0.5μm～4μm。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S2中，通过加热台对涂覆第一光刻胶后的所述芯片进行加热，使所述第一光刻胶固化，加热时间为3分钟～10分钟，加热温度为80℃～120℃。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S3中，使用甩胶机在所述芯片的背面均匀涂覆所述第二光刻胶；所述第二光刻胶的涂覆厚度为4μm～10μm。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S4中，采用真空烘箱对粘接后的所述芯片与所述硅衬底进行抽真空处理，所述真空烘箱的烘烤温度为5℃～20℃，抽真空持续时间为5分钟～20分钟。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S5中，通过加热台对抽真空处理后的所述芯片与所述硅衬底进行加热，使所述第二光刻胶固化，加热持续时间为5分钟～15分钟，加热温度为80℃～120℃。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，所述聚酯膜为UV膜或蓝膜，UV膜或蓝膜的面积大于所述硅衬底的下表面面积，将所述硅衬底贴附在所述UV膜或蓝膜上时，所述UV膜或蓝膜的四周边沿凸出于所述硅衬底的四周边沿。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S8中，采用解胶机对经步骤S7处理后的所述芯片、硅衬底及所述聚酯膜进行解胶处理，使所述硅衬底与所述聚酯膜分离。

9.根据权利要求8所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S9中，使用压力喷笔在所述芯片与所述硅衬底的粘接处喷淋丙酮，使所述芯片与所述硅衬底分离。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片划片用粘接方法，其特征在于，步骤S10中，将所述芯片放置于丙酮溶液中进行浸泡，浸泡时间为5h～20h。