[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含:

一深沟槽电容器结构，包含一层堆叠，该层堆叠包括:

一第一金属电极层；

一第二金属电极层；以及

至少一节点介电层，其中该至少一节点介电层位于该第一金属电极层与该第二金属电极层之间；

一晶体管结构，包含:

一基极；

形成于该基极内的一第一端子；以及

形成于该基极内的一第二端子；

一第一串联连接结构，包括电连接该第一金属电极层与该第一端子的多个通孔结构及至少一金属互连结构；以及

一第二串联连接结构，包括电连接该第二金属电极层与该第二端子的多个通孔结构及至少一金属互连结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一端子与该第二端子之间的一电压击穿值小于该第一金属电极层与该第二金属电极层之间的一电压击穿值。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该深沟槽电容器结构的该层堆叠进一步包含:

一第三金属电极层，其中该至少一节点介电层位于该第二金属电极层与该第三金属电极层之间；以及

一第四金属电极层，其中该至少一节点介电层位于该第三金属电极层与该第四金属电极层之间，

其中该第一端子经由该第一串联连接结构电连接至该第三金属电极层，

其中该第二端子经由该第二串联连接结构电连接至该第四金属电极层。

4.一种半导体装置，其特征在于，包含:

一晶体管结构，包含:

一基极；

形成于该基极内的一第一端子；以及

形成于该基极内的一第二端子，其中该第一端子及该第二端子通过掺杂该基极而形成；以及

一深沟槽电容器结构，包含:

一第一金属电极层；以及

一第二金属电极层，其中该第一端子电连接至该第一金属电极层，且其中该第二端子电连接至该第二金属电极层。

5.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包含:

在一基板中形成多个深沟槽；

形成一沟槽电容器结构，该沟槽电容器结构包含一层堆叠，该层堆叠包括该些深沟槽中与至少一节点介电层交错的至少两个金属电极层；

掺杂该基板以形成一晶体管结构的一基极；

掺杂该基极以形成一第一端子及一第二端子；

形成一第一串联连接结构，包括多个通孔结构及至少一金属互连结构，以电连接该第一端子与该至少两个金属电极层的一第一金属电极层；及

形成一第二串联连接结构，包括多个通孔结构及至少一金属互连结构，以电连接该第二端子与该至少两个金属电极层的一第二金属电极层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含经由该第一串联连接结构将该第一端子电连接至该至少两个金属电极层的一第三金属电极层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含经由该第二串联连接结构将该第二端子电连接至该至少两个金属电极层的一第四金属电极层。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含:

在该基极的顶部上形成一栅极结构，且位于该第一端子与该第二端子之间；以及

将该栅极结构电耦合至地面。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含:

在该基极中布植一离子布植硬遮罩以形成该第一端子及该第二端子，其中该第一端子及该第二端子的多个近接侧壁之间的一距离由该离子布植硬遮罩界定且大于0.5微米。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包含轻掺杂该第一端子及该第二端子。